当前位置:首页 >> 能源/化工 >>

XPS原理


第 18 章

X 射线光电子能谱分析

引言 固体表面分析业已发展为一种常用的仪器分析方法, 特别是对于固体材料的 分析和元素化学价态分析。目前常用的表面成分分析方法有:X 射线光电子能谱 18.1 (XPS), 俄歇电子能谱(AES),静态二次离子质谱(SIMS)和离子散射谱(ISS)。 AES 分析主要应用于物理方面的固体材料科学的研

究,而 XPS 的应用面则广泛 得多,更适合于化学领域的研究。SIMS 和 ISS 由于定量效果较差,在常规表面 分析中的应用相对较少。但近年随着飞行时间质谱(TOF-SIMS)的发展,使得 质谱在表面分析上的应用也逐渐增加。本章主要介绍 X 射线光电子能谱的实验 方法。 X 射线光电子能谱(XPS)也被称作化学分析用电子能谱(ESCA)。该方 法是在六十年代由瑞典科学家 Kai Siegbahn 教授发展起来的。由于在光电子能 谱的理论和技术上的重大贡献,1981 年,Kai Siegbahn 获得了诺贝尔物理奖。 三十多年的来, 射线光电子能谱无论在理论上和实验技术上都已获得了长足的 X 发展。 XPS 已从刚开始主要用来对化学元素的定性分析, 业已发展为表面元素定 性、 半定量分析及元素化学价态分析的重要手段。 XPS 的研究领域也不再局限于 传统的化学分析,而扩展到现代迅猛发展的材料学科。目前该分析方法在日常表 面分析工作中的份额约 50%,是一种最主要的表面分析工具。 在 XPS 谱仪技术发展方面也取得了巨大的进展。在 X 射线源上,已从原来 的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得 X 射线能量单色化并连续可调 的激发源;传统的固定式 X 射线源也发展到电子束扫描金属靶所产生的可扫描 式 X 射线源; 射线的束斑直径也实现了微型化, X 最小的束斑直径已能达到 6?m 大小, 使得 XPS 在微区分析上的应用得到了大幅度的加强。图像 XPS 技术的发 展,大大促进了 XPS 在新材料研究上的应用。在谱仪的能量分析检测器方面, 也从传统的单通道电子倍增器检测器发展到位置灵敏检测器和多通道检测器, 使 得检测灵敏度获得了大幅度的提高。计算机系统的广泛采用,使得采样速度和谱 图的解析能力也有了很大的提高。 由于 XPS 具有很高的表面灵敏度,适合于有关涉及到表面元素定性和定量 分析方面的应用,同样也可以应用于元素化学价态的研究。此外,配合离子束剥 离技术和变角 XPS 技术,还可以进行薄膜材料的深度分析和界面分析。因此, XPS 方法可广泛应用于化学化工,材料,机械,电子材料等领域。 18.2 方法原理
Page 1

X 射线光电子能谱基于光电离作用,当一束光子辐照到样品表面时,光子可 以被样品中某一元素的原子轨道上的电子所吸收,使得该电子脱离原子核的束 缚,以一定的动能从原子内部发射出来,变成自由的光电子,而原子本身则变成 一个激发态的离子。 在光电离过程中,固体物质的结合能可以用下面的方程表 示: Ek = hν - Eb - φs (18.1) 式中 Ek ? 出射的光电子的动能, eV; hν ? X 射线源光子的能量, eV; Eb ? 特定原子轨道上的结合能, eV; φs ? 谱仪的功函, eV。 谱仪的功函主要由谱仪材料和状态决定,对同一台谱仪基本是一个常数,与 样品无关,其平均值为 3~4eV。 在 XPS 分析中,由于采用的 X 射线激发源的能量较高,不仅可以激发出原 子价轨道中的价电子,还可以激发出芯能级上的内层轨道电子,其出射光电子的 能量仅与入射光子的能量及原子轨道结合能有关。因此,对于特定的单色激发源 和特定的原子轨道,其光电子的能量是特征的。当固定激发源能量时,其光电子 的能量仅与元素的种类和所电离激发的原子轨道有关。因此,我们可以根据光电 子的结合能定性分析物质的元素种类。 在普通的 XPS 谱仪中,一般采用的 Mg Kα 和 Al Kα X 射线作为激发源,光 子的能量足够促使除氢、氦以外的所有元素发生光电离作用,产生特征光电子。 由此可见, XPS 技术是一种可以对所有元素进行一次全分析的方法, 这对于未知 物的定性分析是非常有效的。 经 X 射线辐照后,从样品表面出射的光电子的强度是与样品中该原子的浓 度有线性关系,可以利用它进行元素的半定量分析。鉴于光电子的强度不仅与原 子的浓度有关,还与光电子的平均自由程、样品的表面光洁度,元素所处的化学 状态,X 射线源强度以及仪器的状态有关。因此,XPS 技术一般不能给出所分析 元素的绝对含量,仅能提供各元素的相对含量。由于元素的灵敏度因子不仅与元 素种类有关,还与元素在物质中的存在状态,仪器的状态有一定的关系,因此不 经校准测得的相对含量也会存在很大的误差。 还须指出的是, XPS 是一种表面灵 -3 敏的分析方法,具有很高的表面检测灵敏度,可以达到 10 原子单层,但对于体 相检测灵敏度仅为 0.1%左右。XPS 是一种表面灵敏的分析技术,其表面采样深 度为 2.0~5.0 nm,它提供的仅是表面上的元素含量,与体相成分会有很大的差 别。而它的采样深度与材料性质、光电子的能量有关,也同样品表面和分析器的
Page 2

角度有关。 虽然出射的光电子的结合能主要由元素的种类和激发轨道所决定, 但由于原 子外层电子的屏蔽效应, 芯能级轨道上的电子的结合能在不同的化学环境中是不 一样的,有一些微小的差异。这种结合能上的微小差异就是元素的化学位移,它 取决于元素在样品中所处的化学环境。一般,元素获得额外电子时,化学价态为 负,该元素的结合能降低。反之,当该元素失去电子时,化学价为正,XPS 的结 合能增加。 利用这种化学位移可以分析元素在该物种中的化学价态和存在形式。 元素的化学价态分析是 XPS 分析的最重要的应用之一。 仪器结构和工作原理 18.3.1 XPS 谱仪的基本结构 虽然 XPS 方法的原理比较简单,但其仪器结构却非常复杂。图 18.1 是 X 射 线光电子能谱的方框图。从图上可见,X 射线光电子能谱仪由进样室、超高真空 18.3 系统,X 射线激发源、离子源、能量分析系统及计算机数据采集和处理系统等组 成。 下面对主要部件进行简单的介绍。 具体的操作方法详见仪器操作使用说明书。
快速进样室

X 光源

分析室

能量分析器

离子源

超高真空系统

计算机系统

图 18.1 18.3.2 超高真空系统

X 射线光电子能谱仪结构框图

在 X 射线光电子能谱仪中必须采用超高真空系统,主要是出于两方面的原 因。首先,XPS 是一种表面分析技术,如果分析室的真空度很差,在很短的时间 内试样的清洁表面就可以被真空中的残余气体分子所覆盖。其次,由于光电子的 信号和能量都非常弱,如果真空度较差,光电子很容易与真空中的残余气体分子 发生碰撞作用而损失能量,最后不能到达检测器。在 X 射线光电子能谱仪中, 为了使分析室的真空度能达到 3×10-8Pa,一般采用三级真空泵系统。前级泵一 般采用旋转机械泵或分子筛吸附泵,极限真空度能达到 10-2Pa;采用油扩散泵或 分子泵,可获得高真空,极限真空度能达到 10-8Pa;而采用溅射离子泵和钛升华 泵,可获得超高真空,极限真空度能达到 10-9Pa。这几种真空泵的性能各有优缺 点,可以根据各自的需要进行组合。现在的新型 X 射线光电子能谱仪,普遍采 用机械泵-分子泵-溅射离子泵-钛升华泵系列, 这样可以防止扩散泵油污染清洁的
Page 3

超高真空分析室。 18.3.3 快速进样室 X 射线光电子能谱仪多配备有快速进样室, 其目的是在不破坏分析室超高真 空的情况下能进行快速进样。快速进样室的体积很小,以便能在 5~10 分钟内能 达到 10-3 Pa 的高真空。有一些谱仪,把快速进样室设计成样品预处理室,可以 对样品进行加热,蒸镀和刻蚀等操作。 18.3.4 X 射线激发源 在普通的 XPS 谱仪中, 一般采用双阳极靶激发源。 常用的激发源有 Mg Kα X 射线,光子能量为 1253.6 eV 和 Al Kα X 射线,光子能量为 1486.6 eV。没经单色 化的 X 射线的线宽可达到 0.8 eV, 而经单色化处理以后,线宽可降低到 0.2 eV, 并可以消除 X 射线中的杂线和韧致辐射。但经单色化处理后,X 射线的强度大 幅度下降。 18.3.5 离子源 在 XPS 中配备离子源的目的是对样品表面进行清洁或对样品表面进行定量 剥离。在 XPS 谱仪中,常采用 Ar 离子源。Ar 离子源又可分为固定式和扫描式。 固定式 Ar 离子源由于不能进行扫描剥离,对样品表面刻蚀的均匀性较差,仅用 作表面清洁。对于进行深度分析用的离子源,应采用扫描式 Ar 离子源。 18.3.6 能量分析器 X 射线光电子的能量分析器有两种类型,半球型分析器和筒镜型能量分析 器。 半球型能量分析器由于对光电子的传输效率高和能量分辩率好等特点,多 用在 XPS 谱仪上。 而筒镜型能量分析器由于对俄歇电子的传输效率高,主要用 在俄歇电子能谱仪上。对于一些多功能电子能谱仪,由于考虑到 XPS 和 AES 的 共用性和使用的则重点, 选用能量分析器主要依据那一种分析方法为主。 XPS 以 为主的采用半球型能量分析器,而以俄歇为主的则采用筒镜型能量分析器。 18.3.7 计算机系统 由于 X 射线电子能谱仪的数据采集和控制十分复杂,商用谱仪均采用计算 机系统来控制谱仪和采集数据。由于 XPS 数据的复杂性,谱图的计算机处理也 是一个重要的部分。如元素的自动标识、半定量计算,谱峰的拟合和去卷积等。 实验技术 18.4.1 样品的制备技术 X 射线能谱仪对分析的样品有特殊的要求, 在通常情况下只能对固体样品进 行分析。由于涉及到样品在真空中的传递和放置,待分析的样品一般都需要经过 18.4
Page 4

一定的预处理,分述如下: 18.4.1.1 样品的大小 由于在实验过程中样品必须通过传递杆,穿过超高真空隔离阀,送进样品分 析室。因此,样品的尺寸必须符合一定的大小规范,以利于真空进样。对于块状 样品和薄膜样品,其长宽最好小于 10mm, 高度小于 5 mm。对于体积较大的样 品则必须通过适当方法制备成合适大小的样品。但在制备过程中,必须考虑处理 过程可能对表面成分和状态的影响。 18.4.1.2 粉体样品 对于粉体样品有两种常用的制样方法。 一种是用双面胶带直接把粉体固定在 样品台上,另一种是把粉体样品压成薄片,然后再固定在样品台上。前者的优点 是制样方便,样品用量少,预抽到高真空的时间较短,缺点是可能会引进胶带的 成分。后者的优点是可以在真空中对样品进行处理,如加热,表面反应等,其信 号强度也要比胶带法高得多。缺点是样品用量太大,抽到超高真空的时间太长。 在普通的实验过程中,一般采用胶带法制样。 18.4.1.3 含有有挥发性物质的样品 对于含有挥发性物质的样品,在样品进入真空系统前必须清除掉挥发性物 质。一般可以通过对样品加热或用溶剂清洗等方法。 18.4.1.4 表面有污染的样品 对于表面有油等有机物污染的样品, 在进入真空系统前必须用油溶性溶剂如 环己烷,丙酮等清洗掉样品表面的油污。最后再用乙醇清洗掉有机溶剂,为了保 证样品表面不被氧化,一般采用自然干燥。 18.4.1.5 带有微弱磁性的样品 由于光电子带有负电荷,在微弱的磁场作用下,也可以发生偏转。当样品具 有磁性时,由样品表面出射的光电子就会在磁场的作用下偏离接收角,最后不能 到达分析器,因此,得不到正确的 XPS 谱。此外,当样品的磁性很强时,还有 可能使分析器头及样品架磁化的危险,因此,绝对禁止带有磁性的样品进入分析 室。一般对于具有弱磁性的样品,可以通过退磁的方法去掉样品的微弱磁性,然 后就可以象正常样品一样分析。 18.4.2 离子束溅射技术 在 X 射线光电子能谱分析中,为了清洁被污染的固体表面,常常利用离子 枪发出的离子束对样品表面进行溅射剥离,清洁表面。然而,离子束更重要的应 用则是样品表面组分的深度分析。利用离子束可定量地剥离一定厚度的表面层,
Page 5

然后再用 XPS 分析表面成分,这样就可以获得元素成分沿深度方向的分布图。 作为深度分析的离子枪,一般采用 0.5~5 KeV 的 Ar 离子源。扫描离子束的束斑 直径一般在 1~10mm 范围,溅射速率范围为 0.1 ~50 nm/min。为了提高深度分 辩率,一般应采用间断溅射的方式。为了减少离子束的坑边效应,应增加离子束 的直径。为了降低离子束的择优溅射效应及基底效应,应提高溅射速率和降低每 次溅射的时间。在 XPS 分析中,离子束的溅射还原作用可以改变元素的存在状 态,许多氧化物可以被还原成较低价态的氧化物,如 Ti, Mo, Ta 等。在研究溅射 过的样品表面元素的化学价态时,应注意这种溅射还原效应的影响。此外,离子 束的溅射速率不仅与离子束的能量和束流密度有关,还与溅射材料的性质有关。 一般的深度分析所给出的深度值均是相对与某种标准物质的相对溅射速率。 18.4.3 样品荷电的校准 对于绝缘体样品或导电性能不好的样品,经 X 射线辐照后,其表面会产生 一定的电荷积累,主要是荷正电荷。样品表面荷电相当于给从表面出射的自由的 光电子增加了一定的额外电压, 使得测得的结合能比正常的要高。样品荷电问题 非常复杂,一般难以用某一种方法彻底消除。在实际的 XPS 分析中,一般采用 内标法进行校准。最常用的方法是用真空系统中最常见的有机污染碳的 C 1s 的 结合能为 284.6 eV,进行校准。 18.4.4 XPS 的采样深度 X 射线光电子能谱的采样深度与光电子的能量和材料的性质有关。一般定义 X 射线光电子能谱的采样深度为光电子平均自由程的 3 倍。 根据平均自由程的数 据可以大致估计各种材料的采样深度。一般对于金属样品为 0.5 ~2 nm, 对于无 机化合物为 1 ~3 nm, 而对于有机物则为 3 ~10 nm。 18.4.5 XPS 谱图分析技术 18.4.5.1 表面元素定性分析 这是一种常规分析方法, 一般利用 XPS 谱仪的宽扫描程序。 为了提高定性分 析的灵敏度,一般应加大分析器的通能(Pass energy),提高信噪比。图 18.2 是 典型的 XPS 定性分析图。通常 XPS 谱图的横坐标为结合能,纵坐标为光电子的 计数率。在分析谱图时,首先必须考虑的是消除荷电位移。对于金属和半导体样 品由于不会荷电,因此不用校准。但对于绝缘样品,则必须进行校准。因为,当 荷电较大时,会导致结合能位置有较大的偏移,导致错误判断。使用计算机自动 标峰时,同样会产生这种情况。一般来说,只要该元素存在,其所有的强峰都应 存在,否则应考虑是否为其他元素的干扰峰。激发出来的光电子依据激发轨道的 名称进行标记。 如从 C 原子的 1s 轨道激发出来的光电子用 C 1s 标记。 由于 X 射 线激发源的光子能量较高, 可以同时激发出多个原子轨道的光电子, 因此在 XPS 谱图上会出现多组谱峰。大部分元素都可以激发出多组光电子峰,可以利用这些
Page 6

峰排除能量相近峰的干扰,以利于元素的定性标定。由于相近原子序数的元素激 发出的光电子的结合能有较大的差异,因此相邻元素间的干扰作用很小。 由于光电子激发过程的复杂性,在 XPS 谱图上不仅存在各原子轨道的光电 子峰,同时还存在部分轨道的自旋裂分峰,Kα2 产生的卫星峰,携上峰以及 X 射 线激发的俄歇峰等伴峰,在定性分析时必须予以注意。现在,定性标记的工作可 由计算机进行,但经常会发生标记错误,应加以注意。对于不导电样品,由于荷 电效应,经常会使结合能发生变化,导致定性分析得出不正确的结果。

计数/ 任意单位

O 1s

Ti(CN)X/Al 薄膜

Ti 2p

N 1s

C 1s

Al 2s 300 结合能/eV 200 100

600

500

400

Al 2p 0

图 18.2 是高纯 Al 基片上沉积的 Ti(CN)x 薄膜的 XPS 谱图, 激发源为 Mg Kα。 从上图可见,在薄膜表面主要有 Ti, N, C, O 和 Al 元素存在。Ti, N 的信号较 弱,而 O 的信号很强。这结果表明形成的薄膜主要是氧化物,氧的存在会影响 Ti(CN)x 薄膜的形成。 18.4.5.2 表面元素的半定量分析 首先应当明确的是 XPS 并不是一种很好的定量分析方法。它给出的仅是一 种半定量的分析结果,即相对含量而不是绝对含量。由 XPS 提供的定量数据是 以原子百分比含量表示的,而不是我们平常所使用的重量百分比。这种比例关系 可以通过下列公式换算: c × Ai ciwt = i = n i (18.2) ∑ ci × Ai
i =1

式中 ci - 第 i 种元素的质量分数浓度; ci - 第 i 种元素的 XPS 摩尔分数; Ai - 第 i 种元素的相对原子质量。 在定量分析中必须注意的是, XPS 给出的相对含量也与谱仪的状况有关。 因
Page 7

wt

为不仅各元素的灵敏度因子是不同的, XPS 谱仪对不同能量的光电子的传输效率 也是不同的,并随谱仪受污染程度而改变。XPS 仅提供表面 3~5 nm 厚的表面 信息,其组成不能反映体相成分。样品表面的 C, O 污染以及吸附物的存在也会 大大影响其定量分析的可靠性。 18.4.5.3 表面元素的化学价态分析 表面元素化学价态分析是 XPS 的最重要的一种分析功能,也是 XPS 谱图解 析最难,比较容易发生错误的部分。在进行元素化学价态分析前,首先必须对结 合能进行正确的校准。因为结合能随化学环境的变化较小,而当荷电校准误差较 大时,很容易标错元素的化学价态。此外,有一些化合物的标准数据依据不同的 作者和仪器状态存在很大的差异,在这种情况下这些标准数据仅能作为参考,最 好是自己制备标准样,这样才能获得正确的结果。有一些化合物的元素不存在标 准数据,要判断其价态,必须用自制的标样进行对比。还有一些元素的化学位移 很小,用 XPS 的结合能不能有效地进行化学价态分析,在这种情况下,可以从 线形及伴峰结构进行分析,同样也可以获得化学价态的信息。
金属碳化物 280.8 eV

有机碳 285.0 eV
计数 / 任意单位

60 min 40 min 20 min

Surface

288

286

284 282 结合能 / eV

280

278

图 18.3 是 PZT 薄膜中碳的化学价态谱 从图上可见,在 PZT 薄膜表面,C 1s 的结合能为 285.0 eV 和 281.5eV,分 别对应于有机碳和金属碳化物。 有机碳是主要成分, 可能是由表面污染所产生的。 随着溅射深度的增加,有机碳的信号减弱,而金属碳化物的峰增强。这结果说明 在 PZT 薄膜内部的碳主要以金属碳化物存在。

Page 8

18.4.5.4 元素沿深度方向的分布分析 XPS 可以通过多种方法实现元素沿深度方向分布的分析, 这里介绍最常用的 两种方法,它们分别是 Ar 离子剥离深度分析和变角 XPS 深度分析。 (1)Ar 离子束溅射法 ) Ar 离子剥离深度分析方法是一种使用最广泛的深度剖析的方法, 是一种破坏 性分析方法,会引起样品表面晶格的损伤,择优溅射和表面原子混合等现象。其 优点是可以分析表面层较厚的体系,深度分析的速度较快。其分析原理是先把表 面一定厚度的元素溅射掉,然后再用 XPS 分析剥离后的表面元素含量,这样就 可以获得元素沿样品深度方向的分布。由于普通的 X 光枪的束斑面积较大,离 子束的束班面积也相应较大,因此,其剥离速度很慢,深度分辨率也不是很好, 其深度分析功能一般很少使用。此外,由于离子束剥离作用时间较长,样品元素 的离子束溅射还原会相当严重。为了避免离子束的溅射坑效应,离子束的面积应 比 X 光枪束斑面积大 4 倍以上。对于新一代的 XPS 谱仪,由于采用了小束斑 X 光源(微米量级),XPS 深度分析变得较为现实和常用。 (2)变角 XPS 深度分析 ) 变角 XPS 深度分析是一种非破坏性的深度分析技术, 但只能适用于表面层非 常薄(1~5nm)的体系。 其原理是利用 XPS 的采样深度与样品表面出射的光 电子的接收角的正玄关系,可以获得元素浓度与深度的关系。图 18.4 是 XPS 变 角分析的示意图。图中,α为掠射角,定义为进入分析器方向的电子与样品表面 间的夹角。取样深度(d)与掠射角(α)的关系如下:d = 3λsin(α). 当α为 90°时, XPS 的采样深度最深,减小α可以获得更多的表面层信息,当α为 5°时,可以使 表面灵敏度提高 10 倍。 在运用变角深度分析技术时, 必须注意下面因素的影响。 (1)单晶表面的点陈衍射效应;(2)表面粗糙度的影响;(2)表面层厚度应 小于 10 nm. 图 18.5 是 Si3N4 样品表面 SiO2 污染层的变角 XPS 分析。从图上可见,在掠 射角为 5°时,XPS 的采样深度较浅,主要收集的是最表面的成分。由此可见, 在 Si3N4 样品表面的硅主要以 SiO2 物种存在。在掠射角为 90°时,XPS 的采样深 度较深,主要收集的是次表面的成分。此时,Si3N4 的峰较强,是样品的主要成 分。从 XPS 变角分析的结果可以认为表面的 Si3N4 样品已被自然氧化成 SiO2 物 种。

Page 9

图 18.4 变角 XPS 示意图 18.4.5. 5 XPS 伴峰分析技术

图 18.5 Si3N4 表面 SiO2 污染层的变角 XPS 谱

在 XPS 谱中最常见的伴峰包括携上峰,X 射线激发俄歇峰(XAES)以及 XPS 价带峰。这些伴峰一般不太常用,但在不少体系中可以用来鉴定化学价态, 研究成键形式和电子结构,是 XPS 常规分析的一种重要补充。 (1) XPS 的携上峰分析 ) 在光电离后, 由于内层电子的发射引起价电子从已占有轨道向较高的未占轨 道的跃迁,这个跃迁过程就被称为携上过程。在 XPS 主峰的高结合能端出现的 能量损失峰即为携上峰。携上峰是一种比较普遍的现象,特别是对于共轭体系会 产生较多的携上峰。在有机体系中,携上峰一般由π-π*跃迁所产生,也即由价电 子从最高占有轨道(HOMO)向最低未占轨道(LUMO)的跃迁所产生。某些过 渡金属和稀土金属,由于在 3d 轨道或 4f 轨道中有未成对电子,也常常表现出很 强的携上效应。

Page 10

284.75

x 10 计数 / 任意单位 C 60

碳纳米管

284.6 x5

石墨

x5

294

292

290 288 286 结合能 / eV

284

282

图 18.6 是几种碳纳米材料的 C 1s 峰和携上峰谱图 图 18.6 是几种碳材料的 C 1s 谱。从图上可见,C 1s 的结合能在不同的碳物 种中有一定的差别。在石墨和碳纳米管材料中,其结合能均为 284.6 eV;而在 C60 材料中, 其结合能为 284.75 eV。 由于 C 1s 峰的结合能变化很小, 难以从 C 1s 峰的结合能来鉴别这些纳米碳材料。 但图上可见, 其携上峰的结构有很大的差别, 因此也可以从 C 1s 的携上伴峰的特征结构进行物种鉴别。在石墨中,由于 C 原 子以 sp2 杂化存在,并在平面方向形成共轭π键。这些共轭π键的存在可以在 C 1s 峰的高能端产生携上伴峰。这个峰是石墨的共轭π键的指纹特征峰,可以用来鉴 别石墨碳。从图上还可见,碳纳米管材料的携上峰基本和石墨的一致,这说明碳 纳米管材料具有与石墨相近的电子结构, 这与碳纳米管的研究结果是一致的。 在 碳纳米管中,碳原子主要以 sp2 杂化并形成圆柱形层状结构[3]。C60 材料的携上 峰的结构与石墨和碳纳米管材料的有很大的区别, 可分解为 5 个峰, 这些峰是由 C60 的分子结构决定的。在 C60 分子中,不仅存在共轭π键,并还存在σ键。因此, 在携上峰中还包含了σ键的信息。综上所见,我们不仅可以用 C 1s 的结合能表征 碳的存在状态,也可以用它的携上指纹峰研究其化学状态。 (2)X 射线激发俄歇电子能谱(XAES)分析 ) 射线激发俄歇电子能谱( ) 在 X 射线电离后的激发态离子是不稳定的,可以通过多种途径产生退激发。 其中一种最常见的退激发过程就是产生俄歇电子跃迁的过程,因此 X 射线激发 俄歇谱是光电子谱的必然伴峰。其原理与电子束激发的俄歇谱相同,仅是激发源 不同。与电子束激发俄歇谱相比,XAES 具有能量分辨率高,信背比高,样品破 坏性小及定量精度高等优点。同 XPS 一样,XAES 的俄歇动能也与元素所处的 化学环境有密切关系。同样可以通过俄歇化学位移来研究其化学价态。由于俄歇
Page 11

过程涉及到三电子过程,其化学位移往往比 XPS 的要大得多。这对于元素的化 学状态鉴别非常有效。对于有些元素,XPS 的化学位移非常小,不能用来研究化 学状态的变化。不仅可以用俄歇化学位移来研究元素的化学状态,其线形也可以 用来进行化学状态的鉴别。

266.8

242.2
计数 / 任意单位

268.5 267.0

A B C D
245.8 240.0

263.4 A: C60 B: 碳纳米管 C: 石墨 D: 金刚石

240

250

260

270

280

俄歇动能/ eV
图 16.7 是几种纳米碳材料的 XAES 谱 从图上可见,俄歇动能不同,其线形有较大的差别。天然金刚石的 C KLL 俄歇动能是 263.4 eV, 石墨的是 267.0 eV, 碳纳米管的是 268.5 eV, 而 C60 的则为 266.8 eV. 这些俄歇动能与碳原子在这些材料中的电子结构和杂化成键有关。天 然金刚石是以 sp3 杂化成键的,石墨则是以 sp2 杂化轨道形成离域的平面π键,碳 纳米管主要也是以 sp2 杂化轨道形成离域的圆柱形π键,而在 C60 分子中,主要以 sp2 杂化轨道形成离域的球形π键,并有σ键存在。因此,在金刚石的 C KLL 谱上 存在 240.0 和 246.0eV 的两个伴峰,这两个伴峰是金刚石 sp3 杂化轨道的特征峰。 在石墨、碳纳米管及 C60 的 C KLL 谱上仅有一个伴峰,动能为 242.2 eV, 这是 sp2 杂化轨道的特征峰。因此,可以用这伴峰结构判断碳材料中的成键情况。 (3)XPS 价带谱分析 ) XPS 价带谱反应了固体价带结构的信息,由于 XPS 价带谱与固体的能带结

Page 12

构有关,因此可以提供固体材料的电子结构信息。由于 XPS 价带谱不能直接反 映能带结构,还必须经过复杂的理论处理和计算。因此,在 XPS 价带谱的研究 中,一般采用 XPS 价带谱结构的比较进行研究,而理论分析相应较少。

计数 / 任意单位

A

B C

A: C60 B: 碳纳米管 C: 石墨 25 20 15 10 结合能 / eV 5 0

30

图 18.8 几种纳米碳材料的 XPS 价带谱 图 18.8 是几种碳材料的 XPS 价带谱。从图上可见,在石墨,碳纳米管和 C60 分子的价带谱上都有三个基本峰。这三个峰均是由共轭π键所产生的。在 C60 分子中,由于π键的共轭度较小,其三个分裂峰的强度较强。而在碳纳米管和石 墨中由于共轭度较大,特征结构不明显。从图上还可见,在 C60 分子的价带谱上 还存在其他三个分裂峰,这些是由 C60 分子中的σ键所形成的。由此可见,从价 带谱上也可以获得材料电子结构的信息。 (4)俄歇参数 ) 元素的俄歇电子动能与光电子的动能之差称为俄歇参数, 它综合考虑了俄歇 电子能谱和光电子能谱两方面的信息。 由于俄歇参数能给出较大的化学位移以 及与样品的荷电状况及谱仪的状态无关,因此,可以更为精确地用于元素化学状 态的鉴定 实验 18.5.1 SiO2 自然氧化层超薄膜的 XPS 分析 18.5.1.1 实验目的 (1) 了解和掌握 XPS 的定性分析方法以及在未知物定性鉴定上的应用; (2) 了解 XPS 的定量分析方法以及元素化学价态测定的方法。 18.5

Page 13

18.5.1.2 实验原理 利用 XPS 分析技术测得各未知元素的原子轨道的特征结合能, 从其结合能来 鉴定未知元素的种类。 利用元素浓度和 XPS 信号强度的线性关系进行定量分析。 通过测得元素的结合能和化学位移,来鉴定元素的化学价态。 18.5.1.3 实验内容 (1)样品处理和进样 将大小合适、带有自然氧化层的硅片经乙醇清洗干燥后,送入快速进 样室。开启低真空阀,用机械泵和分子泵抽真空到 10-3 Pa。然后关闭低真 空阀,开启高真空阀,使快速进样室与分析室连通,把样品送到分析室内 的样品架上,关闭高真空阀。 (2) 仪器硬件调整 通过调整样品台位置和倾角,使掠射角为 90°(正常分析位置)。待分 析室真空度达到 5×10-7 Pa 后, 选择和启动 X 枪光源, 使功率上升到 250W。 (3)仪器参数设置和数据采集 定性分析的参数设置为: 扫描的能量范围为 0-1200 eV, 步长为 1eV/步, 分析器通能为 89.0 eV, 扫描时间为 2 min。 定量分析和化学价态分析的参数设置为:扫描的能量范围依据各元素 而定, 扫描步长为 0.05 eV/步,分析器的通能为 37.25 eV, 收谱时间为 5~ 10min。 18.5.1.4 数据处理 (1) 定性分析的数据处理 用计算机采集宽谱图后,首先标注每个峰的结合能位置,然后再根据 结合能的数据在标准手册中寻找对应的元素。最后再通过对照标准谱图, 一一对应其余的峰,确定有那些元素存在。原则上当一个元素存在时,其 相应的强峰都应在谱图上出现。一般来说,不能根据一个峰的出现来定元 素的存在与否。现在新型的 XPS 能谱仪,可以通过计算机进行智能识别, 自动进行元素的鉴别。但由于结合能的非单一性和荷电效应,计算机自动 识别经常会出现一些错误的结论。 (2) 定量分析的数据处理: 收完谱图后,通过定量分析程序,设置每个元素谱峰的面积计算区域 和扣背底方式,由计算机自动计算出每个元素的相对原子百分比。也可依 据计算出的面积和元素的灵敏度因子进行手动计算浓度。最后得出单晶硅 片表面 C 元素,O 元素和 Si 元素的相对含量。 (3) 元素化学价态分析 利用上面的实验数据,在计算机系统上用光标定出 C 1s, O 1s 和 Si 2p
Page 14

的结合能。 依据 C 1s 结合能数据判断是否有荷电效应存在, 如有先校准每 个结合能数据。然后再依据这些结合能数据,鉴别这些元素的化学价态。 18.5.1.5 思考题 在 XPS 的定性分析谱图上,经常会出现一些峰,在 XPS 的标准数据中难以 找到它们的归属,是否这是仪器的问题?应如何解释? 18.5.2 单晶硅表面自然氧化层的深度分析 18.5.2.1 实验目的 了解和掌握利用 XPS 进行深度分析的两种方法,比较它们在薄膜材料深度 分析上的优缺点。 18.5. 2.2 实验原理 通过对不同掠射角表面元素的定量分析,获得元素浓度与掠射角的关系。掠 射角的角度越大,其采样深度也越深。离子剥离深度分析实验的原理是通过分析 剥离一定层厚度后的表面元素含量,获得元素深度分布的信息。 18.5.2.3 实验内容 (1)样品处理和进样(参见 18.5.1.3) (2)仪器硬件调整 待分析室真空度达到 5×10-7 Pa 后, 选择和启动 X 枪光源, 使功率上升 到 250W。 变角深度分析是通过调整样品台位置和倾角,使掠射角为 90°, 60°, 45°, 30°和 18°。而对于离子剥离深度分析则是:提高 X 光枪位置,启 动离子枪,调节 Ar 气分压使得分析室的真空度优于 3×10-5 Pa。样品与分 析器的掠射角为 90°。 (3)仪器参数设置和数据采集 变角深度分析的参数设置为: 扫描的能量范围依据各元素而定, 扫描步长为 0.10 eV/步,分析器的通 能为 37.25 eV, 收谱时间为 5~10 min。 离子剥离深度分析的参数设置为: 扫描的能量范围依据各元素而定, 扫描步长为 0.25 eV/步,分析器的通 能为 37.25 eV。 深度分析采用交替模式, 溅射时间依据离子枪的溅射速率而 定(1~10 min),循环次数依据薄膜厚度而定。 18.5.2.4 数据处理 变角深度分析的数据处理: 通过计算机计算每个角度时各元素的原子百分比浓度的变化规律。观
Page 15

察 Si 2p 谱中的单质硅和氧化硅峰强度与掠射角的变化规律。 离子剥离深度分析的数据处理: 通过深度分析程序可以获得 XPS 信号强度与溅射时间的关系。再通过 定量处理可以获得原子百分比与溅射时间的关系。而溅射时间与样品的深 度有线性关系,可以通过标定获得剥离深度。 18.5.2.5 思考题 在 XPS 的变角深度分析中,掠射角与样品深度有怎样的关系?在离子剥离 深度分析中,溅射时间与深度有何联系?深度分辨率的影响因素有那些? 18.5.3 聚乙烯薄膜的 XPS 的特殊分析 18.5.3.1 实验目的 了解 XPS 的伴峰分析方法以及在新型碳材料上的应用。 18.5.3.2 实验原理 XPS 的伴峰(携上峰,俄歇峰和价带峰)是与材料的电子结构和成键状 况直接有关。分析这些伴峰的结构和形状,可以获得一些特殊信息。 18.5.3.3 实验内容与步骤 (1)样品处理和进样(参见 18.5.1.3) (2)仪器硬件调整 待分析室真空度达到 5×10-7 Pa 后, 选择和启动 X 枪光源, 使功率上升 到 250W。 调整样品台位置和倾角,使掠射角为 90°。 (3)仪器参数设置和数据分析 C 1s 峰的携上峰: C 1s 结合能的扫描范围可以设置为 280 eV~300 eV, 扫描步长为 0.05 eV/步, 分析器通能为 17.25 eV,收谱时间通常为 10 min 左右。这样获得的谱图有较高 的能量分辨率和信噪比,有利于携上峰的分析。 XAES C KLL 谱: 由于俄歇峰的能量(结合能)与激发源的能量有关,因此在设置扫描范围时 必须注意 Al 靶与 Mg 靶的区别。且由于俄歇峰的能量分辨率较低,为了减少收 集时间可以适当增加扫描步长和通能。通常设置扫描步长为 0.1~0.2 eV/步, 通 能为 37.25 eV,收集时间为 20~30 min,这样获得的 C KLL 俄歇谱的背底很高。 XPS 价带谱:
Page 16

从 C 1s 谱上很难区别聚乙烯和聚丙烯,这是因为碳原子在这些材料中所处 的化学环境基本相同。但这两种材料的电子结构是不同的,这种变化可以从其价 带谱上进行区分。为了收集 C 元素的价带谱,必须对窄扫描的条件进行修改。 结合能的扫描范围可以设置为-5 eV~30 eV, 扫描步长为 0.05 eV/步, 通能为 17.25 eV,收谱时间通常为 40 min 左右。这样获得的谱图有较高的能量分辨率和 信噪比,有利于价带结构的分析。 18.5.3.4 数据处理 C 1s 峰的携上峰: 为了提高携上峰的能量分辨率,可以对谱峰进行去卷积处理。由于携上峰的 信号仅为主峰的 5%~10%,谱峰很弱,分析之前还应进行谱图放大处理。从携 上峰与主峰的能量差可以研究价电子的跃迁机理和结构判断。 XAES C KLL 谱: 为了理论分析的需要,还须对谱图进行扣背底处理。此外,为了与电子束激 发的俄歇谱相比较和提高信背比,还可以对谱图进行数字微分处理。 XPS 价带谱: XPS 的价带谱需要经过扣背底处理, 必须注意的是, 不同的扣背底处理方法 会对价带峰形产生很大的影响。由于,从价带结构分析材料的能带结构,须要对 价带谱进行一定的物理处理和理论计算,因此,在通常的研究中主要比较价带谱 的结构,进行唯象分析。 18.5.3.5 思考题 对于一个不导电的有机样品, 是否可以直接用结合能的数据进行化学价态的 鉴别? 应如何处理在能保证价态分析的正确性。

Page 17


相关文章:
XPS技术的原理和在表面研究中的应用
不得抄袭,否则 0 分并上报教务处 教师评语: 教师签字: 年月日 XPS 技术的原理和在表面研究中的应用摘要待测物受 X 光照射后内部电子吸收光能而脱离待测物...
XPS-AES区别
XPS(X 射线光电子能谱)的原理是用 X 射线去辐 射样品,使原子或分子的内层电子或价电子受激发射出来。被光子激发出 来的电子称为光电子。可以测量光电子的能量...
XPS数据分析基本过程
XPS数据分析基本过程_化学_自然科学_专业资料。XPS 数据分析基本过程 定性分析 ...XPS原理数据分析方法讲解... 暂无评价 156页 免费 过程分析与数据分析 22页 ...
XPS分析技术
XPS分析技术_能源/化工_工程科技_专业资料。18.1 引言 固体表面分析业已发展为...XPS原理及使用分析 29页 免费 XPS原理使用分析 29页 2下载券 喜欢...
思考题-XPS
简述其基本原理。 答:XPS 是用 X 射线激发表层原子的内层电子,产生光电子,因为内层能级 的结合能对特定的元素有特定的值,通过测定电子的结合能和谱峰强度,可 ...
X射线光电子能谱的原理及应用(XPS)
X 射线光电子能谱的原理及应用(XPS) 射线光电子能谱的原理及应用( ) (一)X 光电子能谱分析的基本原理 X 光电子能谱分析的基本原理: 一定能量的 X 光照射...
XPS数据分析方法
XPS 数据分析 纵坐标:Intensity(cps) 横坐标:binding energy(eV) 除了氢氦元素...XPS原理数据分析方法讲解... 暂无评价 156页 免费 xps能谱数据处理 15页 ...
拉曼光谱、红外光谱、XPS的原理及应用
拉曼光谱、红外光谱、 拉曼光谱、红外光谱、XPS原理及应用 一.拉曼光谱的原理及应用 拉曼光谱的原理及应用拉曼光谱由于近几年来以下几项技术的集中发展而有了更...
XPS基础知识
XPS基础知识_化学_自然科学_专业资料。XPS 基础知识 (一)X 光电子能谱分析的基本原理 基本原理:一定能量的 X 光照射到样品表面,和待测物质发 生作用,可以使待...
XPS分峰的基本过程
目前有很多数据处理软件可以进行分峰运算, 其原理都是利用高斯-洛沦兹函数, 其中 XPSpeak 为一位台湾学者编写的程序,其采用图形用户界面(GUI) ,用于 XPS 分峰处...
更多相关标签:
xps | xps原理及分析 | xps测试原理 | x射线光电子能谱仪 | xps价带谱原理 | xps的原理 | xps分析原理 | xps表征原理 |