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切割流程


切割流程 切割流程

黃延芳 2010-02-26

Contents

1. 外观介绍 2. 参数设置 3. 切割实战 4. 注意事项

外观介绍

切割机
红灯:警报,一般为发生异常 黄灯:待机 黄灯闪烁:切割暂停 绿灯:切割中 切割水流量计 真空表 软盘驱动器

防水盖 电源供应器 气枪 信号塔 监视器 钥匙开关 维护用开关 光源亮度调节 EMO开关 显微镜 工作盘 水枪 操作面板

操作面板介绍
功能键,根据提示操作 紧停键

删除数据 保存数据 完成数据输入 数据输入区

退出当前程序, 返回上一级目录 解除异常警报 开始或暂停切割 移动游标,改 变输入位置

基本功能区

字母和功能 键切换键 基本操作区

选中INDEX,每次X和Y移动一 晶粒距离,每次 Θ转90°;选 中SLOW,移动速度较慢;两个 都不选,则为快速模式。

监视器主目录
1.0为F1的下级目录 ,以此类推 INDEX:每次移动 一晶粒大小的距离 SLOW:慢速移动 空白:快速移动 F4下设置的切割参数

F1: F1:调水平后可直接切割 F2:一般用于参数设置偏小后的补切, F2:一般用于参数设置偏小后的补切,或磨刀 F3:软盘驱动器的参数, F3:软盘驱动器的参数,无插入故不显示 F4: F4:设置切割参数 F5: F5:刀片参数设置及测高等 F6、F7和F8:机台维护,为设备专用, F6、F7和F8:机台维护,为设备专用,不可随意变更参数

动作分解

X轴控制工作盘左右运动 轴控制显微镜和主轴前后运动, Y轴控制显微镜和主轴前后运动,两者的运动是同步的 Z轴控制主轴的上下移动 Θ轴控制工作盘旋转 因精确度的要求, 轴和Θ轴有专门的电路版控制器控制, 因精确度的要求,Y轴和Θ轴有专门的电路版控制器控制,电路版通用

参数设置

切割参数

单位可在mm和inch切换

方便记忆该型号的功能,选中 SHIFT键可输入字母和数字 每次切割都需根据晶片 大小来设置,由切割形 状决定切割尺寸设置

按功能键F4 进入目录4.0 选择002,按 ENTER进入4.2 根据晶粒 规格设定 切割方式AS和BS专用 在多个选择中切换 设置刀痕暂停检查机制

切割刀切割高度设定

切割高度设定

切割宽度 刀片

切割长度 切割方式A

晶片 胶膜 工作盘 测高零点 晶片厚度,即切割片厚度 胶膜厚度,即透切厚度 提刀返回高度= 晶片厚度+机台默认 安全距离1mm

刀片高度,当刀片高度等于胶膜厚度时,即切穿;大于胶膜厚度,即半切

切割形状与切割方式
切割刀痕

切割形状ROUND:长度 不等,整体为圆形 切割方式B,不使用 切割刀痕 主轴的旋转轮回转数设定与刀片的直径有关, 主轴的旋转轮回转数设定与刀片的直径有关,会影响刀 片寿命及切割效果(如正背崩)。 片寿命及切割效果(如正背崩)。 进刀速度与刀片类型有关,设置值为最小切割刀速, 进刀速度与刀片类型有关,设置值为最小切割刀速,在 使用过程中, SOP可逐渐提高进刀速 可逐渐提高进刀速。 使用过程中,依SOP可逐渐提高进刀速。 切割形状SQUARE:每切 一刀长度一样 其他参数不需设置。 其他参数不需设置。

刀痕参数
在目录4.2按F7即可进入目录4.7 ,按退出键或F2可返回目录4.2

首次检查:即第5刀就会 自动暂停 下次检查:即105,205 ,305刀等会自动暂停 CH4

CH3

CH1

CH2

箭头方向代表切割刀的运动方向

硬件参数

压缩空气:0.5(要求0.4~0.6) 压缩空气:0.5(要求0.4~0.6) 0.4~0.6

水流量计: 水流量计:0.8~1.0

PCW水温读值22~24 PCW水温读值22~24 ℃ 水温读值 要求厂务端为23 要求厂务端为23 ±0.5 ℃

PCW水压 水压

A线1.4kgf/cm2

B线 B线2.4kgf/cm2

PCW水压原则: PCW水压原则: 水压原则 个机台, 11个机台 理论上每个机台水压约0.2Kgf/cm2 个机台, 0.2Kgf/cm2。 A线6个机台,B线11个机台,理论上每个机台水压约0.2Kgf/cm2。

切割添加液

切割添加液开关

切割添加液PUMP设置 切割添加液PUMP设置 PUMP SPEED:28,STROKE:40) (SPEED:28,STROKE:40)

切割实战

一 设置尺寸
对齐点

量测晶片尺寸98mm*54mm 目测或在显微镜下确认晶粒方向, 目测或在显微镜下确认晶粒方向,使晶粒 方向与量测刻度方向平行, 方向与量测刻度方向平行,量测的晶片尺 寸为(最大的单边刻度值*2), 寸为(最大的单边刻度值*2),并写在蓝膜 上。 根据Run Card上的光罩尺寸 上的光罩尺寸, 根据Run Card上的光罩尺寸,在主目录输 入相应的参数号, F1全自动切割 全自动切割, 入相应的参数号,按F1全自动切割,按两 VAC显微镜自动移到后方 显微镜自动移到后方, 次VAC显微镜自动移到后方,放置晶片于 工作盘,按功能键VAC执行吸真空,按功 工作盘,按功能键VAC执行吸真空, VAC执行吸真空 能键P 设备参数, 能键P 设备参数,修改切割形状和切割尺 ENTER保存参数 保存参数, EXIT退出 寸,按ENTER保存参数,按EXIT退出

放置晶片于工作盘

设定切割形状

设定切割尺寸

说明: 说明:框架放置

框架放置偏向一边,NG

框架放置两边对称,OK

放置时,晶片在工作盘上的两边要对称放置, 放置时,晶片在工作盘上的两边要对称放置,以防止机台下刀直接切在晶片上而 坏刀,或部分未切到。 坏刀,或部分未切到。

二 水平调整

虚线也称Hair Line,用于基 准线、切割线调整,也可量 测上下两条虚线的宽度。 将上下两边的虚 线与晶粒对齐

仅使用左目镜

晶片水平 粗调水平

将目镜对齐晶片的左边 1 按X键将目镜放置在晶片的左边 2 按θ键粗调至大致水平 对齐Hair Line于切割道 3 对齐Hair Line于切割道 θ角调节 角调节, 4 按F5 θ角调节,注意黑条纹相对虚线的 移动方向, 移动方向,如图为向上

按F5,观察黑条纹移动方向

二 水平调整

目镜跑到晶片的右边 目镜自动移至晶片的右边, 5 目镜自动移至晶片的右边,监视器下边显 选取特定目标作θ角度调整,然后按F5 示“选取特定目标作θ角度调整,然后按F5 键” ,按Y键对齐最近的切割道 向黑条纹方向(上例中为向上) 6 向黑条纹方向(上例中为向上)定格跳一 F5返回晶片的右边 格,按F5返回晶片的右边 重复步骤3~6,直至按F5 重复步骤3~6,直至按F5 时不出现黑条纹的 3~6 上下移动, INDEX跳10格 上下移动,按INDEX跳10格,确认晶粒尺寸无 ENTER完成CH1的水平调整 完成CH1的水平调整, 误,按ENTER完成CH1的水平调整,同理进行 CH2水平调整 水平调整。 CH2水平调整。

目镜跑到晶片的右边

调节对齐最近的切割道

F5 θ角调节原理 角调节原理

在晶片的左边,对齐基准线于切割道,如图A 在晶片的左边,对齐基准线于切割道,如图A点。 按F5θ角调节,可以看到黑色条纹向下移动(可细数下跑多少黑条纹),镜 F5θ角调节,可以看到黑色条纹向下移动(可细数下跑多少黑条纹),镜 角调节 ), 头跑到晶片右边,如图B 这时对齐基准线于另一切割道, 头跑到晶片右边,如图B点,这时对齐基准线于另一切割道,并将镜头向下移 INDEX,移动格数和细数时相同),即处于如图C ),即处于如图 动(按INDEX,移动格数和细数时相同),即处于如图C点(原切割道的延长 线上), F5θ角调节即 镜头按图3 F5的路径 返回A ),按 角调节即( 的路径) 线上),按F5θ角调节即(镜头按图3 F5的路径)返回A点。 第二次按F5时 机台的工作盘会逆时针转过∠CAB的角度, AC与基准线平行, 第二次按F5时,机台的工作盘会逆时针转过∠CAB的角度,即AC与基准线平行, F5 的角度 与基准线平行 达到精调θ角的目的。 达到精调θ角的目的。 对于新人, 键移动时,可一次朝黑纹移动方向移一格,然后F5返回, 对于新人,按Y键移动时,可一次朝黑纹移动方向移一格,然后F5返回,等熟 F5返回 练后,可通过细数条纹数而进行快速调整。 练后,可通过细数条纹数而进行快速调整。

三 开始切割
完成CH2水平调整后,按 ENTER,出现此切割界面

参数号

输入数字或按Z键进 行刀片高度补偿, 按F2确认变更

F2、F7为确认变更按键 F3可查看刀片状况

机台提示部分,若有相应 变更,均会在此提示。现 若按START/STOP键,则可 开始切割

输入数字,按F7确 认进行刀速变更

四 切割暂停界面
切割中按START/STOP键 ,暂停切割 当前刀片高度,可通过 高度补偿调整刀片高度 黑色部分为切割 刀切出的刀痕 当前进刀速度, 可通过变更进刀 速度变更刀速 刀片刀数和刀距, 也可按F3进入查看

当前切割面为CH2,当前已 切割的刀数为28,当前切 割面总的需切割641刀

调整需知: 调整需知: 当进行刀高、刀速、基准线及切割线调整后, 当进行刀高、刀速、基准线及切割线调整后, 在监视器左下方应有相应的提示才说明已完 成调整,若否, 成调整,若否,再次按相应键进行确认

先用Y键调整Hair Line至相应位置, 按F1调整基准线或或F5调整切割线

四 切割暂停检查
作业过程中,可按START/STOP键暂停切割,以检查切割情况。 作业过程中,可按START/STOP键暂停切割,以检查切割情况。 START/STOP键暂停切割 当满足刀痕参数设置时,机台会自动暂停切割。 当满足刀痕参数设置时,机台会自动暂停切割。 若进行基准线或切割线修正,需切一刀再次暂停检查。 若进行基准线或切割线修正,需切一刀再次暂停检查。 切割暂停时,需用气枪吹干晶片表面。 切割暂停时,需用气枪吹干晶片表面。 检查事项: 检查事项: 1,基准线和切割线是否异常 移动晶片从左到右,确认晶粒有无正崩、切飞、 2,移动晶片从左到右,确认晶粒有无正崩、切飞、切偏 刀痕是否毛边, 3,刀痕是否毛边,是否可提升刀速或降低刀速 检查晶片两边蓝膜上的刀痕, 4,检查晶片两边蓝膜上的刀痕,确认刀片高度是否异常 5,其他异常

吹干晶片表面

基准线和切割线调整 基准线和切割线调整
Line中间线不在刀痕中间 中间线不在刀痕中间; Hair Line中间线不在刀痕中间; Line两边线与电极相切 两边线与电极相切。 Hair Line两边线与电极相切。 基准线偏移。 基准线偏移。

Line中间线在刀痕中间 中间线在刀痕中间; Hair Line中间线在刀痕中间; Line两边线不与电极相切 两边线不与电极相切。 Hair Line两边线不与电极相切。 切割线偏移。 切割线偏移。

Line中间线不在刀痕中间 中间线不在刀痕中间; Hair Line中间线不在刀痕中间; Line两边线不与电极相切 两边线不与电极相切。 Hair Line两边线不与电极相切。 基准线和切割线偏移。 基准线和切割线偏移。 调整方法: 调整方法: Line中间的线对齐所切的刀痕中间 然后按F1 基准线调整; 中间的线对齐所切的刀痕中间, 把Hair Line中间的线对齐所切的刀痕中间,然后按F1 基准线调整;再把 Line两边的线与 切割的两排晶粒电极相切,然后按F5 切割位置修正。 两边的线与已 Hair Line两边的线与已切割的两排晶粒电极相切,然后按F5 切割位置修正。 基准线和切割线调整顺序不能改变。 基准线和切割线调整顺序不能改变。

切割线

按Y键,显微镜和 主轴是同进退的

显微镜当前所看到的地方即为切割道的位置。 显微镜当前所看到的地方即为切割道的位置。 按Y键时,显微镜和主轴的移动是同步的。在切割暂停时,可以通过按F5键改 键时,显微镜和主轴的移动是同步的。在切割暂停时,可以通过按F5键改 F5 变切割道的位置,而基准线相对切割道的位置则不变。 变切割道的位置,而基准线相对切割道的位置则不变。

切割线进阶
切割线调整方法: 键确定切割位置,再按F5即可完成切割线调整。 切割线调整方法:按Y键确定切割位置,再按F5即可完成切割线调整。 F5即可完成切割线调整 当晶片设定值比晶片实际值大时,常会出现空切, 1 当晶片设定值比晶片实际值大时,常会出现空切, 这时,可按Y键至所想要的位置, F5即可改变切 这时,可按Y键至所想要的位置,按F5即可改变切 割位置。 割位置。 2 当切割位置超过实际设定值时,机台会(切第一 当切割位置超过实际设定值时,机台会( 面时)自动换到另一个方向切割或(切第二面时) 面时)自动换到另一个方向切割或(切第二面时) 结束切割,这时当知道第一面切割完时, 结束切割,这时当知道第一面切割完时,可以将显 微镜移到最后面(超过设定值即可), F5, ),按 微镜移到最后面(超过设定值即可),按F5,这时 可直接转到第二面来切割,以节约切割时间。 可直接转到第二面来切割,以节约切割时间。

现已空切,实际应切的终点

按Y键移到晶片位置,按F5 调整改变切割位置

转到第二面切割,又是空切

按Y键移到后面,按F5调整

基准线
刀片实际的基准线

机台所感知的刀片位置, 即Hair Line中间线位置

Hair Line中间线与 实际刀痕中心不重 合,即基准线偏移

主轴随环境的热胀冷缩会导致机台所感知的刀片位置的变化,因此, 主轴随环境的热胀冷缩会导致机台所感知的刀片位置的变化,因此,需及时进行 基准线调整,以防止切偏。 基准线调整,以防止切偏。 然后按F1键改变基准线的位置,当开始切割时, F1键改变基准线的位置 按Y键,然后按F1键改变基准线的位置,当开始切割时,机台会根据初始基准线和 最终基线位置使显微镜和主轴相对移动来达到Hair Line与实际基准线对齐 与实际基准线对齐。 最终基线位置使显微镜和主轴相对移动来达到Hair Line与实际基准线对齐。

基准线进阶
无论基准线如何偏移,都可用终态方式来思考: 无论基准线如何偏移,都可用终态方式来思考: 粗调(基本上不会出现这种情况):若看到显微镜与主轴的刀片明显偏移, ):若看到显微镜与主轴的刀片明显偏移 1,粗调(基本上不会出现这种情况):若看到显微镜与主轴的刀片明显偏移, 则将显微镜移往刀片方向, F1基准线调整 机台有设定最大基准线调整量, 基准线调整( 则将显微镜移往刀片方向,按F1基准线调整(机台有设定最大基准线调整量, 当超过最大值时,就无法直接调整,可先小步进移动,按F1调整后再小步进 当超过最大值时,就无法直接调整,可先小步进移动, F1调整后再小步进 移动,如此反复)。 移动,如此反复)。 2,细调:按开始先切一刀,在显微镜目镜下确认刚才所切刀痕位置,按Y键 细调:按开始先切一刀,在显微镜目镜下确认刚才所切刀痕位置, 调整基准线往该方向移动, F1基准线调整 最后在监视器上对齐刀痕中心, 基准线调整, 调整基准线往该方向移动,按F1基准线调整,最后在监视器上对齐刀痕中心, F1完成最终调整 完成最终调整。 按F1完成最终调整。 细调部分比较常会用到, 细调部分比较常会用到,一般是初学者没有掌握基准线和切割线而造成基准 线严重偏移,正常作业中,很少出现。 线严重偏移,正常作业中,很少出现。 切割机主轴对PCW水温的变化很敏感(3.2μm/℃),因此, 切割机主轴对PCW水温的变化很敏感(3.2μm/℃),因此,要求厂务端控制 PCW水温的变化很敏感 ),因此 PCW水温变化在 水温变化在± ℃内 PCW水温变化在±0.5 ℃内。 PCW温差变化大 则热胀冷缩会造成主轴和显微镜的偏移而导致切偏, 温差变化大, 若PCW温差变化大,则热胀冷缩会造成主轴和显微镜的偏移而导致切偏,一般 表现为基准线不易控制。 表现为基准线不易控制。

刀片高度补偿原理
刀片 刀片被磨损 刀片向下补偿

晶片 胶膜 工作盘 刚好切穿 晶片未切穿 刚好切穿

晶片 胶膜 工作盘

前视角的未切穿效果

当刀片被磨损时,通过调整刀片的主轴中心,可以达到防止双胞的目的。 当刀片被磨损时,通过调整刀片的主轴中心,可以达到防止双胞的目的。

刀片高度补偿
晶片 胶膜

无刀痕:刀高偏高

连续刀痕:刀高偏低

断续刀痕:刀高刚好 当刀高偏高或低时,可通过刀片高度补偿进行调整;作业中, 当刀高偏高或低时,可通过刀片高度补偿进行调整;作业中, 要求为一边断续刀痕和另一边无, 要求为一边断续刀痕和另一边无,或在两边刚好断续刀痕是 向上补偿0.001mm 0.001mm。 向上补偿0.001mm。 补偿方法: 补偿方法:按Z键(在慢速或快速时,定格时不可用)或直接 在慢速或快速时,定格时不可用) 输入数据, F2确认进行高度补偿 输入数据,按F2确认进行高度补偿

刀片切割原理
刀口

刀尖

锯子的原理: 锯子的原理:通过刀尖来撞碎被切 割物, 割物,并通过刀口及时把切割碎屑 带走。 带走。 原此, 原此,刀尖状况和刀槽的大小决定 刀的切割效果。 刀的切割效果。 钻刀切割刀的原理与锯子相同,通 钻刀切割刀的原理与锯子相同, 过钻石颗粒撞碎晶片, 过钻石颗粒撞碎晶片,再通过刀口 及时把碎屑带走。 及时把碎屑带走。 因此, 因此,切割效果很大程度上决定于 钻石刀片表面裸露的钻石数量、 钻石刀片表面裸露的钻石数量、钻 石大小和刀口状况。 石大小和刀口状况。 磨刀的目的在于使钻石颗粒较快裸 露出来和制造较好的刀口。 露出来和制造较好的刀口。 切割速度过快则会造成切割中刀片 无法及时将碎屑带走, 无法及时将碎屑带走,增加刀片阻 严重时即坏刀。 力,严重时即坏刀。

钻石颗粒

钻石刀口

提升进刀速度

新刀,有毛边,不能提速 输入数字,按F7 确认变更刀速

刀痕OK,但不满足SOP要求,不能提速

提升刀速必要条件: 提升刀速必要条件: 1,无正崩 2,无毛边 满足SOP切割刀数规定(为防止坏刀) SOP切割刀数规定 3,满足SOP切割刀数规定(为防止坏刀)
刀数 <2000 <4000 <6000 >6000 刀速(mm/sec) ZH05-SD-5000-N1-90 AA ≦12 ≦17 ≦22 ≦25

新刀,刀痕OK,可提到8或10mm/s

降低进刀速度

严重毛边,需降刀速

毛边加正崩,需降刀速

降低进刀速的充分条件: 降低进刀速的充分条件: 1,正崩 2,毛边 最低刀速可降至5.08mm/s, 最低刀速可降至5.08mm/s, 5.08mm/s 若还正崩或毛边, 若还正崩或毛边,应检查刀 片状况, 片状况,刀片无异常则进行 磨刀,刀片异常则换刀。 磨刀,刀片异常则换刀。

正崩,需降刀速

五 切割结束

检查是否切完

冲洗晶片

1,按X键和Y键在机台显微镜下检查晶片的 键和Y 四个角落是否都已切穿, 四个角落是否都已切穿,若否且面积大于 0.2inch^2,则采用半自边切割进行补切。 0.2inch^2,则采用半自边切割进行补切。 2,用水枪由右向左由前向后冲清晶片 20~30S。 20~30S。 3,用气枪由右向左由前向后吹干晶片 20~30S。 20~30S。
吹干晶片

吹干晶片机台

吹干蓝膜

吹干机台上的水迹

1,确认吹干晶片正面后,按VAC键,破真空,从机台取下晶片,并将 确认吹干晶片正面后, VAC键 破真空,从机台取下晶片, 晶片和蓝膜上的水吹干。 晶片和蓝膜上的水吹干。 2,用气枪将工作盘吹干,并将机台上的水吹干。 用气枪将工作盘吹干,并将机台上的水吹干。

注意事项
每班作业前打开切割添加液开关,作业结束后需关闭。 每班作业前打开切割添加液开关,作业结束后需关闭。每班需留意切割添加 液的剩余量,若量少则进行配置。 液的剩余量,若量少则进行配置。 作业前须清洁工作盘,防止因蓝膜细丝或晶粒残留导致晶片暗裂和坏刀。 作业前须清洁工作盘,防止因蓝膜细丝或晶粒残留导致晶片暗裂和坏刀。 若晶片尺寸参数设置偏小: 若晶片尺寸参数设置偏小: 晶片单边或两边有未切割到之状况,造成良率失损失。 晶片单边或两边有未切割到之状况,造成良率失损失。 当左边有未切割到之情况,切割刀直接下刀至晶片上易造成坏刀。 当左边有未切割到之情况,切割刀直接下刀至晶片上易造成坏刀。 作业中若坏刀,且已切割刀数较少, 作业中若坏刀,且已切割刀数较少,则更换机台用半自动对晶片进行补切作 若无法调齐水平,严重者可经组长或工程确认后, 业,若无法调齐水平,严重者可经组长或工程确认后,将晶片分成两部分并 重新贴膜分别进行补切作业,应注意刀高的设定( 重新贴膜分别进行补切作业,应注意刀高的设定(两层蓝膜刀高为 0.152mm),若仅小部分无法调齐水平,则以确保大多数为原则进行补切。 ),若仅小部分无法调齐水平 0.152mm),若仅小部分无法调齐水平,则以确保大多数为原则进行补切。 作业中若坏刀,且已切割超过105刀 直接更换已寿命到刀片, 作业中若坏刀,且已切割超过105刀,直接更换已寿命到刀片,测高后直接 105 切割,该片产品切割完成后,再更换新刀,以减少因晶片取出损失良率。 切割,该片产品切割完成后,再更换新刀,以减少因晶片取出损失良率。 切割中若因厂务异常如压缩空气不足/断电等造成机台停止作业,则应立即 切割中若因厂务异常如压缩空气不足/断电等造成机台停止作业, 清洗和吹干晶片,以免造成水痕污染。 清洗和吹干晶片,以免造成水痕污染。

异常复机
RO水流量异常 压缩空气不足/断电等情况,需按要求进行复机。 水流量异常/ 遇RO水流量异常/压缩空气不足/断电等情况,需按要求进行复机。 1,暂停所有机台,清洗吹干晶片,并关闭主轴;立即通知厂务,确 暂停所有机台,清洗吹干晶片,并关闭主轴;立即通知厂务, 认恢复时间;关闭切割添加液;在机台异常记录表记录异常开始时 认恢复时间;关闭切割添加液; 间;确认刀片和产品异常数量。 确认刀片和产品异常数量。 2,经厂务确认可作业后,确认PCW水温水压、机台压缩空气正常; 经厂务确认可作业后,确认PCW水温水压、机台压缩空气正常; PCW水温水压 开启切割添加液;开启主轴暖机和RO水空流15min RO水空流15min, 开启切割添加液;开启主轴暖机和RO水空流15min,此时可完成所有 机台之水平调整。 机台之水平调整。 3,A线和B线先作业一个机台,5min内无异常,可增加机台进行作业。 线和B线先作业一个机台,5min内无异常,可增加机台进行作业。 内无异常

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