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AO3415(MOS场效应管原厂推荐)


AO 3415 SOT-23 場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)

P-Channel Enhancement-Mode MOS FETs P 沟道增强型 MOS 场效应管
■MAXIMUM

RATINGS 最大額定值 Symbol 符號 BVDSS VGS ID IDM Max 最

大值 -20 +8 -4 -17 2500 PD TJ Tstg 1000 150 -55to+150 Unit 單位 V V A A V mW ℃ ℃

Characteristic 特性參數 Drain-Source Voltage 漏極-源極電壓 Gate- Source Voltage 栅極-源極電壓 Drain Current (continuous) 漏極電流-連續 Drain Current (pulsed) 漏極電流-脉冲 ESD(HBM) 靜電釋放(人體模型) Total Device Dissipation 總耗散功率 TA=25℃環境溫度爲 25℃ Junction 結溫 Storage Temperature 儲存溫度

AO 3415
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS

電特性 Symbol 符號 BVDSS VGS(th) VSD IDSS IGSS RDS(ON) RDS(ON) RDS(ON) CISS COSS t(on) t(off) Min 最小值 -20 -0.3 — — — — — — — — — — Typ 典型值 — — — — — 35 45 56 1450 205 9.5 94 Max 最大值 — -1 -1.5 -1 -10 +10 43 54 73 — — — — Unit 單位 V V V
uA

(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)

Characteristic 特性參數 Drain-Source Breakdown Voltage 漏極-源極擊穿電壓(ID = -250uA,VGS=0V) Gate Threshold Voltage 栅極開启電壓(ID = -250uA,VGS= VDS) Diode Forward Voltage Drop 内附二極管正向壓降(IS= -0.75A,VGS=0V) Zero Gate Voltage Drain Current 零栅壓漏極電流(VGS=0V, VDS= -16V) (VGS=0V, VDS= -16V, TA=55℃) Gate Body Leakage 栅極漏電流(VGS=+8V, VDS=0V) Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -4A,VGS= -4.5V) Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -3A,VGS= -2.5V) Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(ID= -2A,VGS= -1.8V) Input Capacitance 輸入電容 (VGS=0V, VDS= -10V,f=1MHz) Output Capacitance 輸出電容 (VGS=0V, VDS= -10V,f=1MHz) Turn-ON Time 开启時間 (VDS= -10V, ID= -2.8A, RGEN=6Ω) Turn-OFF Time 关断時間 (VDS= -10V, ID= -2.8A, RGEN=6Ω) Pulse Width<300μs; Duty Cycle<2.0%

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