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J534


Bridge Diode

シングルインライン型
Single In-line Package

D25XB□
800V 25A
特長
? 薄型 SIP パッケージ ? UL E142422 ? 大電流容量 ? 高耐圧?高 IFSM ? 高放熱伝導性

■外観図 OUTLINE<

br />Package:5S
Unit : mm Weight : 7.1g typ.) (

D25XB 60

0264

Feature
? ? ? ? ? Thin-SIP UL E142422 Large Io High Voltage?Large IFSM High Thermal Radiation

外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking, Terminal Connection” .

RATINGS ■定格表 RATINGS
Absolute Maximum Ratings
Item
Storage Temperature Operation Junction Temperature Maximum Reverse Voltage 50Hz sine wave, Resistance load With heatsink Without heatsink

Symbol Conditions

Type No.

D25XB60

D25XB80

Unit

Average Rectified Forward Current

Peak Surge Forward Current Current Squared Time Dielectric Strength Mounting Torque

50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25 per diode Terminals to Case, AC 1 minute Recommended torque : 0.5 N m

Electrical Characteristics
Forward Voltage Reverse Current Pulse measurement, per diode Pulse measurement, per diode Junction to Case, With heatsink Thermal Resistance

l

Junction to Lead, Without heatsink Junction to Ambient, Without heatsink

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(J534-1)

Thin SIP UL Bridge
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS

D25XB□

* Sine wave は 50Hz で測定しています。 * 50Hz sine wave is used for measurements. *半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。  Typical は統計的な実力を表しています。 * Semiconductor products generally have characterristic variation. Typical is a statistical average of the device’s ability.

(J534-1)

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