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PECVD法生长氮化硅工艺的研究


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吴 清 鑫 等 : E VD法 生 长 氮 化 硅 工艺 的研 究  PC

P C E VD 法 生 长 氮化 硅 工 艺 的研 究 
吴清 鑫  陈光 红  于  映  罗仲 梓。 , , ,  
( . 州市职 业大学 电子信 息工 程 系 , 苏 苏州 2 5 0 ;2 福 州 大学 物理 与 电信 工程学 院 , 1苏 江 114 . 福建 福州 3 0 0  ̄ 5 0 2 
3 厦 门大学 萨本栋 微机 电研究 中心 , 建 厦 门 3 1 0 ) . 福 6 0 5  摘 要 : 采 用 了等 离子体 增 强化 学 气相沉积 法 ( ls   pa —  

PC E VD-E标 准型 等离 子 体 化 学 气相 淀 积 台 , 用 气  2 使
体 : i ( N2 释 , 1  SH4和 NH3 SH4 由 稀 含 2 i ) 。   在 直径 为 2 mm 的石英 基 片上旋 涂聚酰亚 胺 固化  5 后, 聚酰 亚胺厚 度 约 为 2 m, 聚 酰 亚胺 上 用 P C     在 E VD

mae h n e h mi l a o e o i o , E VD) ~n a cdc e c   p r p s in P C av d t 在聚 

酰 亚胺( oymie P ) p li d , I 牺牲层 上 生 长 氮化 硅 薄膜 , 讨论  沉积 温度 、 射频功 率 、 应 气体流 量 比等 工 艺参数 对 氮  反
化硅 薄膜 的 生长 速 率 、 氮硅 比、 余 应 力 等 性 能 的影  残 响 , 到适合 制作接 触 式射频 ME 得 MS开 关 中 悬梁 的 氮  化硅 薄膜 的最佳 工艺条 件 。   关键词 : P C E VD; 氮化硅 ; 酰 亚胺 ; 余应 力 ; 频  聚 残 射
M E S开 关  M

法 生长氮 化硅 薄 膜 。 调节 各 项 工 艺 参 数 : 度 、 率 、 温 功  

工作 气 压 、 体 流 量 比等 得 到 了 适 合 于 制 作 射 频  气
ME MS开关 中悬梁 的 生长 工艺条 件 。  

3 结  果   
31 P C .  E VD法 生长 氮化硅 薄膜 的原 理 

中图分 类号 : T 0   N3 4

文献标 识码 :   A

文章编号 :0 19 3 (0 7 0 — 7 30  1 0 -7 1 2 0 ) 50 0 - 3

P CVD法 生 长氮 化 硅 薄膜 是 利 用非 平 衡 等离 子  E 体的一 个重 要特 性 , 等离 子 体 分 子 、 子 、 子或 激  即 原 离 活基 团与周 围环 境 相 同 , 而其 中非 平 衡 电子 则 由于 电  子质量 很小 , 其平 均 温度 可 以 比其 它粒子 大一 、 二个 数 

1 引 言     
氮化 硅薄 膜 具 有 高 介 电常 数 , 绝 缘 强 度 , 电  高 漏
低, N 对 a和水 汽 具 有 好 的 阻 挡 能 力 等 优 良的 物 理 性  能 。作 为钝化 、 隔离 、 电容 介 质 等 , 泛应 用 于微 电子  广

量级 , 因此在 通常 条件 下 , 在高温 才能实 现 的许 多化  要 学反应 , 由于非平 衡 电子具 有很 高 的能量 , 能在低 温  就
下 实现 。如通 常需 要 8 0 0 ℃以上 才 能生 长 的氮化 硅 薄 
膜 , 这 种 方 法 只需 2 0 3 0 就 能生 长 , 是 器件  用 5 ~ 0℃ 这 目前 唯 一 能 在 低 温 条 件 下 生 长 氮 化 硅 的 C VD 工 
艺 ~    。

工艺 中。另外氮化 硅薄 膜还 具 有优 良的机械 性 能 和 良 
好 的稳定性 , 以在 新 兴 的 微 机 械加 工 工艺 中 的应 用  所 也越 来越广泛 [ 。 1  ]
聚酰亚胺 是一 种高 分子 材料 , 但具 有 耐腐 蚀 、 不 耐 

高温 、 抗有机 溶剂 的侵蚀 性 能 , 而且具 有 良好 的 平坦 化  性能 和粘 附性 能 , 在 氧 气环 境 下用 等 离 子 去 胶 机 去  可 除 , 作 为牺 牲 层 的理 想材 料 [ ] E VD法 能 在 低  是 2 。P C   温下生 长 出致 密 的 , 具有 良好 化 学 稳 定 性 和 优 良的机  械性能 的氮化 硅 薄 膜 , 以用 P C 所 E VD法 生 长 的 氮化  硅薄 膜 广 泛 地 应 用 在 ME MS 领 域 。接 触 式 射 频  ME MS开关 中是 在牺 牲 层 聚 酰 亚 胺 上 生 长 氮化 硅 薄 

有 3种反 应 能生 长 出氮化硅 薄膜 [ : 7  ]
3i S H4+ 4 NH 3 一 S3 iN4+ 1 H2 2   () 1  () 2  3i S HCl + 4 4 NH 3 — S3 — + iN4+ 1 HCl   2   3 i 4 2 4 H3 S H C1 + N 一

S3 + 6 iN4 HCl 6 + H2 ( ) 3 

32 P C .  E VD生长 工 艺研 究 

3 2 1 工 艺参 数对 氮化 硅 薄膜生 长速率 的影 响  ..

使 用 D ka3台阶仪 测 出 氮化 硅 薄 膜 的厚 度 , e tk 除  以薄膜 生 长时 间 , 到氮 化硅 薄膜 的生长速 率 。 得  
生 长速 率随 基 片温 度 变化 关 系 的 曲线 如图 1 a , ( )  在 功 率 为 20 、 作 气 压 为 2 a 气 体 流 量 比 , 5W 工 P、 , l   ( i ): ( S H4   NH3 =3 2 ) 8: O的条件 下 。生 长速率随 气  体 流量 比变化 的关 系曲线 如 图 1 b , ( ) 在功 率 为 2 0 、 5W   工作 气 压为 2 a 基片 温度 为 2 0 , P、 5 ℃ 固定 SH i  的气 体  流量 为 3 mlmi 8 / n的条 件 下 。生 长 速率 随 射频 功率 变  化而变化的关 系曲线如图 1 c所示 , () 在工 作 气 压 为  2 a基 片 温 度 为 20 、 体 流 量 比 ,( i  P、 5℃ 气 , Sl )l,  l , l
( NH3 一3 2 ) 8: O的 条件下 。  

膜, 氮化硅 作结 构 层 , 为悬 梁 的 可动 部 分 , 作 是射 频 开  关 的重要 部件 。所 以有必 要对 P C E VD 生长 氮 化硅 薄 
膜工 艺进行研 究 。   本 文研究 了 P C E VD法生 长 工 艺参 数 对 氮化 硅 薄 
膜 的应 力 、 硅 比 、 氮 生长 速率 等 的影 响 , 整 工艺 参 数 , 调   使得氮 化硅 薄膜从 厚 3 0 m 就 产 生 裂 纹 到厚 l m 完  0n  

好, 成功 地使用 在射 频 ME MS开关 中作 为悬 梁 的可 动  部件 。  

2 工 艺 实验 
实验 使 用 北 京 创 威 纳 科 技 有 限 公 司 生 产 的  



基 金项 目 : 家基 金 青 年基 金 资 助 项 目 (0 0 0 6 ; 建 省 自然 科 学 基 金 资 助 项 目( 3 0 1) 国 6 3 10 ) 福 A0 1 02  收 到初 稿 日期 :0 61—8 20 —01  收 到 修 改 稿 日期 :0 7O一 1 20 一l3  通 讯 作 者 : 清 鑫  吴 作者 简 介 : 清 鑫  ( 94 ) 男 . 建 云 宵 人 . 教 . 士 . 要 从 事 ME 吴 17~ , 福 助 硕 主 MS技 术 与 薄 膜 研 究 。  

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助 

锨 

材 

料 

20 年第5 3)   07 期( 卷 8

射频功率,v v 

图 1 氮 化硅 生长速 率 与基 片温度 、   气体流 量 比和射 频功 率 的变化 关 系 曲  
Fi    e g o ng v l ct   fslc n n t i e V   o n   e g 1 Th   r wi   e o iy o  ii o   ird   Sgr wi g t mpe a ur   n   h   a i  l   fr a t n   n   r t e a d t e r to fux o   e c a ta d RF  owe   p r

3 3 3 工艺 参数 对 氮化硅 薄膜 应力 的影 响  .. 对 微 电子 工 艺 来 说 , 械 应 力[ 0是 造 成 可 靠  机 1 ]  

性 问题 的一 个重要 原 因 , 括器 件 的电参 数 的漂移 、 包 退  化 等 。对 于微机 械 工 艺 来 说 , 械应 力 问题 就显 得 更  机 明显 。 因为许 多微机 械传 感器 的敏 感部 分就 是用 氮化  硅 薄膜 本身 做 成 的 。机 械应 力 会 引 起 薄膜 的翘 屈 , 严  重 影 响其机 械性 能 , 响 传感器 的灵 敏度 和线 性 , 至  影 甚 在膜 的形成 过程 中扭 曲或 开 裂 , 导致 薄膜 的制 作 失  而
Fi    EM  i t e o   iio   irde t n fl i   0 g 2S p c ur   fslc n n t i  hi  im n 2 0℃ 

败 。P C E VD法 氮化 硅 薄 膜 的应 力 跟工 艺 条件 , : 如 温  度 、 体 的流量 比、 应 压 力 、 气 反 射频 功 率 等 有 着密 切 的 
关系 。  

c n ir d   e re a d 2 0 e tg a ed g e  n   5 ℃ c n ir d   e r e e tg a ed g e  

3 2 2 工艺参数 对氮化 硅 薄膜 氮硅 比的影 响  .. 氮化 硅薄膜 的氮硅 比由 X射 线光 电子谱 ( P ) X S 测  试计算 得到 。经 研究发 现 氮化硅 薄膜 中氮和 硅 的 比例  在接近 氮化硅 的化学计 量 比 4; 3时 , 薄膜 的残余 应力 
值 较 小 , 远 离 化 学计 量 比时 , 膜 的 残余 应 力 值 增  而 薄 大 。所 以有必要 研究 薄膜 中 的氮 硅 比。  

若 各项 工艺 参 数组 合 不 当 , 氮化 硅 薄 膜 的厚 度 为  3 O t 时就 会产 生 裂 纹 , 图 4 a , 明 氮化 硅 中 的  0n o 如 () 表 张应力 很大 ; 当氮 化硅 中的压应 力很 大时 , 化硅 薄膜  氮
会 起皮 、 落 , 脱 如图 4 b 。 ( ) 

在 功 率 为 2 0 、 作 气 压 为 2 a 生 长 温 度 为  5W 工 P、

10 0 ℃的条件下 , 测得不 同气 体 流量 比下 生长 的 氮化硅 
薄膜 的氮硅 比, 表 1 图 3是用 X S测 量 10 如 。 P 0 ℃时  生 长氮化硅薄 膜 的测 量 曲线 。   表 1 不同气体 流量 比时 氮化硅 薄膜 中的氮硅 比   
Ta e 1 Th   r o to   e we n n t o n a   iion bl   e p op r i n b t e   ir ge   nd slc  

i   i c n n t i e t i  i wi   i e e tr t   n sl o   i    h n f m  t d f r n   a i i rd l h f o fu   fr a t n   l xo  e ca t
sH   lN H 3 j     3      8 l5 3    5 8 l1   N  Si l   1 02   1 . 8   1 2  1 .1 7   Si { :N H 3 H   3 :8 8   3   2   8l 0 N :Si   1 065 1 .     1 55 1 .1    
SN1 O i :O ℃ 

Fi     he   e s l  t e s a d c m p e s s r s  s t   g4W n t n ie s r s   n   o r s   t e s i  oo

g e t t e i c n ird   h n f m  r z s n   r a , h  sl o  n t i e t i   i c a e  a d i l b e k   f  ra so f

若 调整组 合 好 各 项 工 艺参 数 , 在 聚 酰亚 胺 上 生  可
长 厚度 为 lt 的氮化 硅 薄膜 , p m 并可 应用 于射频 ME   MS 开关 中的悬梁 , 图 5所示 。 如  

4 讨  论 
4 1 工艺参 数与 氮化 硅薄 膜生 长速 率的 关系  . 
一 .  

由图 1 a 可 看 出 氮化 硅 薄膜 的 生 长速 率 随 温 度  () 的升高 而下降 。一 方 面这 是 因为 在 P C E VD生长 氮 化 

图 3 X S测 量 1 0 时生 长 的氮化硅 薄膜    P 0℃
Fi   The c ur  o  slc n ird  i  1 0℃ g3  pit e f ii o  n t i e n 0 g a e de e   y XPS r d   gr e b     c nt— e i 

硅 薄膜 的过程 中 , 体 的等 离 子 体在 基 片表 面沉 积 和  气 挥 发两 种机制 同时进行 , 随着温 度 的升高 , 面沉积 量  表
和挥发 量都会 升 高 ; 是 当温度 升高 到一 定值 后 , 发  但 挥 量 与表 面沉积 量 之 间 的 平 衡 被 打破 , 发 量 大于 表 面  挥

沉 积量 , 以最终 淀积 到基 片表 面 的速率 会下 降 ; 一  所 另

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方面, 随着 温度 升 高 , 子 具 有 较 高 的 能 量 , 分 能运 动 到 

生的  ] 。氮化 硅薄 膜 和硅 片的 热膨胀 系数相 差不 大 ,  

基 片上合适 的位 置 , 氮 化硅 薄 膜 变 得更 致 密 , 图 2 使 如   所示 。温度 升高 时 , 化硅 薄膜 的 生长 速度 减慢 , 密  氮 致
度增 大 。图 2 a 是 2 0 () 0 ℃生 长 的 氮 化 硅 薄 膜 的 S M  E 图片 , 晶粒较 大 ; 2 b 是 2 0 图 () 5 ℃生 长 的 氮化 硅 薄 膜 ,  
晶粒 较小 , 致密 。 较  

都 在 1  K-[3 o 11 数量 级 , 聚 酰亚 胺 的热 膨胀 系数 达  3 而
到 1   K- [ 数 量级 , 以 当冷却 后 , O 17 3 所 氮化硅 薄膜 与聚  酰 亚胺 之间产 生 较 大 的 热 应 力 , 并且 热应力 表 现 为 压 
应 力 。通 过 调整 工 艺参 数 , 氮化 硅 薄 膜 的本 征 应力  使 为 张应力 , 以与 热应 力互 相抵 消 , 而可 在聚酰 亚胺  可 从 牺牲 层上 沉积 低应 力 的氮化 硅 薄膜[   1  。

5 结  论   
采用 P C E VD法 沉 积 氮 化 硅 薄 膜 , 以通 过 调 节  可 基 片温度 、 反应 气 体 流 量 比、 频 功率 、 作 气 压 等工  射 工

艺参 数 , 得所 需 的氮化 硅薄 膜 。另外 , 获 以上 所讨 论 的  各个 工艺参 数对 薄膜 的影 响都 是在 固定 其它 工艺 参数  的条件 下进 行 的 , 实 各 个 工艺 参 数 对 薄膜 的影 响不  其
Fi    EM  it r   f me a — t lc n a tRF M E S g5 S p c u e o   t lme a   o t c     M  
s th wic  

是 单一 的 , 而是 它们 互 相 作用 共 同对 氮化 硅 薄膜 的影  响 , 以必 须对所 有 工艺 参数 整体考 虑 , 所 通过 实验 获得 
最 佳工 艺 条 件 。我 们 已在 基 片 温 度 为 2 0 射 频 功  5 ℃、 率 为 10 、 5 W 反应 气体 流 量 比  ( i ): ( SH    NH。 =3  ) 0 : 0 / n 反应 气压 为 5 a的 条件 下 , 积 l m 厚  2 mlmi、 P 沉 b t 度 具有稍 微 张应 力 的氮 化 硅 薄膜 , 并把 氮 化硅 薄 膜 制  作成 桥式 梁 , 功应 用在 R   MS开关器件 上 。 成 F ME  
致谢 : 感谢 国家 留学 基 金 项 目的大 力 支持 !  

由图 1 b 可看 出氮 化硅 薄膜 的 生长 速 率 随 NH。 ()  
流量 的增加 而增 加 , 是 因为 当 NH。流 量 增 加 时 , 这 生 

长 出的氮 化硅 中的 H 含 量 增加 , 膜 中 的 S —H 键 、 薄 i   N—H 键含 量增加 , 而使 得氮 化 硅 变得 疏 松 , 薄膜 生 长  速率 加快 。   由图 1 c 可 看 出氮 化 硅 薄 膜 的 生 长 速 率 随 射 频  ()
功率 的增大先 增大后 减 小 。这 是 因 为随 着射 频功 率 的  增加 ,式 1 的反 应加 速 , 长 速 率增 加 ; ( ) 生 同时 , 频 功  射 率加 大时 , 板 间的 电 压加 大 , 极 对基 板 具 有轰 击 作 用 ,   把基 片上的 氮化硅薄 膜打 实 了 , 率再 进 一步 加 大 , 功 就  会 出现类 似“ 射” 象 , 而 , 溅 现 从 从而 氮化 硅 薄膜 的生 长 

参 考文献 :  
[ 3 赵 永 军 , 民娟 , 1 王 杨拥 军 , [ ] 半 导体 学 报 , 99 2  等. J 。 19 ,0
( ): 8 - 8 . 3 131 7  

[ 3 邓俊泳 , 勇建.J . 2 冯 [] 微纳 电子技术 ,0 3 4 32 3 20 ,:0 3.   [3 庄同 曾, 3 张安康 , 黄兰 芳. 集成 电路 制造技 术一 原理与实 
践I . 京 : - M] 北 电子 工业 出版 社 ,97 18 .  

速率有缓 慢 的下降 。   4 2 2 工 艺参数 与 氮化硅 薄膜 中氮硅 比 的关 系  .. 由表 1 可看 出 , 着 NH。的 气 体 流 量 升 高 , 化  随 氮 硅 薄膜 中的氮硅 比逐 渐增 大 。这 是 因为 P C E VD 生长  氮 化硅薄膜 , NH。流量 增 大 时 , 膜 中 N H 会 增  当 薄 — 多, 从而薄 膜 中氮 的含 量会 增 高 。气 体 流量 比从 3   8: 5变化 到 3 2 8: 0时 , 化硅 薄 膜 中的 氮硅 比从 1 0 8 氮 . 2  : 增 大到 1 1 5;1 更 接 近 氮化 硅 的 化 学计 量 比 4 1 .5 ,   : 。在实 际制作薄 膜时 氮硅 比很 难达 到化 学计 量 比, 3   这是 因为薄膜 中仍 含 有 一 些 H 元 素 , 别 与 N 和 S  分 i
形 成 N H 键 和 S— H 键 。由图 3 P — i X S测 量 图片可看  出, 薄膜 中除 了有 N 元 素 和 S 元 素 两 个 主 要 的 峰存  i

[3 胡耀 志 。 4 黄光周 , 于继荣. 电产 品微细加 工技术 与工 艺  机 [ . 东: M3广 广东科技 出版社 ,9 3 19.  
1 3 C mp e   微 电 子 制 造 科 学 原 理 与 工 程 技 术 [ . -   a blSA. 5 l M] 北 
京: 电子 工业 出 版 社 。 0 3 20.  

[ 3 唐元 洪。 6 等.I3 湖南大学学报 。9 6 2 ( )4-4 -. J 19 。3 1 :24 .   [ 3 徐 泰然. MS和微 系统一设计 与制 造I . 7 ME - M3 北京 ; 机械 
工 业 出 版 社 。0 4 2 5 2 0 .6 .  

I 3 周 志 烽 。 玉 殿 .J . 空科 学 与 技 术 ,9 6 1 (5 :4 - - s 范 I3 真 - 1 9 。 6O ) 37 
35   4.

[3 于 9
54  .

映. 陈

跃. J . 空科 学与技术 ,0 1 2 ( 1 : 1 []真 2 0 。 1 O ) 5-   颖. 李 艳 。 I3 北京师范 大学 学报 (   等. J . - 自

[0 叶小琴 。 13 许
[ 1 吴 清鑫 , 1] 于

在, 其它仍 有几个 明显 的杂 质形 成 的能 量峰 。   4 2 3 工 艺参数 与氮 化硅 薄膜 中应 力 的关 系  ..
实验 发现 , 同样 的沉 积条 件下 , 硅 片上 沉 积 的  在 在 氮化 硅薄膜 不裂 , 在 聚 酰 亚胺 上 沉 积 的薄 膜 却 出现  而

然 科 学 版 ) 2 0 ,0 2 : 2 - 2 . 。 0 4 4 ( ) 2 12 3  

映 。 仲 梓 . . J . 美 大 学 学报 ( 然科   罗 等 I3 集 - 自

学 版 ) 2 0 ,0 Z ;6—6 . ,0 5 1 ( ) 1 0 1 3 

了裂痕 , 主要原 因是 由于 聚 酰 亚胺 和 氮化 硅 薄 膜 之  其 间 的热膨胀 系数 不 匹 配 导致 残 余 应 力 过 大 而 造 成 的 。  

( 下转第 7 0页) 1  

残余应力由本征应力和热应力两部分组成 , 本征应力  是在薄膜沉积过程中由于薄膜本身某些结构不完整性  和缺 陷而产生 的 ; 热 应 力 是 由 于 薄膜 和基 片 的热 膨  而 胀 系数 的不 同 以及 成膜 的温 度与 测量 时 的温 度 不 同产 

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7  l 0
4 结  论   

助 

材 
8   2.

料 

20年第5 3)   07 期( 卷 8

[ ] 日本 化 药 株 式 会 社 . P . 国 专 利 :9 10 7 . , 9 4 3  []中 4 9 65 2 19 .  
09 0   - 9.

直接灰 D( ) 亚 硝 酸钠 重 氮化 后 与磺 基 水 杨  GD 用 酸 ( S 偶合得 到一 种 三 偶 氮 染料 GD A,用 GDS   S A) S A 与 聚乙烯 醇共混 制备 的膜 的偏 光性 能 比 GD在 相 同条  件下制备 的膜有 明显 提 高 , 光 度 > 6  的 波 长 范 围  偏 O 由 GD的 5 0 5 n 变为 GD A 的 3 0 7 n 加  5  ̄6 0 m S 5  ̄6 0 m,

[ ] Gh ndae   4 a azd hA.T jl  。Zrc  e a. J . p cr. aa i lH i kP,t 1[] S eto  a  
c m ia A c a Pa tA . 04. O: 2 — 93 . hi c   t  r  20 6 29 5 2 2 

[ ] 龚 建 勋 , 正 义 . 万 奇 . J . 晶 与 显 示 ,0 4 1 ( )  5 刘 邱 [] 液 20 ,94 :
259  .

[ 3 吴 赛骏 ,钱  卫 ,夏 宗炬. J. 6 [] 红外与 毫米 波,0 1 0 2 0 ,2 
( ) 4. 5 :3 3 

宽 了约 2 0 m。 2n  
该染 料与 C 抖 有 一 定 的 配合 能 力 , p u 在 H=4 6 . 

[] C ir o   7  hgi v V。P u nk v  n rd io aE,Koe k vV. J . Lq i zn o  [ ] iu   d
Cr s as 0 2 9 1 ) 3 1  y t l ,2 0 .2 ( 0 :1 2 .

的醋酸一 醋酸 铵 缓 冲溶 液 中可形 成 1:1的配 合 物 , 表  观稳定 常数 K=6 2 0 , S . ×1 。 GD A+Cu 与 聚 乙烯 醇  抖 共 混制备 的 膜其 偏 光 性 能 比 GD A 膜 又有 一定 程度  S

[] R u    Ak tr 。 n l . J.D e n  im n , 8 a f M。 he  Kawa S [] ysadPg e t A z    
20 0 4。6 ( ) 1 . 3 2 :2 3 

的提高 , 中 30 40 m 区间 内 的偏 光 度 提 高 幅度  其 5  5 n
较 大 , 出 的新 功 能 是 具 有 很 强 的 吸 收 2 0 3 0 m  突 0 ~ 0n 远 紫外线 的能力 。   参考文献 :  
[ ] 万博 全, 1 张百 哲, 高鸿 锦 。 . J . 电子技 术 。 9 8 i  等 []光 19 。 i
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2 4. 36  00 .

[ O  郑 怀 礼 。龙 腾 锐 ,祝  艳. J . 谱 学 与 光 谱 分 析 , 1] [] 光  
20 0 4。2 ( ):1 4  41 1.

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2 0。 1 00 5: 84.  

[ 2 付  华 . 清 成 。 1] 王 王  娜 . J . 细 化 工 , 06 2 ( )  []精 2 0 ,3 4 :
3 . 37  

[ ] 张公正 , 2 周名 华, 蔡建 强 。 [ ] 功能 材料 .9 5 2 ( )  等. J . 19 。6 1 :

U -i setu a dp l i dl h rp r  f D A C ( )me l o l e  V vs p crm n  oa z   g t o et o  S - u H   re i p y G t   mpe s ac x
W ANG  n —h n Qig c e g,W ANG  eme,Z Xu - i HANG  a Hu n,F Hu ,ZHUANG i U  a Ja  
( eS h o  fM a eil ce c   n   gn e i g  Th   c o l   tra  in ea d En i e rn , o S S u h s  ie st  ce c   n   c n lg ,M in a g 6 1 1 Ch n ) o t we tUnv r i S in ea d Te h oo y y a y n   2 0 0, ia 
Ab t a t Th e   O  y   sr c : r e AZ d eGDS wa   c i v d b   o p i g r a t n wih S A  n   A  sa h e e   y c u l   e ci   t   S a d GD h td a o ia e   y s d u n o t a   iz t t d b   o i m  z

n ti .Th   i t re eUV- i p cr m  fGDS Cu wa  t de .I  h   H= 4 6 twa o n  h tt ec mpe Cu vss e tu o  A- 抖 ssu id n t ep . ,i   sf u d t a h  o lx厂  

( Ⅱ)( S ]fr d a di  p aetsed osat sK表一 62×1  GD A) ome , n t a prn taycntn    s wa . 0.Th  oai dl h i   ee eP lr e g tfmsw r  z i l
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Th   e u t  e r s ls

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Th   t d   n t c no o e su y o  e h l   f rt  iio   ti e t i   imsb   o  heslc n nird  h n fl   y PECVD 
W U  n —i  CH  Gu n — o g ,YU  n   LU0  h n —i Qigxn , EN  a g h n   Yig , Z o gz。  
( . p rm e to  lcr ncI f r ain En i e rn S z o   c t n lUn v riy S z o   1 1 4 Chn ; 1 De a t n   fE e to i n o m to   gn e ig, u h u Vo a i a  ie st , u h u 2 5 0 , i a  o
2 De a t n   fElc r n c S in ea d Ap l d Ph sc , u h u U n v r i F z o   5 0 2, i a   . p r me t   e t o i c e c   n   p i   y is F z o   i e st o   e y, u h u 3 0 0 Ch n ;

3 Pe — n   a   EM S Re e rh Ce tr Xime   ie st , a n 3 1 0 , ia  . n Du g S h M   s a c   n e , a n Un v r iy Xime   6 0 5 Chn )
Ab ta t Th   i c n n t i e t i   i s a e d p st d o   o y mi e s c iii lly r b   ECVD Th  n l e c   f sr c : e sl o   ird   h n fl   r   e o ie   n p l i d   a rf a  a e   y P i m c e i fu n e o  


t ep o e sp r mee s s c   s tm p r t r , o r t e r t   l x o  e ca to   h   e i u ls rs  n   t e  h   r c s  a a t r  u h a  e e a u e p we , h   a i fu   fr a t n  n t e r sd a  te sa d o h r o

c a a t rsiso  ic n ntiet i i sa eds u s d Th   p i u p o e sc n iin i o tie a dt esl  h r ce itc  fsl o   ird  hn fl  r  ic se . eo t i m m m  r c s  o dto     b an d,n  h  i. s i c n ntiet i i sd p std b  h   r c s  o dt n h v   e n s c e su l  p l d i    EM S s th o   ird  hn fl   e o i   yt ep o e sc n ii   a eb e   u c s f l a pi  nRF M m e o y e  wi c
K e   r s:PECVD ; iio   t i e; o y m i ; e i u ls r s ; y wo d slc n nir d p l i de r s d a  te s RF  EM S s th  M  wic
. 


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