当前位置:首页 >> 信息与通信 >>

IC新锐凹凸的oz930


选取, 常见锂离子电池保护电路中 mosfet 选取,常见保护 IC 型号
作者:馒头帮 Pmos 和 Nmos 在锂离子电池保护电路中都有着广泛的应用。通常 Pmos 放到正端,Nmos 放到负端。在正端,Pmos 正常时候,G 极低电平,保护时候 高电平; 而在负端, Nmos 正常时候 G 极高电平, 保护时候低电平。 而最近某公司新出 1 芯片, Nmos 放到

了正端, 将 很有创意吧: 通常 Nmos 会比 Pmos 成本低,导通阻值会偏小(Nmos 导电沟道依靠电子) ,当然目前也有一些 Pmos 的导通阻值做到很小,比如 TPC8107,做到了 5.5 个 mohm 左右。采 用什么样的 MOS,就需要有什么样的芯片来驱动。 在 1-2 串的锂离子电池保护电路中几乎都用到了 Nmos, cell 的比如手机电池内用一个复合 Nmos, 单 而常用的保护芯片有 S8241,S8261,R5426, MM3077 等(都是日货,其实台湾和大陆也有单 cell 的保护芯片) 。 2 串锂离子电池的比如一些 DV 电池同样用到了 Nmos,而 2 串锂离子电池常用保护芯片用 S8232,MM1412(哎,又是日货)等。 3-4 串主要用笔记本电池,此前所见到的都是在正端用 Pmos,那为什么 Nmos 相对廉价却不采用呢?通常 Nmos 一般放到负端,这样便于芯片驱动,但 是因为笔记本电池需要通讯,包括 SMBUS 和 HDQ 都需要用到地线,因此,当电池保护的时候,负端中断,通讯无法进行。当然,我们可以为了保证通 讯而将通讯所用到的地线独立出来,直接可以连接到 B-,而主机端通讯的结构为开漏极,这样在充电的时候,当 MOSFET 关闭的时候,会有漏电流从 下图的 D1 D2 流过。

当然我们也有解决此问题的方法,但是会带来不稳定,具体方法,请参看下图。

因此在 3-4 串的笔记本电池中,通常是用到 Pmos,当保护的时候,驱动会在 B+ 和 P+处拉电。但是最近某公司新出的一个笔记本电池解决方案中,在 正端是采用 Nmos。我们知道 Nmos,高电平导通,因此驱动就需要做到比 B+ 和 P+ 还要高,芯片内部的驱动必须用到 charge pumps。 下面罗列一些常用到的 3-4 串的笔记本电池管理/保护芯片。MM1414,S8254,bq2040,2060,208x 家族,20zx0 家族。Maxim 有 1780 1781 据说最近推

出了 1785,Atmel 也出 1 款 ATmega406,Microchip PS401 PS501,瑞萨 M37517 家族,微电通导 GC1318+x3100,还有 IC 新锐凹凸的 oz930 等等。 在 5 串以上的多串锂离子电池保护电路方面,因为目前的应用中只是输出 1 正 1 负,还很少见到有通讯电路的,所以相对来讲,大部分都采用了 Nmos。 而且鉴于动力锂离子电池在应用中电流较大,一般都采用了充放电路相对分开,尽量减少在放电过程中回路阻抗。当然,在一些高端的应用中,采用了 通讯的功能,在解决共地的问题上,采用了光偶隔离的方法,将发出指令与接受指令分开,采用 4 线结构。


相关文章:
常见锂离子电池保护电路的mosfet选取
1781 据说最近推出了 1785, Atmel 也出 1 款 ATmega406,Microchip PS401 PS501,瑞萨 M37517 家族,微电通道 GC1318+x3100,还有 IC 新锐凹凸的 oz930 等等。...
更多相关标签:
一位新锐设计师受梵高 | 全椒新锐实验中学地址 | 新锐出口战舰交付 | 新锐nb88.com | 新锐英语 | 青岛新锐化学有限公司 | 华商新锐 | 新锐会员 |