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3 STM32F10x简介


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3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

STM32F10x简介 STM32F10x简介
3.6 片上外设 GPIO结构 3.7 GPIO结构 3.8 引脚 3.9 开发工具 STM32系列的优点 3.10 STM32系列的优点

STM32系列微控制器 STM32系列微控制器 STM32F10x内部结构 STM32

F10x内部结构 时钟结构 存储结构 启动模式

3.1 STM32系列微控制器 STM32系列微控制器

3.1 STM32系列微控制器 STM32系列微控制器
ST意法半导体公司产品 ST意法半导体公司产品 Cortex-M3内核 32位微控制器 ARM Cortex-M3内核 32位微控制器 高性能、低成本、低功耗、 高性能、低成本、低功耗、嵌入式应用
STM32F100: STM32F100:超值型 STM32F101:基本型(标准型) STM32F101:基本型(标准型)
入门产品;工作在36MHz;16位MCU的价格,32位的性能 36MHz; 入门产品;工作在36MHz 16位MCU的价格,32位的性能 的价格

STM32F102:USB基本型 STM32F102:USB基本型 STM32F103: STM32F103:增强型
同类产品性能最高;时钟72MHz 16K-512K闪存 72MHz; 同类产品性能最高;时钟72MHz;16K-512K闪存 带有更多片内SRAM 带有更多片内SRAM 和 更丰富的外设

STM32F105或107: STM32F105或107:互联型 STM32L: STM32L:超低功耗型

STM32F103xx中小容量型各系列外设资源 STM32F103xx中小容量型各系列外设资源
外设 闪存/K 闪存/K RAM/K 定时 器 通用 高级 SPI I2 C 通 信 USART USB CAN 通用I/O 通用I/O 12位同步ADC 12位同步 位同步ADC CPU频率 CPU频率 工作电压 工作温度 封装 VFQFPN36 1 1 2 1 1 26 2 x 10 72MHz 2.0V ~ 3.6V -40℃~+85℃ / -40℃~+105℃ 40℃ +85℃ 40℃ +105℃ LQFP48 LQFP64 LQFP/BGA100 2 2 3 1 1 1 1 2 1 1 2 2 3 1 1 32 2 2 3 1 1 F103Tx 32 10 2 64 20 3 STM32F103Cx 32 10 2 64 20 3 1 1 1 2 1 1 51 2 x 16 2 2 3 1 1 2 2 3 1 1 80 128 32 10 2 F103Rx 64 20 3 128 F103Vx 64 20 3 128

3.1 STM32系列微控制器 STM32系列微控制器

STM32 F 103 C 8 T 6 A
产品系列 基于ARM的32位微控制器 基于ARM的32位微控制器 产品类型 F = 通用类型 子系列 101 = 基本型 103 = 增强型 引脚数 T = 36 C = 48 102 = USB基本型 USB基本型 105或107=互联型 105或107=互联型 温度范围 6=商业级 6=商业级 -40~85 ℃ 7=工业级 7=工业级 -40~105 ℃ 封装 H=BGA T=LQFP U=VFQFPN Y=WLCSP64 内部代码 A或空

R =64

V=100

Z =144

闪存容量 4 = 16K 6 = 32K 8 = 64K B=128K C=256K D=384K E=512K

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3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

STM32F10x简介 STM32F10x简介
3.6 片上外设 GPIO结构 3.7 GPIO结构 3.8 引脚 3.9 开发工具 STM32系列的优点 3.10 STM32系列的优点

STM32系列微控制器 STM32系列微控制器 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构 时钟结构 存储结构 启动模式

3.2 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构

3.2 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构
基本型与增强型配置的差异

ARM Cortex-M3模块结构 Cortex-M3模块结构

3.2 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构
FLASH接口 接口

总 线 矩 阵

3.2 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构
四个主动单元
M3内核的ICode总线(I-bus)、DCode总线(D-bus)、 M3内核的ICode总线(I-bus)、DCode总线(D-bus)、 内核的ICode总线(I 总线(D 系统总线(S bus)、DMA(DMA1、DMA2、以太网DMA) (S系统总线(S-bus)、DMA(DMA1、DMA2、以太网DMA)

四个被动单元
内部SRAM 内部闪存、FSMC、AHB到APB桥 内部SRAM、内部闪存、FSMC、AHB到APB桥 SRAM、

ICode总线 ICode总线
将M3内核的指令总线与FLASH指令接口相连,用于指 M3内核的指令总线与FLASH指令接口相连, 内核的指令总线与FLASH指令接口相连 令预取

DCode总线 DCode总线
将M3内核的数据总线与FLASH数据接口相连,常量加 M3内核的数据总线与FLASH数据接口相连, 内核的数据总线与FLASH数据接口相连 载和调试

3.2 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构
系统总线
将M3内核的系统总线与总线矩阵相连,协调内核与 M3内核的系统总线与总线矩阵相连, 内核的系统总线与总线矩阵相连 DMA访问 DMA访问

DMA总线 DMA总线
将DMA的AHB主控接口与总线矩阵相连,协调CPU的 DMA的AHB主控接口与总线矩阵相连,协调CPU CPU的 主控接口与总线矩阵相连 DCode和DMA到SRAM、闪存、 DCode和DMA到SRAM、闪存、外设的访问

总线矩阵
协调内核系统总线和DMA主控总线间的访问仲裁, 协调内核系统总线和DMA主控总线间的访问仲裁,仲 DMA主控总线间的访问仲裁 裁采用轮换算法 包含DCode 系统总线、DMA1和DMA2总线 DCode、 总线、 包含DCode、系统总线、DMA1和DMA2总线、被动单元

AHB到APB桥 AHB到APB桥
两个AHB/APB桥在AHB和两个APB 两个AHB/APB桥在AHB和两个APB总线间提供同步连接 AHB/APB桥在AHB和两个APB总线间提供同步连接 APB1速度限于36MHz,APB2全速最高 速度限于36MHz 全速最高72MHz APB1速度限于36MHz,APB2全速最高72MHz

3.2 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构

3.2 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构

3.2 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构

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3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

STM32F10x简介 STM32F10x简介
3.6 片上外设 GPIO结构 3.7 GPIO结构 3.8 引脚 3.9 开发工具 STM32系列的优点 3.10 STM32系列的优点

STM32系列微控制器 STM32系列微控制器 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构 时钟结构 存储结构 启动模式

3.3 时钟结构

3.3 时钟结构

晶振 可关闭或旁路 时钟监视系统 一旦HSE失效 一旦HSE失效 则自动切换至 SYSCLK=HSI

晶振 可关闭或旁路

内置振荡器 可关闭 输出 内部时钟

3.3 时钟结构

3.3 时钟结构
系统复位后,所有外设全部关闭, 系统复位后,所有外设全部关闭,
但 SRAM 和 FLASH接口(FLITF)除外 FLASH接口 FLITF) 接口(

使用外设之前需打开该外设时钟
设置 RCC——AHBENR 寄存器 RCC—— ——AHBENR

参见PDF 参见PDF资料 PDF资料

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3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

STM32F10x简介 STM32F10x简介
3.6 片上外设 GPIO结构 3.7 GPIO结构 3.8 引脚 3.9 开发工具 STM32系列的优点 3.10 STM32系列的优点

STM32系列微控制器 STM32系列微控制器 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构 时钟结构 存储结构 启动模式

3.4 存储结构
存储组织: 存储组织:
Cortex-M3的存储系统采用统一编址方式, Cortex-M3的存储系统采用统一编址方式,小端方式 的存储系统采用统一编址方式 的线性地址空间内, 4GB 的线性地址空间内,寻址空间被分成 8 个主块
block0block0-block7 每块512MB 每块512MB

片内Flash 片内Flash:从 0x00000000开始 Flash: 0x00000000开始 片内SRAM SRAM: 0x20000000开始 片内SRAM:从 0x20000000开始 包括: 包括:
代码空间 数据空间 位段、 位段、位段别名 寄存器 片上外设 外部存储器 外部外设

3.4 存储结构

地址范围固定分配给 处理器系统控制寄存 位段区域、 器、位段区域、位段 别名

3.4 存储结构
存储器映射: 存储器映射:

3.4 存储结构
存储器映射: 存储器映射:

3.4 存储结构
存储器映射: 存储器映射:

3.4 存储结构
存储器映射: 存储器映射:

3.4 存储结构
存储器映射: 存储器映射:

3.4 存储结构
FLASH
由 Main Block 和 Information Block组成 Block组成 Block: Main Block:
存放用户程序,最高512KB 存放用户程序,最高512KB 地址范围: 地址范围:0x0800 0000 – 0x0807 FFFF 小容量:16K-32K,最大4Kx64bit 4Kx64bit, 32x1K页 小容量:16K-32K,最大4Kx64bit,共32x1K页 中容量:64K-128K,最大16Kx64bit 16Kx64bit, 128x1K页 中容量:64K-128K,最大16Kx64bit,共128x1K页 大容量:256K-512K,最大64Kx64bit 64Kx64bit, 256x2K页 大容量:256K-512K,最大64Kx64bit,共256x2K页 小容量:16K-32K,最大4Kx64bit 4Kx64bit, 32x1K页 小容量:16K-32K,最大4Kx64bit,共32x1K页 互联型:最大32Kx64bit 32Kx64bit, 128x2K页 互联型:最大32Kx64bit,共128x2K页

Information Block: Block:
System Memory 2KB:0x1FFF F000 – 0x1FFF F7FF 2KB: Bootloader程序 ISP Bootloader程序 16B: Option Bytes 16B:0x1FFF F800 – 0x1FFF F80F

特殊区域FLASH 特殊区域FLASH

3.4 存储结构
FLASH
块 名称 页0 主存储器 页1 地址范围 0x0800 0000 – 0x0800 03FF 0x0800 0400 – 0x0800 07FF 长度 1KB 1KB

页127 信息块 系统存储器 选项存储器 FLASH_ACR FLASH_KEYR FLASH_OPTKEYR FLASH_SR FLASH存储器 FLASH存储器 接口寄存器 FLASH_CR FLASH_AR 保留 FLASH_OBR FLASH_WRPR

0x0801 FC00 – 0x0801 FFFF 0x1FFF F000 – 0x1FFF F7FF 0x1FFF F800 – 0x1FFF F80F 0x4002 2000 – 0x4002 2003

1KB 2KB 16B 4 4 4 4 4 4 4 4

0x4002 2020 – 0x4002 2023

4

3.4 存储结构
SRAM
最大64KB 最大64KB 地址范围: 地址范围:
0x2000 0000 – 0x2000 FFFF

3.4 存储结构
片上外设地址映射: 片上外设地址映射:

3.4 存储结构
位段(bit band)、 位段(bit-band)、位段别名 (bitM3存储空间中包括两个位段区,该区域即可字操作, M3存储空间中包括两个位段区,该区域即可字操作, 存储空间中包括两个位段区 又可位操作
SRAM最低1MB空间: SRAM最低1MB空间:0x2000 0000 – 0x200F FFFF 最低1MB空间 外设最低1MB空间: 1MB空间 外设最低1MB空间:0x4000 0000 – 0x400F FFFF

为方便位段区的操作,安排了两个32M的位段别名区 32M的位段别名区 为方便位段区的操作,安排了两个32M 位段区中每一位 位段别名区中的一个字 位段区中每一位 映射 位段别名区中的一个字 通过对别名区中某个字的读写操作, 通过对别名区中某个字的读写操作,可以实现对位段 区中某一位的读写操作 别名区, 32MB: 别名区,2个32MB:
SRAM: SRAM:0x2200 0000 – 0x21FF FFFF 外设: 外设:0x4200 0000 – 0x41FF FFFF

3.4 存储结构
位段(bit band)、 位段(bit-band)、位段别名 (bit-

3.4 存储结构
位段(bit band)、 位段(bit-band)、位段别名 (bit位段别名区中的字与位段区的位映射公式: 位段别名区中的字与位段区的位映射公式:
bit_word_addr = bit_band_base + (byte_offset x 32) + bit_number x 4

例如:SRAM位段区中地址0x20000300字节中位2 位段区中地址0x20000300字节中位2 例如:SRAM位段区中地址0x20000300字节中位
被映射到别名区中的地址为: 被映射到别名区中的地址为: 0x22006008 = 0x22000000 + (0x300 x 32) + (2 x 4)

3.4 存储结构
对别名区中某个字进行写操作: 对别名区中某个字进行写操作:
该字的第 0 位将影响位段区中对应的位

对别名区中某个字进行读操作: 对别名区中某个字进行读操作:
若位段区中对应的位为 0 则读的结果为 0x0 若位段区中对应的位为 1 则读的结果为 0x1

对别名区的读写可以实现对位段区中每一位的原子操 作,而且仅只需要一条指令即可实现

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3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

STM32F10x简介 STM32F10x简介
3.6 片上外设 GPIO结构 3.7 GPIO结构 3.8 引脚 3.9 开发工具 STM32系列的优点 3.10 STM32系列的优点

STM32系列微控制器 STM32系列微控制器 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构 时钟结构 存储结构 启动模式

3.5 启动模式
STM32系统启动区: STM32系统启动区:0x0000 0000 – 0x0007 FFFF,512KB FFFF, 系统启动区 系统启动之后: 系统启动之后:
CPU从位于 CPU从位于0x0000 0000地址处的启动区开始执行代码 从位于0x0000 0000地址处的启动区开始执行代码

该区实际既无FLASH 有无SRAM 通过引导配置后, 该区实际既无FLASH,有无SRAM,通过引导配置后,将实际引 FLASH, SRAM, 导区映射到启动区 系统复位后, SYSCLK第 个上升沿,BOOT管脚的状态被保存 系统复位后,在SYSCLK第4个上升沿,BOOT管脚的状态被保存 用户通过设置BOOT1 BOOT0的引脚状态选择启动模式 BOOT1, 用户通过设置BOOT1,BOOT0的引脚状态选择启动模式 CPU从位于 从位于0x0000 0000地址处的启动区开始执行代码 CPU从位于0x0000 0000地址处的启动区开始执行代码
0x0000 0000 实际是SP 实际是SP 0x0000 0004 是执行代码的地址

即使被映射到启动区, 即使被映射到启动区,仍然可以在原存储空间访问相关存储器 从待机模式退出后,BOOT引脚状态被重新保存 从待机模式退出后,BOOT引脚状态被重新保存
待机时,BOOT管脚需保持 待机时,BOOT管脚需保持

3.5 启动模式
STM32F10x通过配置 BOOT[1:0]引脚选择三种不同启动模式 STM32F10x通过配置 BOOT[1:0]引脚选择三种不同启动模式
启动模式选择引脚 BOOT1 BOOT0 用户模式: 用户模式: 从内置闪存 用户存储区 启动 ISP模式: ISP模式: 模式 从内置闪存 系统存储区 启动 0x0800 0000 – 0x0807 FFFF,512KB作 FFFF,512KB作 为启动区,该区映射到0x0000 为启动区,该区映射到0x0000 0000 原地址和映射地址均可访问 启动模式 说明

X

0

0

1

1

1

0x1FFF F000 – 0x1FFF F7FF,2KB F7FF, 互联型从0x1FFF B000开始 开始) (互联型从0x1FFF B000开始)映射到 0x0000 0000。厂家设置的程序,通过 0000。厂家设置的程序, USART1的 USART1的ISP Bootloader。ROM。 Bootloader。ROM。 原地址和映射地址均可访问 0x2000 0000 – 0x2000 FFFF,64KB FFFF, SRAM模式 SRAM模式: 模式: 用于调试,读写板上FLASH、EPROM, 用于调试,读写板上FLASH、EPROM, 从内置SRAM 从内置SRAM 还可用于解除内部FLASH保护 保护( 还可用于解除内部FLASH保护(同时会 启动 清除FLASH内容 内容) 清除FLASH内容)

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STM32F10x简介 STM32F10x简介
3.6 片上外设 GPIO结构 3.7 GPIO结构 3.8 引脚 3.9 开发工具 STM32系列的优点 3.10 STM32系列的优点

STM32系列微控制器 STM32系列微控制器 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构 时钟结构 存储结构 启动模式

3.6 片上外设
STM32F10x外设 STM32F10x外设
小容量 引脚 数
16K闪存 16K闪存 6KRAM 32K 10K 64K 20K

中容量
128K 20K 256K 48K

大容量
384K 64K 512K 64K

144 100 3 USART 3 16位定时器 16位定时器 64 2 USART 2 SPI, 2 I2C 2 16位定时器 16位定时器 1 USB, CAN, PWM 2C, USB, CAN 48 1 SPI, I 1 ADC 1 PWM 36 2 ADC

5 USART 2 UART 4 16位定时器, 2 基本定时器 16位定时器 位定时器, 3 SPI, 2 I2S, 2 I2C 1 USB, CAN, SDIO, FSMC 2 PWM, 3 ADC, 1 DAC

3.6 片上外设
STM32F103xx增强型大容量外设 STM32F103xx增强型大容量外设
外设 闪存/KB 闪存/KB SRAM/KB FSMC 通用 定时器 高级 基本 SPI(I2S) I2 C USART 通信 /UART USB CAN SDIO GPIO端口 GPIO端口 12位ADC 12位 12位DAC 12位 CPU频率 CPU频率 工作电压 工作温度 封装 STM32F103Rx STM32F103Vx STM32F103Zx 256 384 512 256 384 512 256 384 512 48 64 48 64 48 64 无 有 有 4个(TIM2、TIM3、TIM4、TIM5 ) TIM2、TIM3、TIM4、 2个(TIM1、TIM8) TIM1、TIM8) 2个(TIM6、TIM7) TIM6、TIM7) 3个(SPI1、SPI2、SPI3),其中SPI2和SPI3可作I2S SPI1、SPI2、SPI3),其中SPI2和SPI3可作 ),其中 可作I 2个(I2C1、I2C2) I2C1、I2C2) 5个(USART1、USART2、USART3、USART4、USART5) USART1、USART2、USART3、USART4、USART5) 1个(全速2.0) 全速2.0) 1个(2.0B主动) 2.0B主动 主动) 1个 51 80 112 3(16) 16) 3(16) 16) 3(21) 21) 2( 2) 72MHz 2.0~3.6V 环境温度-40℃ 40℃ 工作温度-40℃ 环境温度-40℃~+85 ℃ / -40℃~+105 ℃ / 工作温度-40℃~+125 ℃ LQFP64、 LQFP64、WLCSP64 LQFP100、BGA100 LQFP100、 LQFP144、BGA144 LQFP144、

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3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

STM32F10x简介 STM32F10x简介
3.6 片上外设 GPIO结构 3.7 GPIO结构 3.8 引脚 3.9 开发工具 STM32系列的优点 3.10 STM32系列的优点

STM32系列微控制器 STM32系列微控制器 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构 时钟结构 存储结构 启动模式

3.7 GPIO结构 GPIO结构
共5 x 16个I/O口 16个I/O口 PA0 ~ PA15 PB0 ~ PB15 PC0 ~ PC15 PD0 ~ PD15 PE0 ~ PE15 3.3V与5V兼容 3.3V与5V兼容 PA8 ~ PA15 PB4、 PB2 ~ PB4、 PB6 PC6 ~ PC12 PD0 ~ PD15 PE0 ~ PE15 仅支持3.3V 仅支持3.3V PA7, PA0 ~ PA7,兼做 PB1, PB0 ~ PB1,兼做 PB5 PC5, PC0 ~ PC5,兼做 PC13 ~ PC15

~PB15

ADC_IN0 ~ ADC_IN7 ADC_IN8 ~ ADC_IN9 ADC_IN10 ~ ADC_IN15

3.7 GPIO结构 GPIO结构

3.7 GPIO结构——输入 GPIO结构——输入
每个APB2 每个APB2时钟 APB2时钟 IOpin状态采 IOpin状态采 样到输入数据 寄存器

禁止

3.7 GPIO结构——输出 GPIO结构——输出
每个APB2 每个APB2时钟 APB2时钟 输出数据寄存 器到IOpin 器到IOpin

禁止
推挽输出:输 推挽输出: 出寄存器1 出寄存器1、0 分别激活P 分别激活P-MOS 和N-MOS

开路输出:P开路输出: MOS禁止 MOS禁止,输 禁止, 出寄存器0 出寄存器0激活 MOS, N-MOS,1置端 口高阻

3.7 GPIO结构——复用功能 GPIO结构——复用功能

禁止 禁止

3.7 GPIO结构——ADC GPIO结构——ADC

禁止
为0

禁止 禁止

禁止

3
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STM32F10x简介 STM32F10x简介
3.6 片上外设 GPIO结构 3.7 GPIO结构 3.8 引脚 3.9 开发工具 STM32系列的优点 3.10 STM32系列的优点

STM32系列微控制器 STM32系列微控制器 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构 时钟结构 存储结构 启动模式

3.8 引脚
见STM32F103手册“3 Pinouts and pin descriptions STM32F103手册 手册“ descriptions”

3.8 引脚

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3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

STM32F10x简介 STM32F10x简介
3.6 片上外设 GPIO结构 3.7 GPIO结构 3.8 引脚 3.9 开发工具 STM32系列的优点 3.10 STM32系列的优点

STM32系列微控制器 STM32系列微控制器 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构 时钟结构 存储结构 启动模式

3.9 开发工具

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3.1 3.2 3.3 3.4 3.5

STM32F10x简介 STM32F10x简介
3.6 片上外设 GPIO结构 3.7 GPIO结构 3.8 引脚 3.9 开发工具 STM32系列的优点 3.10 STM32系列的优点

STM32系列微控制器 STM32系列微控制器 STM32F10x内部结构 STM32F10x内部结构 时钟结构 存储结构 启动模式

3.10 STM32系列的优点 STM32系列的优点
先进的内核结构
STM32系列使用了ARM最新的、先进架构Cortex M3内核 STM32系列使用了ARM最新的、先进架构Cortex-M3内核 系列使用了ARM最新的 Cortex-

优秀的功耗控制
STM32处理器具有三种低功耗模式 STM32处理器具有三种低功耗模式
运行模式时使用高效的动态耗电机制,在Flash中以72MHz全速运 运行模式时使用高效的动态耗电机制, Flash中以72MHz全速运 中以72MHz 行时,如果开启外部时钟,处理器仅耗电27mA 行时,如果开启外部时钟,处理器仅耗电27mA 待机状态时极低耗电,典型值2uA 待机状态时极低耗电,典型值2uA 电池供电时,提供低电压2.0 3.6V工作能力 2.0~ 电池供电时,提供低电压2.0~3.6V工作能力

灵活的时钟控制机制,用户可以根据自己所需的耗电/性能要求 灵活的时钟控制机制,用户可以根据自己所需的耗电/ 进行合理优化 RTC可独立供电 可独立供电, RTC可独立供电,外接纽扣电池供电

3.10 STM32系列的优点 STM32系列的优点
性能出众而且功能创新的片上外设 STM32 处理器片上外设的优势来源于双 APB 总线结构 APB,速度可达CPU 的运行频率, 其中有一个高速 APB,速度可达CPU 的运行频率,连接到 该总线上的外设能以更高的速度运行
USB: 12Mbit/s SPI: 18Mbit/s 18MHz翻转 GPIO: 18MHz翻转
◆ USART: ◆ IIC: ◆ PWM:

4.5Mbit/s 400kHz 定时器72MHz 72MHz输入 定时器72MHz输入

针对 MCU 应用中最常见的电机控制,STM32 对片上外围 应用中最常见的电机控制, 设备进行一些功能创新
内嵌适合三相无刷电机控制的定时器和ADC 内嵌适合三相无刷电机控制的定时器和ADC 高级PWM定时器提供: PWM定时器提供 高级PWM定时器提供: 6路PWM输出 PWM输出 死去产生 边沿对齐和中心对齐波形 编码器输入 霍尔传感器 完整的向量控制环 紧急故障停机、可与2 ADC同步 同步、 紧急故障停机、可与2路ADC同步、与其它定时器同步 可编程防范机制可用于防止对寄存器的非法写入 双通道ADC采样/保持,12位1uS,连续/独立模式, ADC采样 双通道ADC采样/保持,12位1uS,连续/独立模式,多触发源 等等

3.10 STM32系列的优点 STM32系列的优点
高度的集成整合
STM32 处理器最大程度地实现集成,尽可能地减少对外部器件 处理器最大程度地实现集成, 的要求
内嵌电源监控器,带上电复位、低电压检测、掉电检测 内嵌电源监控器,带上电复位、低电压检测、 自带时钟的看门狗定时器 一个主晶振(4 16MHz晶振 驱动整个系统,内嵌PLL (4~ 晶振) PLL产生多种频 一个主晶振(4~16MHz晶振)驱动整个系统,内嵌PLL产生多种频 RTC时钟可内部也可外部晶振 时钟可内部也可外部晶振(32kHz) 率;RTC时钟可内部也可外部晶振(32kHz) 内嵌精密8MHz RC振荡电路, 内嵌精密8MHz RC振荡电路,可作为主时钟 振荡电路 LQPF封装仅需 封装仅需7 LQPF封装仅需7个滤波电容

易于开发,可使产品快速进入市场 易于开发,

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