当前位置:首页 >> 电子/电路 >>

不同厚度对分子束外延生长GaSb薄膜的影响_论文

熊 丽 等 : 同 厚 度对 分 子 束 外 延 生 长 Ga b薄 膜 的 影 响  不 S 不 同厚 度 对 分 子 束 外 延 生长 Ga b薄 膜 的 影 响  S 熊  丽  李 关成  邱 永 鑫  张保 顺。 李  林 。 刘 国军。赵 连城  , , , , , , ( . 尔滨 工业 大学 ( 海) 料学 院 , 1哈 威 材 山东 威 海 2 4 0 ; 6 2 9  2 哈尔滨 工业 大学 材 料学 院 , 龙 江 哈尔滨 1 0 0 ;. 春理工 大学 材 料 学 院 , . 黑 50 13长 吉林 长春 1 0 2 ) 3 0 2  摘 要 : 采 用分 子束 外 延 ( E) G As衬底 上 生    MB 在 a 4 7 ×1 _ P , b源炉 温 T b 6 5 , 流为 1 7 × . 5 O 。aS 。 s一 1 ℃ 束 .1   1  P , Ⅲ族束 流 比约 为 3 6:1 另 外 , 备 了样  O a V/ . ; 制 长 GS a b薄膜 , 了减 小 因 晶格 失 配 度 较 大所 引起 的 为   位错 密度 , 用低 温 Ga b作 为缓 冲层 。通 过 X 射 线  采 S 双 晶衍 射 仪 和 原 子 力显 微 镜 分析 得 出 , 当低 温 Ga b S  缓 冲层 的厚 度 为 2 n 时 , a b外 延层 中 的位错 密度  0m GS 最小, 晶体 质量最好 。此 外 , 冲层 和 外延 层 的厚 度 共  缓 同对 G S a b薄膜 晶体 质量 和表 面形 貌 产 生影 响 。   关键 词 : 分子束 外延 ; S ; 冲层 ;   Ga b 缓 厚度  中图分类号 : TN3 4 0 5 0 . 5  文献 标识 码 :   A 文 章编号 :0 19 3 ( 0 8 1 —6 50   10 -7 1 2 0 )01 3 —3 品B 。和 C , Ga b 外 延 层 厚 度 分 别 为 10 和   其 S 0 10 n 其 它生 长参 数 同样 品 A。  5 0 m, 。 采用 日本 理 光 电 机 公 司生 产 的 D/ xRA 型 X ma -   射线 双晶衍 射仪 ( C D) 析材 料 的 晶体质 量 , D xR 分 X射  线源 为 Cu , 长 一0 1 4 5 m。采用美 国 D gtl Ka 波 . 50 n ii   a Isrme t Ic D  n ) 司 生 产 的 Na oc p Ia n tu n s n ( IIc 公   n so eI     型 S M 原 子力 显微 镜分 析材 料 的表面 形貌 。 P   1 引  言  GS a b是 一种 Ⅲ一 V族 化 合 物 半 导 体材 料 , 晶 格  其 常数与 多种三 元 、 四元 Ⅲ一 V族 化 合 物 半 导 体 相 匹 配 ,   3 结 果 和 分 析  3 1 缓 冲层厚 度对 Ga b晶体 质 量的影 响  . S 图1 分别 为样 品 A。 A。 X射线衍 射 曲线 , 1 ~ 的 表   中列 出了它 们 的 X D 曲线半 峰宽 和位错 密度 , R 随着缓  可 以制备超 低损耗 光纤 通讯 的光 源 。另 外 , 利用 Gah S  基 超 晶格 可 以制 造 波长 在 8 O 1 . / 范 围的 长 波  . ~ 4 0t . m 长 红外 探 测 器[ 卜引, 以及 多 波 段 的 红 外 探 测 器[ 。 因  4 ]

相关文章:
GaAs基GaSb薄膜的分子束外延生长与发光特性_图文.pdf
郭宝增 GaSb材料特性、制备及应用[期刊论文]-半导体光电 1999(02) 2.Smith D...不同厚度对分子束外延生长GaSb薄膜的影响[期刊论文]-功能材料 2008,39(10) 3...
分子束外延 InSb 薄膜缺陷分析-论文_图文.pdf
本文主 要研 究 了不 同生长 条件对InS b分子束 外延 薄膜 的 晶体质量的影响, 并采用金相显微镜 、 x射线双晶衍射仪 、 扫描 电子显微镜及 x射线能谱仪等...
GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面_....pdf
GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面 - 第3 6卷第 2
缓冲层生长速率对GaSb薄膜二维生长的影响.pdf
缓冲层生长速率GaSb薄膜二维生长的影响 - 用分子束外延(MBE)法在GaAs(100)衬底上生长GaSb薄膜,得到了GaSb薄膜的优化生长工艺条件.为了降低因晶格失配度较大所...
MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜_论文.pdf
MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜_专业资料。利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜...
热退火对分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中深能级的影响_....pdf
GaAs基GaSb薄膜的分子束外... 暂无评价 5页 2.00...退火对分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中深能级的影响...普通尺寸(450*500pix) 较大尺寸(630*500pix) 预览...
国内首次用分子束外延生长出短周期InAa/GaSb超晶格_论文.pdf
国内首次用分子束外延生长出短周期InAa/GaSb超晶格_材料科学_工程科技_专业资料...薄膜 的响应速度快得多, 而 且纳米带的尺寸对纳米带的响应速度有明显的影响,...
ZnO薄膜的分子束外延生长及性能.pdf
ZnO薄膜的分子束外延生长及性能_工学_高等教育_教育...验结果表明对应不同衬底上制 备得到的 ZnO 薄膜, ...5, 5 nm。 AFM 观测到 ZnO 薄膜的厚度基本相符,...
分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究.pdf
分子束外延HgCdTe薄膜位错密度的研究_物理_自然科学_专业资料。本文报道在晶格失...为了研究缓冲层厚度对位错密度的影响, 分别生长不同厚度 ( 2 6Λ ) ~ ...
分子束外延 InAs-GaSbⅡ类超晶格的缺陷研究.pdf
分子束外延 InAs-GaSbⅡ类超晶格的缺陷研究_电子/电路_工程科技_专业资料。In...生长温度、 GaSb 生长速率、 As/In 束流比等对超晶格表 面缺陷的影响, 对...
刘迪分子束外延_图文.ppt
(2)分子束外延的生长速率较慢,可实现单 原子(分子)层外延,具有极好的膜...GaSb为衬底生长GaSb薄膜 生长速率薄膜表面形貌及生长 模式的影响 不同生长速率...
衬底温度和生长速率对In_(0.2)Ga_(0.8)As分子束外延薄....pdf
衬底温度和生长速率对In_(0.2)Ga_(0.8)As分子束外延薄膜生长影响 - 第 31 卷第 5 期 Vol. 31 No. 5 唐山师范学院学报 Journal of Tangshan...
分子束外延技术(MBE)的原理及其制备先进材料的研究进展.doc
关键词:分子束外延;薄膜;生长技术;半导体 The ...了半导体材料的发展对半导体物理和半导体器件的影响. ...通过在 Si 衬底上沉积不同厚度的 In 插入层再进行...
GaAs_001_衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜_图文.pdf
GaAs_001_衬底上分子束外延生长InNSb单晶薄膜_电子/...表1 样品编号 1 2 3 InNSb 层厚度 / nm 1000...计算机模拟InGaSb_GaAs薄... 2页 免费 GaAs(001...
分子束外延技术_图文.ppt
分子束 的形式射向衬底,进行外延生长,故此得名。...InAs/GaSb超晶格
MgO(111)上ZnO薄膜的外延生长及其结构和光学特性_图文.pdf
本文通过分子束外延生长法 在 MgO(111)单晶衬底上生长 ZnO 薄膜,表征了其结构和特性,探讨了不同生长条件对薄膜质量的影响。结果 表明,先低温生长 ZnO 缓冲层,再...
高质量稀磁半导体GaMnSb单晶薄膜分子束外延生长_祝梦遥....pdf
16] , 我们采用低温 (230 ? C) 分子束外延技术, 在 GaSb 表面外延生长厚度为 10 nm、不同 Mn 含 量的 (Ga, Mn)Sb 薄膜, 生长过程中 Sb/Ga 束流比...
分子束外延_图文.ppt
薄膜外延生长 2.4.1分子束外延 2.4.2原子束外延 ...能,因此,在不同外延 温度下对生长速率的影响不同...精确控制外延厚 度、掺杂和界面平整度的薄膜制备技术...
分子束外延.txt
该法生长温度低,能严格 控制外延层的层组分和...了半导体材料的发展对半导体物 理和半导体器件的影响...分子束外延(MBE)是一种灵活的外延薄膜技术,可以 ...
分子束外延_图文.doc
同时控制分子束对衬底的扫描, 就可以生长出极薄的(...2、 研究对象:分子束外延主要研究的是不同结构或不...这一方法已被广泛应用于薄膜沉积过 程中厚度的实时...
更多相关标签: