当前位置:首页 >> 信息与通信 >>

LSI率先演示采用Toshiba19nm和Intel20nmNAND闪存技术的SSD



相关文章:
存储器大战
上的硅闪存单元的最密集工艺介于 10~19nm 这个尺寸...人的头发比采用 25nm 工艺技术制造的 nand 闪存...如今,nand 闪存芯片的写入速度约 7mb/s。ssd 和 ...
更多相关标签:
toshiba 19nm mlc nan | toshiba nand flash | 19nm mlc 寿命 | 15nm mlc 19nm mlc | lmt19nmbga128g | lmt 19nmbga | 东芝19nm mlc 寿命 | 东芝19nm mlc |