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氧化钴多孔薄膜的电化学制备及其超电容性能


维普资讯 http://www.cqvip.com 第3 4卷 第 6期  湖 南 大 学 学 报 (自 然 科 学 版 )   Vo13 No.   . 4. 6 2007年 6 月       Junl f nnUnvri ( trl c ne) o ra o  a  iesy Naua S i cs    Hu t   e J n.20 07 u  

     文 章 编 号 : 0 02 7 ( 0 7 0 — 0 40   1 0 —4 2 2 0 ) 6 0 4 —5 氧 化 钴 多 孔 薄 膜 的 电 化 学 制 备  及 其 超 电 容 性 能  陈金 华十孙  峰 , , 樊  桢 , 坤在 , 海晖, 崔 周 旷亚非  ( 南大 学 化学 化 工 学 院 , 南 长 沙 湖 湖 40 8 ) 10 2  摘  要 : 用恒 电流 沉积 方 法 , 0 2mo/   O O +1 5mo/   S 4为电镀 液 , 阴 采 以 .  lL C S 4 .  lLH2 o 在   极 大电流 密度 下 , 以氢气 泡为模 板 , 石 墨基 体 上 成 功 制 备 了 C O ? H2 多孔 薄 膜 . 在 o  y O 通过  扫描 电子 显微镜 、 环 伏安 法和 恒 电流 充放 电技 术 等 对 C O  y O 多孔 薄膜 的形 貌及 超  循 o ? H2 电容 性 能进 行表 征 和研 究 , 并对 C O ? H O 多孔 薄膜 的沉 积 机 理 进 行 了探 讨 . 果表 明 : o  y 2 结   o C O  v O 薄膜 呈纳 米/ ? H2 亚微 米级 的 多孔 结 构 , 阴极 电 流 密度 的 增加 , 膜 的孔 径 增 大 ; 随 薄   同时 , 层具 有优 异 的 充 放 电性 能 和 功 率 特性 , 电容 达 6 .   g 。并 具有 良好 的稳 定  膜 比 4 8 F? _ , 性 .   关 键词 : 化钴 ; 氧 电沉积 ; 多孔 ; 电容  超 中图分 类号 : M 3 T 5  文献标 识 码 : A  S u yo   rp rt na dC p c ieP o et so  o   H2   td   nP e aai  n   a ai v   rp ri   f O .   o t e C O P r u   l   a rc td b   e to h m ia  e h d o o sFi ms F b ia e   y Elc r c e c lM t o   CHEN i — u t UN  e g,F Jn h a 。S Fn AN  h n Z e ,CUIKu —a,Z   n z i HOU  i u ,KUANG  —e  Ha— i h Yafi ( ol e f h mi r n   h mi l n ier g Hu a   i-C a g h , n n 4 0 8 , hn ) C l g     e s ya dC e c   g e i , n nUnv h n s a Hu a   1 0 2 C ia  e oC t aE n n Ab t a t C O ? sr c : o yH2 p r u  i swe e ee t o e o ie   u c s f ly on gr p t   lc r d   t     gh c — 0  o o s fl   r   lc r d p st d

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