当前位置:首页 >> 电力/水利 >>

MOSFET参数指标


MOSFET 主要参数指标:

Vds:DS 击穿电压。 当 Vsg=0V 时,MOS 的 DS 所能承受的做大电压,一般此电压有一定的余量。 Rds(on):DS 的导致电阻。 当 Vgs=100V 时,MOS 的 DS 之间的电阻。 Id:最大 DS 电流。 会随温度的升高而降低。

绝对最大额定参数: Vds:见 Features(产

品特点) Vgs:最大 GS 电压,一般为:-20V~+20V(要注意可能是负的,针对不同形式的 MOSFET) Id:见 Features. Idm:最大脉冲 DS 电流,会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系。 Pd:最大耗散功率。 Tj:最大工作结温,通常为 150 度和 175 度。 Tstg:最大存储温度。 Iar:雪崩电流。 Ear:重复雪崩击穿能量。 Eas:单次脉冲雪崩击穿能量。

电器特性: BVdss:DS 击穿电压。 Idss:饱和 DS 电流,uA 级的电流 Rds(on):见 Features Igss:GS 驱动电流,nA 级的电流 gfs:跨导 Qg:G 总充电电量 Qgs:GS 充电电量 Qgd:GD 充电电量,Miller Effect(密勒效应) Td(on):导通延迟时间,从有输出电压上升到 10%开始到 Vds 下降到其幅值 90%的时间,Tr:上升时间。 输出电压 Vds 从 90%下降到其幅值 10%的时间。 Td(off):关断延迟时间,输入电压下降到 90%开始到 Vds 上升到其关断电压 10%时的时间。 Tf:下降时间,输出电压 Vds 从 10%上升到其幅值 90%的时间 Ciss:输入电容,=Cgd+Cgs Coss:输出电容,=Cds+Cgd Crss:反向传输电容,=Cgc Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-漏电容 Cgs---栅-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容

Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比 di/dt---电流上升率 dv/dt---电压上升率 Id---漏极电流(直流) Idm---漏极脉冲电流 Id(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流(射频功率管) IDS---漏-源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时,漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) Ig---栅极电流(直流) IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时,截止栅电流


相关文章:
MOSFET参数及其测试方法
MOSFET参数及其测试方法_信息与通信_工程科技_专业资料。MOSFET参数及其测试方法 参数类别(物理特征): 1、漏源电压系列 1.1、V(BR)DSS:漏源击穿电压 1.2、dV(...
MOSFET型号及参数
6页 1下载券 mosfet参数含义 2页 2下载券 MOSFET 参数理解及其主 23页 2下载券 MOSFET特性参数的理解 33页 1下载券喜欢此文档的还喜欢 ...
MOS管参数解释
MOS 管参数解释 MOS 管介绍 在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑 MOS 的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。 MOSFET 管是 FET ...
MOSFET参数理解及测试项目方法
MOSFET参数理解及测试项目方法_电子/电路_工程科技_专业资料 暂无评价|0人阅读|0次下载|举报文档MOSFET参数理解及测试项目方法_电子/电路_工程科技_专业资料。 DS ...
MOS管参数解释
MOS 管参数解释 MOS 管介绍 在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑 MOS 的导通电阻, 最大电压等,最大电流等因素。 MOSFET 管是 FET...
英飞凌MOSFET参数理解
MOSFET 参数理解分类: 电源分享 2012-07-16 14:33 4629 人阅读 评论(0) 收藏 举报 soa 工作测试存储平台制造 最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25℃) VDSS...
MOSFET特性参数EAS的解析
MOSFET 特性参数 EAS 的解析一、EAS 与 EAR 的定义 EAS 单脉冲雪崩击穿能量,EAS 标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。如果电压过冲值(通常由于漏电流和...
功率Mosfet参数介绍_图文
功率Mosfet参数介绍_信息与通信_工程科技_专业资料。功率Mosfet参数介绍 VDSS 最大漏-源电压 VGS 最大栅源电压 ID - 连续漏电流 IDM -脉冲漏极电流 PD -容许...
如何正确的选择MOSFET
MOSFET 是电气系统中的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性 及指标才能做出...影响开关性能的参数有很多,但 最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极...
几种主流MOSFET驱动电路的分析
而驱 动电路的好坏直接影响开关电源工作的可靠性及性能指标。一个好的 MOSFET ...③占空比固定时,通过合理的参数设计,此驱动电路也具有较快的 开关速度。该电路...
更多相关标签:
mosfet参数 | mosfet主要参数 | mosfet型号及参数 | mosfet型号参数 | mosfet管参数 | mosfet数据手册参数 | mosfet的参数 | macd指标参数设置 |