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2sc9013型晶体管中文资料


2sc9013 型晶体管(NPN) 型晶体管( )
——张萌译

1:发射极 2:基极 3:集电极 发射极 : : 允许放大输出为 1W 无线类 B 推挽式 总功耗高(pt=625mW) 集电极电流高(Ic=500mA) 与 ss9012 互补 卓越的 hFE 线性特性

最大绝对值( 最大绝对值(Ta=25℃) ℃ :

/>特征名称 集电极基极电压 集电极发射极电压 发射极基极电压 集电极电流 集电极耗散 结温 储存温度 符号 VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg 40 20 5 500 625 150 -55-150 值 单位 V V V mA mA ℃ ℃

电气特性(Ta=25℃) 特性( ℃ :
特性名称 符号 测试条件 集电极-基极击穿电压 集电极-发射极击穿电压 发射极-基极击穿电压 集电极截止电流 发射极截止电流 直流电流增益 集电极-发射极饱和电压 基极-发射极饱和电压 基极-发射极导通压降 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO ICEO HFE1 HFE2 VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) Ic=100uA,IE=0 Ic=1mA,IB=0 IE=100uA,IC=0 VCB=25V,IE=0 VEB=3V,IC=0 VCE=1V,IC=50mA VCE=1V,IC=500mA IC=500mA,IB=50mA IC=500Ma,IB=50mA VCE=1V,IC=10mA 最 小 值 40 20 5 典 型 值 最 大 值 单位 V V V nA nA

64 40

0.6

120 120 0.16 0.91 0.67

100 100 202 0.6 1.2 0.7

V V V

hFE (1)分类 分类
类别 hFE(1) D 64-91 E 78-112 F 96-135 G 112-166 H 144-202

静态特性图
Ic(mA) ( )

VCE(V)

直流电流增益图
hFE

IC(mA)

基极-发射极,集电极 发射极饱和压降图 基极 发射极,集电极-发射极饱和压降图 发射极
VBE,VCE(SAT)(mV)

IC(mA)

直流增益带宽
直流增益带宽( 直流增益带宽(MHz) )

IC(mA)


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