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课程设计--IC电阻最终版


IC 电阻设计报告
一、版图及版图说明
版图全貌: 版图尺寸:47?m×32?m) ( 版图尺寸:47?m×32?m)

L1 版为扩硼版 L2 版为扩磷版 L3 版为可调最小电阻的引线孔版 L4 版为可调中值电阻的引线孔版 L5 版为可调最大电阻的引线孔版 L6 版为可调最小电阻的反刻版 L7 版为可调中值电阻的反刻版 L8 版为可调最大电阻的反刻版 (以上各版块另需翻刻一副,总计 16 块版。采用负胶工艺,其中 L6、L7、L8 、 、 为反刻版,有颜色的部分保留) 各版块分图介绍及相关数据: 各版块分图介绍及相关数据

L1 版为扩硼版

版图尺寸:47μ 版图尺寸:47μm×32μm 32μ

L2 版为扩磷版

版图尺寸: 版图尺寸:5μm×5μm

L3 版为可调最小电阻的引线孔版 版图尺寸:39μm×16μm L6 版为可调最小电阻的反刻版 版图尺寸:41μm×18μm 版图尺寸:39μ 16μ 版图尺寸:41μ 18μ

L5 版为可调最大电阻的引线孔版 版图尺寸:45μm×17μm L8 版为可调最大电阻的反刻版 版图尺寸:47μm×19μm 版图尺寸:45μ 17μ 版图尺寸:47μ 19μ

L4 版为可调中值电阻的引线孔版 版图尺寸:39μm×30μm L7 版为可调中值电阻的反刻版版图尺寸:41μm×32μm 版图尺寸:39μ 30μ 版图尺寸:41μ 32μ

设计要求及各项参数: 二、 设计要求及各项参数:

电阻类型:P型可调节电阻 Rs=50 Ω/□ □ L =105?m

调节方式:金属选择式调节 W =5?m Xj=3?m

接触材料:铝铜合金 Rs=5 Ω/□ □

电阻计算:R=Rs×L/W + R’+ Rc × 电阻计算 L3 版的两个接触孔连接可得到最小电阻,计算如下: :
R min =50×25.5/5+5×2=265Ω × × Ω

L5 版的两个接触孔连接可得到最大电阻,计算如下: R max=50×120/5+5×2=1210Ω × × Ω L4 版的两个接触孔连接可得到中值电阻,计算如下: R mid =50×57.5/5+5×2=585Ω × × Ω

三、工艺流程图 一、热氧化 二、运用 LI 版图进行光刻扩硼孔 三、进行扩硼工艺

四、利用 L2 版图进行光刻扩磷孔 五、进行扩磷工艺

此剖面图是根据 L3 版(或 L4 版、 六、 或

L5 版)进行光刻引线孔 进行光刻引线孔

此剖面图是根据 L6 版(或 L7 七、 或 进行反刻工艺, 版、L8 版)进行反刻工艺,留下 进行反刻工艺 金属引线

四、工艺流程说明
15 -3 一、取本体浓度 C B = 5 × 10 cm 的 N 型硅进行热氧化生成 SiO2。

二、用 L1 版进行第一次光刻:打开硼扩散窗口 三、采用恒定源扩散进行预扩散,表面浓度为 5 ×1019 cm -3 。在 1000℃下进行 10 分钟的硼 扩散,得到结深 Xj=0.15μm。 四、撤去恒定扩散源,在 1200℃下进行 90 分钟的再扩散,得到结深 Xj=3μm。可得电阻

Ω/□。 = 率ρ 0.015Ω㎝ ,薄层电阻 Rs=50
五、用 L2 版光刻得磷扩散窗口。 六、采用恒定源扩散进行预扩散,表面浓度为 3 ×1019 cm -3 。在 1000℃下进行 10 分钟的磷 扩散,得到结深 Xj=0.2μm。 七、撤去恒定扩散源,在 1000℃下进行 35 分钟的再扩散,得到结深 Xj=1μm。 八、用 L3 版光刻得引线孔。 九、用 L6 版反刻得金属电极。(再分别用版图 4 和版图 7 做中值电阻接触孔,用版图 5 和版图 8 做最大电阻的接触孔)

五、附图


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