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气压对VHF-PECVD制备的μc-Si:H薄膜特性影响的研究


    本文由wujinfeng05贡献     pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机 查看。     维普资讯 http://www.cqvip.com     第 3 卷 第 3期  3 2O O4年 6月       人     工  晶 体  学       报      V 13   No 3 0 .3 .      J RN 

 0  s j唧 OU AL F 1 r I     1  C YS A S C R T L      Jn 2 o   u e.0 4     气压 对 V -E V HFP C D制备 的  -iH S:   薄膜 特性影 响  的研 究      张晓丹, 朱 张德坤 ,   锋 , 颖 , 国付 , 赵 侯 魏长春 , 建 , 孙   任慧志, 薛俊明, 耿新华 , 熊绍珍      ( 南开大学光 电子所 , 天津 307) 00 1       摘要 : 文主要研究 了用 V FP CD方法制备 的不 同工作气 压的微 晶硅  薄膜 样品 。结 果表 明 : 积速率 随反应 气  本 H -E V 沉 压的增大而逐  渐增大 ; 光敏性 ( 电导 / 电导 ) 光 暗 和激 活能测 试结 果 给 出了相 同 的变 化规 律 ; 傅立 叶红 外测试 、 x射  线衍射 和室温微 区喇曼谱 的结果 都 表明 了样 品的晶化特性 ; 通过工 艺的具体优化 得出 了器件级 的微晶硅材料  。   关键词 : 甚高频 等离子体增 强化学气相沉积 ; 微 晶硅薄膜 ; 叶变换 红外光谱 ; 氢化 傅立 x射线衍射 ; 区喇曼光谱  微     中图分类号:K 1 T 5      文献标识码 :  A     文章编号 : 0-8X 20)3 440  1 0 5 (040- 1- 0 9  0 5     A  t d   n t e I fu n e o   p st n P e s r    n t e P o e t s o   e s u y o  h  n e c   fDe o  i o   r s u e o  h   r p r e   ft   l i i h     pc S :H  i   a rc td b   —i Fl F b iae   y  VHF— ECVD  ms P     Z NG  io d n,Z HA Xa -a HU  eg,Z AO Yn Fn  H   ig,HOU   ,WE   h n -h n,S N in, IC a g c  u U Ja       Z A   -u H NG Dek n,R N  i h ,XU J n mig,G  NG Xi- u E Hu- i z E u - n E   n h a,XI NG S  a -h n O   h oz e       (ntueo ht e e mis aki nvrt,T衄j  00 1 hn  ) Istt f o -l t e,N na U i sy j i 30 7 ,C ia   i   P o er   ei n ( ∞矗 5N mn 2O ) R e    o l O  3   ̄     Ah鼬耐     :a lsp e ae  t iee t e oio   rsueb   HF P  C   r  u id. h  eerhrsl   S mpe rp rd a  f  rn  p st n pesr yV - E VD wees de T ersa c   eut d d i t s     s o d ta h   e oio  ae i ga u l   n a cd w  t h  n ra e o  e oio   rsue te ie t a  h we    tte d p st n rt s rd al e h n e   i te ices   fd p st n pes r ; h  d ni l h i   y h i c rg lr page 1

i idc td b  h  eut o  h t e st i  n   ci t n e  eg .T e rs l   fFo r rn n f   eua    iae   y  te rsl   fp oo n ivt a d a t a o   n ry h  eut  o  lu i   a  0 sn s s i y vi s e ml     if rd , ry df a t n a d ro t eaue mir- ma   p cr  e n t td te cytlTt n o  e nr e X-a  i rci  n  o m e a o mp rtr  coRa n se t d mo s r e  h  rs l.i   ft   a a ai o q h smpe D vc   ga e a l. e ie rd  mircytln  maeil ee o tie    ho s  te o t zt n f h   eald co rs l e ai t r s a  w r  ban d t ̄u h h   pi ai  o te d ti    mi o e     p rn e8. a a  ̄tr       Ke   od :eyhs r un yp s ae hne h mcl ao  eoio V FP C D) y r e a d yw r s vr i f q ec  l  m  na cd ce i   p r p si h e a av d t n( H -E  V ;hd gnt   o e     mcor tl esi n ( -i H) l r rtnfr ir e ( HR )setsoy - yd rco ; ir y ai  lo  cS : ;Fo i   r s m n a d F c s ln ic ue a o fr pcocp;X m    i atn  r f i     i c o Ra n s e t s o y r r- ma   p cr c p   i  f o     1 引 言          我们知道氢化非 晶硅( .i ) 口S: 薄膜在太阳能 电池中已占有一席之地  , H 同多晶硅材料相 比, 其优点是生长  温度不是很高, 但其有一个难克服  的缺点就是光致衰退效应 (W ) S E 。由于此效应 的存 在 , 使得非 晶硅 的 稳      收稿 日期 : 031-   20.1 5 0     基金项 目: 国家“7” 93研究项 目( 0G00222G00223 ;  N .20080 ̄ 20o80)教育部重点项 目(o0 1 ) “6” 目( 02 0336) , N . 6 和 83项 27 Ⅳ . 2021资助  0     作者简介 : 张晓丹 (93) 女 , 17., 吉林省人 , 博士 。Emi  xz 0@e uⅢ   -a . 2 0 y . ld 0 - o     维普资讯 http://www.cqvip.com     第3 期      张晓丹等 : 气压对 V FP C D制备 的 p.i H -E V .S H薄膜  特性影响 的研究 c :     45 1       定性成为人们一直在研究的课题 , 但直到现在 , 还没有很好的方法能够解决 这个难题 。而随着人们的研究发  现: 微晶硅太 阳能电池光学稳定性则很好 ,  几乎没有光致衰退效应 u2 ,。近些 年来 , 晶硅材料 和电池 的研  J 微 究 成为人们研究 的热门课题 。   -       当前 , 研究微 晶硅材 料和 电池 的实验室 主要有德 国的 J i 、 士的  IT 1本 的 N D ic 瑞 ih l M 、 3 E O以及 美 国的      N E 等 。不 同的国家和实验室都有其各 自的工艺条 件来 制备材料 和器  件。但 总的 目标是提高 电池 的效  RL 率 、 电池 的成本 。我国在微 晶硅材 料和电池 方面的研究 还处于起步阶段 , 降低 要想做 出高效率 的微 晶硅电  池  , 出好 的微 晶硅材料是非常必要 的。我们 知道影响材料生长的因素有很多 ,  制备 比如 : 温度 、 等离子体功  率、 硅烷浓度 、 腔室气压和 V- I I F 的频率等 。我们实验主要分析沉积气压的变化对制备样 品的电学特性和结      构特性的影响。   page 2

    2 实  验        实验 中的所有样品都是在 高真空的三室连续的 PC D系统 中制备 的。采用  的反应源为硅烷 和氢气 。 EV   实验 中采用的衬底为 C mn75 玻璃和 晶 向为 (1 ) o i 09 g 10 的高阻双面抛光 的硅片。实验中气体 的总流量  为 6  0     s m不变 , e e 甚高频电源所用 的激发频率为 6M z 0 H 。本底真 空都约为 10 -P。实验 中主要分析 了 A B两系  .E a 4 、 列的样品。 两系列 的共同点是分析研究随气压 的变化制备薄膜材料 的电学性能和结构性能。两 者主要 区别      是 A系列样品的硅烷浓度(C 为 3 , 的温度为 20C S ) % 衬底 2  ̄。而 B系列样 品的 s c为 4 衬底温度为 20C  %, 5 ̄。 样品的厚度 是通过光学多道分析器测量其透射和反射谱计算而得 , 由此得到薄膜 的沉积速率  。薄膜  并 的电学特性是通过测量其室温暗电导和光电导来表征 的。样品的激活能 是在真空的条件下用 K il 67 eh y1 测  te 试共面铝电极间暗态 电流 随温度 的变化而得到 的。样 品的结构 特性方面分别进行 了傅立叶变换红外光谱   (1 )x射线衍射( Fm 、 ⅪⅢ) 和微区喇曼光谱 ( iornn 的测试分析 研究 。 Mc - a) r m       3 结果 与讨论        AB 、 两系列样 品的沉积速率与气压 的关 系如图 1 所示 。从 图中我们 可以看 出在我们 的实验条件下 , 样  品的沉积速率随工作气压 的增大而逐渐增 大 , 这一规律是容易理解的。因为随着腔室 中的反应 气体 的气压  的逐渐增大  , 可分解 的硅烷物质就多 , 这样在其它条件确定并优化 的前提下 , 分解 出的 反应前 驱物就逐渐增  多。根据 G o L u 和 K no i  3 u . i i  od  c J h M h 等人的报道 : 的沉积速率和相应 的反应前驱物成正 比例  。这与我  薄膜     们实验得到的规律是一致的。但是压力过大时 , 的反应物离子和基 团之间的 碰撞就加强 , 大量 这样会导致它  们之间的聚合 , 形成高硅烷[S x n 物质  , (i ) ] H 结果使得制备 的薄膜 的质量下降 , 同时腔室 中也会 生长大 量 的  粉尘 。在我们的实验条件下 , 气压不超过 10a可 以制备 出性能好的 材料来 。 8P,   另外 , 图中我们也可注意到 : 从 在相同的气压下 , B系 列样品( 也就是 S C相对大) 的沉积速率要相对大一  些。这也是可以理解 的 , 因为同样的腔室气压 , 如果 s c的浓度大 , 则单位体积内相应 的硅烷就多  这样 , 在  反应时分解的反应前驱物就多, 如上面的分析一样, 相应的薄膜的 沉积速率就越大 从图中两系歹 洋品的沉        积速率的变化趋势来看 , 两者也有一定 的区别 。A系列样品的总的趋势是逐 渐上升 的, B系列样 品则显示  但     出饱和的趋势 。分析原 因知 : 虽然反应 的源物质 s 4 i 浓度相应地增 大 , H 但功率 、 频率等其它条件是确定 的。   实际上反应前驱物的数量也是 跟功率 、 频率等工艺参数相关的 , 也就是说 : 的功率 、 一定 频率只能分解一 定数  量的 s 4虽然 S-物质很多 , i , n i4 I 1 但分解 出的反应前 驱物是有“ 限” 上 的。因此 , 当超过这一 限度 , 虽然 s 4 i 分  H 子 在不断地增加 , 但反应速率则不会随之逐渐增大。   为了分析研究所制备样品的 电学特性 , 我们对样品进行 了光 、 暗电导和激活能的测试 ( 具体 的结果如图       2 。从 图中我们可 以看 出, ) 当气压低于 9 P 时 , 的材料虽然 晶化 很好 ( 5 , 0 a 制备 图 )但光敏性则不大 。当气压      大于9P 时, Oa 样品的光敏性增至 1 2 ~ 个数量级。此时, 单从光敏 性上来说: 当气压大于 10a 得到的是  2P 时, 性能较好的适合于做微晶硅  电池的 I 层材料 。   通常好的本征微 晶硅材料 的激活能要大于 05V引 而 在我们实验中得到样品的激活能要小( 2 。我  . [, e 图 )     维普资讯 http://www.cqvip.com     46 1  page 3

    人 工 晶 体 学 报      第 3 卷  3     ^ Ⅲ8 】   ,   I E署窜   台口     _   8召 8 冒 口 目 固o 导昌  1     图 1 样品的沉积速率随气压的变化      F .  I p a o  aea  l ̄ Ol f l   1 ) oi nrt  8ahl lo   鲫I  e f i l   p e     图2  A系列样品的激活能和光敏性随气压的变化情况      F .  A tao   eg n  ht esi t o A  ̄ i   唱 . 2  cvtne ryadpo snivy f _e ii n o ti   rs     o , lswi   ev 6 f n o rsue f ̄mpe  t t  a. i  fpesr  h h ao     们知道影响材料激活能的很大一个原因是材料中的氧的含量 。在本底真空尽可 能高和腔室放气率尽可能低  的情况下 , 采用微量的硼掺杂[和气体纯化器[可以 减小材料 中氧的含量 。本实验中材料 的生长只用 s 5 ] 6 ] i       和 H 作为反应气体, 2 没有采用微量硼掺杂和气体纯化器。结果制备的材料 激活能相对小, 相信采用上述方  法后, 材料的性能会有所改善。   总之 , 从 我们 的实验结果中可 以得 出 : 光敏性和激活能有着相 同的变化规律 , 即低气 压下光敏性 和激活  能都小 , 而在高气压下光敏性和激活能相应 的都大一些。这 里可能的原因是 : 的气压下沉积速率 大, 高 相应      的氧的进入的几率低 , 结果样品的激活能就相对 的大一些 。   为了确定沉 积薄膜 的硅氢键的键 和方式。我们对气压为 1 P 样品做 了一下傅立叶变换红外 测试 分析  2 a 0 研究 。具体 的结果如图 3 所示。从 图中我们可以看到样  品的 s i —H伸展模 的红外吸收峰从常规的 20c 1 00m一       处蓝移到 29c 一 。这一蓝移与材料 中的微 晶相有关 。因此 , 08m  1 从伸展模 红外吸收峰的蓝移 , 可确定 材  我们     料 中微晶成分 占有一定 的比例。另外 , 从图中也可注意到 s H键 的摇摆 模的吸收峰的峰位在 648cl   卜 2 . n~。   此峰介于典型的非晶硅 的  S H摇摆模 的吸收峰 (4e 1 和晶体硅 的吸收 峰(2 卜 65mI) 60咖  I ) 1 之间。因此 , 从  s H键 的摇摆模 的吸 收峰也可 判断 出材 料 中 的微 晶 占有很 大的 比例。另外 , 卜- 图中两 个位于 80mI和  9e 1  11c -的吸收峰分别对应 (i2 07m 1 S-) 曲模和关于氧 的伸展模的吸 收峰。 I  弯 I       图 3 气压为 1 P 样品的红外吸收谱  2 a 0     F 3 FI se l o a l e oi d a 2 P    .  R p  ̄  l fs呷 ed p st  t10 a m  e     图 4 气压为 1 P 样品的 X射线衍射谱  2 a 0     .     4 X   RD p cn 0 8ll e oi da 2 P   se t ̄ f 8 pedp st  t10 a  ̄ e     为了确定沉积薄膜的晶化程度 , 我们对制备 的 A系列样品做 了 x射线衍射  ( Ⅺm) 的测试分析研究 。图  4 给出了气压为 10a 品的 x射线 衍射 图 。从 图 中我们 可 以看 出沉积薄膜 具有三个 晶 向, 2P 样 分别 对应为      (1)( 0 ̄(1) 11、 2)131。相应的峰值所对应的角度为2. 、  . 。 60。 2 84 4 3 和5. 。在此X射线衍射图中, 。7 2 8 我们可 以       明显地看出此样 品的择优取向为(2 ) 20 方向。利用 D be ce e  公 式 , ey- hr r S r 对制备薄膜三个 晶向的晶粒尺寸做      维普资讯 http://www.cqvip.com     箜 塑      张晓丹等: 气压对V F EV 制备的 p. : H- C D P ci S H薄 膜特性影响的研究 page 4

    47 1       了计算 , 具体为 1n 、0m和 9m, 7 m 2n n 分别对应着 (1)  (2 ) 3 1晶向。 11 、20 和(1)   另外 , 们 对样 品 做 了微 区 喇 曼 研 究。具 体 如 图 5所 示 。从 图 中我 们 可 看 出 薄 膜 的 峰 主 要  在  我 594m 1 . 一。我们知道 , c 非晶硅薄膜材料的类横光学模式 (  I 模 ) 类 0 的峰在 40m一处 , ' 8c   而晶体硅 的喇曼散射  峰在  50m.处 。因此 , 2c 1 从谱图中我们可 以看 出样 品微 晶化特征 。因此 从上面材料 的电学性能和结构性能      分析 中我们知道 : 我们制备出了相对较好的微 晶硅材料。       堇       . 鲁 ∞ 眉Dlj -、 矗  } 岂 H     萝       墨       童       4 0 4 0 4 04 04 0 5 0 5 0 5 0S S 0 6 0 0 2    4 6 8   0  2   4 卯 8   0       W ̄ e u c , I   n mb r c I     图5  A系列样品的喇曼散射谱      .     图6  B系列样品的激活能和光敏性随气压有变化      Fg.  Acia o  n rya d p ooest i  f  eis i  6 t t ne eg n  h tsnivt o B sr   vi i y e o    mpe sarc t n o rsue fs lsa    a u i  fpe sr   o     ^ 奄口 l 5 R ma  p cr f sr so a 8mD嗣     a n s et o A ei  fsmpe  a e 扫! 口 s     图6 给出了 B系列样品的光敏性 和激活能随工作气 压的关系。从 图 中我们 可 以看 出, 当气 压为 6P  0a 时 , 的光敏性为 15E , 相应 .5 4  此数量级表 明样 品不是非晶硅 , 但接近非 晶硅材料 ( 晶硅材料 的光敏性在  ls 非 o   以上 )也就是说样品 中含有一定 的晶体成分( 7也证明) , 图  。当气 压增 至 9P 时 , 品的光敏性快速降到  0a 样     8 ., 48然后随气压的增大又逐渐的增加到 4 4 3 .E 。从上面得出 的实验结果我们可 以知道 : 气压对样 品的电学  性能影响很大。另外 , 我们也  可注意到激活能 的变化 。气 压为 6 P 光 敏性 最大时 , 活能也大 ( .lV  。 0a 激 07e )       当气压为 9P 时光敏性为最小 , 0a 激活能也最小 (.0e ) 045V  。然后随气压 的增大相应的光敏性 和激活能都增      大, 也就是说随着气压 的变化 : 光敏性和激活能也有着相同的变化规律。    总之 , B系列样 品的光敏性和激活能 随气 压的变化 关系我们可 以初步推知  : 从 在温度为 20C,C为  5o S 4 %的条件下 ,2P 的条件下得到的 是相对较好的微 晶硅材料( 10 a 激活能为 04 lV 光敏性为 70 2 , . 5e , .E )而气压  为 1 P 时是非晶/ 晶过渡区接近微 晶一侧 的过渡区 材料( 5 a 0 微 激活能为 05 3V 光敏性为 44 3 。 . e, 4 .E  )      图 7 B系列样 品的喇曼谱        Fg 7 Ra n set  fB sr so a l   i.  ma  pcr  o  ei  fsmpe a e s     B系列样 品的微 区喇曼谱如图 7 所示 。从 图中可以明显看 出材料结构随 气压的变化 。6 P 时喇曼谱峰  0a 在 49m 1 , 8 e .处 相对于非晶 硅 的类 r I 的峰位 40m 1 D模 8c .发生 了频移 。此结果也证 明了材 料不是纯非晶硅 , 而      是趋于微晶化( 此规律从激活能和光敏性方 面也都 可以证 明) 。而 9P  page 5

和 1 P 时样品的喇曼谱峰在 59  Oa 2 a 0 1.     维普资讯 http://www.cqvip.com     48 1       人 工 晶 体 学 报      第 3 卷  3     1   处, 8c m 接近于晶体硅的峰位 50c ~。此时, 2  m 说明 材料已明显地微晶化 。当气压达到 10 a , 5P 时 此时喇      曼谱峰位在 560 n 1 . C ~。相对于晶体硅的峰位 50c  处有很 大程度的偏移 , 2T 2  m 此样品中微晶也占有很大的      比例。从上面的喇曼谱的分析可以看 出:o a 1 P 的条件下得到的是相对 较好 的微 晶硅材料 , 9P 和 2 a 0 而气压为  1 P 时是非 晶/ 5 a  0 微晶过渡区材料 中接近微晶一侧的过渡区材料 。   另外 , 我们从图 5 7中 可 以明显看 出: 和 在相同的气压条件下 , 其它工艺条件 比如温度、C的少许变 化  s 会导致样品具有截然不同的微结构。而且 , 电学方面的测试分析研究 (  光敏性和激活能) 也证实了这一点。   因此 , 在具体优化微 晶硅材料的生长条 件时, 一定要做更加细微的研究 。   对于 A系列优化 出来 的样品 (2P )  10 a 应用 于电池 上我们 已经制备 出 了效 率达 4 2 %, .4 电流密度  为      0 6 / m2 开路 电压 为 39 V 填充 因子为 5 .%的微晶硅电池L  。下一步将 2 . mA c 9m , 16 7 J     ,     B系列 中优化出的 1 P 和  0 2 a     10 a 5P 的样品条件应用于电池上做进一步深层次研究 。       4 结  论        本文研究 了用 V FP C D方法沉积的不同工作气压的硅薄膜。样品的厚度 测试结果表明: H -E V 沉积速率随      反应气压的增大而逐渐增加; 光敏性 和激活能测试 结果 给出了相 同的变化 规律 ; 傅立叶变换红外测试和 x       射线衍射结果都表 明样品 已晶化 ; 室温喇曼谱 明显地表 明沉积条件对材料 性能的影响很大; 另外 , 在相同的      气压条件下 , 其它工艺条件的变化对 材料 的结构影响也很大 ; 优化制备  出了器件级 的微晶硅材料及过渡区      材料 。       参 考 文 献      Cl e vr J.   .  . e B ao[] ^ 用   l hi   . ,        [ Mi JHu ir , p H ea C ptM rrti I】dr d a  l 1 e ̄ , lkeR ] e cg   p ,t1 o l ioyan p—Sac  1  a妇      . m e ccsl e - e l J   . l     19 9 4,6 5:8 0. 6       [] Mi , me , lz , t1 O  e yoa s i  f i c h  -l i nSa Cl b e” iom h  2 e 口J T 's P tR ea  nh   wr   g E ie y ifmSi   l es yh Mc m p ”  r P a    . t Wa t d H h cn T n i l n o or l t    r     .   .     [] M t.Rs J. ar e. e       Prc. 9 6,4 0:3 1   o ,1 9 2 -4.     [] Go , od M, uaa ea. g a  eotn f ie yai   lo Ui Cnei aP m oha Cei l ao  ̄ 3  u LH K o  Fkw M,  H hRtDp i   Mc r tle i n 8l ovno l l  m- ac htc Vpr   n t1 i e si 0 r sl Si o c n c page 6

 l g tn a n  ̄ na s [] J.枷 .J .   .Py. 1 8 Y(-  A : l1. hs ,9 , / 1 ) L16 9 20   【] Sa  , e ̄ ,  aa S ̄ i,t1 Mc r tleSina   4 hhA M i J Yltmv n ea. ie yai  l   d’ e l- a   r st i c n o n n     1 7. 8       i t   n o     ’ a e   l  es J . h  odFm , O2 绚  o: 9 Tn m S a Cl 【】 T/ S/ /s 20 , d or l n  ̄ . / 41 - 7      [] g lt MJ W n C Lev y . htodcvy n  clt i y f t s p—ii s o e b R e lm - ha d lY Vpr 5  r im  , ag , u s G Poenuti d0 aS bi  Ir i c Fm  Fr d da ok o ita  a l 0 n n c S l t i m y 删 P s avac Qe浏 a   a e e l o Dp i [] J N n r .S/s 1  1 1718 77  e,t J. . o- y o , 9 ,3— : 3.  ̄i n  o Cs / d 9 3 [] KlU Mi J Kpn H ea. riadI o o  t   e as  r kg Cm nn m i - :  d c i  ls I  6   o  , e ̄ , ep ̄ , t1 OiI n  c p ao M c nmf (y ̄  oafm   S Ha   - : Fm  耳 l e   gl   n rr n i hi  o i n口 i n p S H i P b t  e   yh Vr e y     Hg eun ( M z Go i I  Tcn u J. ar Rs i F q ec 7 H ) l D da ehi e[] M t . e  hr y 0 w s r q  e .     .       . r . 19, 7 :9 4  Po , 95 37 3- . c 4     [] 张晓丹 , , 7 朱锋 赵颖 , .H -E V 等 V F C D制备 的微  晶硅材料及 电池的初步研究 []太阳能学报 , O . P J. 2 4  O 1

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气压和溅射时间等工艺条件对所制备薄膜性能的影响。 ...[5] Juuga C K,Leea S B,Boo J H, et al...Films Gown on Si(100) and Si(111)Substrates[J...
非晶硅薄膜的性能与应用
红外吸收系数小,折射率高(3.0~4.0) 、热特性好等...得到研究和应用的主要是氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,...其中,PECVD 制备技术[9]具有对衬底温度要求低,易于...
低应力PECVD氮化硅薄膜的制备
低应力PECVD氮化硅薄膜的制备 隐藏>> 摘要: 摘要:研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺中射频条件(功率和频率) 对氮化硅薄膜应力的影响对于不同射频条件下...
薄膜硅太阳能电池研究发展
薄膜太阳能电池(?c-Si)的开压;抑制非 晶硅薄膜...1981 年,Tawada 等使用 a-SiC:H 作为 a-Si ...Buehlmann 分别使用 RF-PECVD 与 VHF-PECVD 沉积 ...
多晶硅薄膜的制备方法
放电等离子体对过程施加影响, 利用 PECVD 技术可以...同时,由于在一般的沉积气压下,气体分子与基团的自由...用 PECVD 方法生长 a-Si:H 薄膜,然后用热处理的...
2014国家自然科学基金资助名单-工程材料
结构演变对 Al–Si 合金组织与性能的影响及作用机制...磁薄膜的自组装与交换耦合机理研究周鸣鸽钢铁研究...基复合耐磨材料的气压辅助燃烧合成制备新技术和机理范...
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