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MOSFET参数指标


MOSFET 主要参数指标:

Vds:DS 击穿电压。 当 Vsg=0V 时,MOS 的 DS 所能承受的做大电压,一般此电压有一定的余量。 Rds(on):DS 的导致电阻。 当 Vgs=100V 时,MOS 的 DS 之间的电阻。 Id:最大 DS 电流。 会随温度的升高而降低。

绝对最大额定参数: Vds:见 Features(产品特点) Vgs:最大 GS 电压,一般为:-20V~+20V(要注意可能是负的,针对不同形式的 MOSFET) Id:见 Features. Idm:最大脉冲 DS 电流,会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力,跟脉冲时间也有关系。 Pd:最大耗散功率。 Tj:最大工作结温,通常为 150 度和 175 度。 Tstg:最大存储温度。 Iar:雪崩电流。 Ear:重复雪崩击穿能量。 Eas:单次脉冲雪崩击穿能量。

电器特性: BVdss:DS 击穿电压。 Idss:饱和 DS 电流,uA 级的电流 Rds(on):见 Features Igss:GS 驱动电流,nA 级的电流 gfs:跨导 Qg:G 总充电电量 Qgs:GS 充电电量 Qgd:GD 充电电量,Miller Effect(密勒效应) Td(on):导通延迟时间,从有输出电压上升到 10%开始到 Vds 下降到其幅值 90%的时间,Tr:上升时间。 输出电压 Vds 从 90%下降到其幅值 10%的时间。 Td(off):关断延迟时间,输入电压下降到 90%开始到 Vds 上升到其关断电压 10%时的时间。 Tf:下降时间,输出电压 Vds 从 10%上升到其幅值 90%的时间 Ciss:输入电容,=Cgd+Cgs Coss:输出电容,=Cds+Cgd Crss:反向传输电容,=Cgc Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-漏电容 Cgs---栅-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容

Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比 di/dt---电流上升率 dv/dt---电压上升率 Id---漏极电流(直流) Idm---漏极脉冲电流 Id(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流(射频功率管) IDS---漏-源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时,漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流) Ig---栅极电流(直流) IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时,截止栅电流


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