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EBSD分析技术在镁合金晶粒尺寸表征中的应用


第28卷第1期 2009年2月

电子显微学报
Journal of Chinese Electron Microscopy Society

V01.28.No.1

2∞9.2

文章编号:1000-6281(2009)01-0020-03

EBSD分析技术在镁合金

晶粒尺寸表征中的应用
汪炳叔,辛仁龙,黄光杰,陈兴品,刘
庆。
(重庆大学材料科学与工程学院,重庆400044)
摘要:分别使用金相法和电子背散射衍射(EBSD)自动分析技术对A7_31锾合金轧制退火态样品进行晶粒尺寸表 征。发现用金相法统计晶粒尺寸时,受制样手段和相机分辨率的影响,有些晶界很模糊,造成统计的晶粒度偏大。 而用EBSD技术可重构出清晰的晶界,进行快速便捷的自动表征。在处理EBSD数据时,对如何消晗取向噪声及伪 对称性对晶粒尺寸表征中带来的不利影响进行了讨论。 关键词:EBSD;晶粒尺寸;取向噪声;伪对称性 中图分类号:TC,113.1;"IFl25.2+2;TGll5.21+5.3;TGll5.23
文献标识码:A

晶粒大小是金属材料的一个重要参数,是影响 材料塑性和韧性的重要因素。晶粒度是用于描述晶 粒大小的参数,常用的定量表征方法:单位体积的晶 粒数目;或单位面积内的晶粒数目;或晶粒的平均线 长度(或直径)。目前对金属材料晶粒尺寸的表征主 要依赖于金相微观组织的晶界,但受制样手段及相 机分辨率的限制,某些特殊晶界,如小角度晶界,很 难用常规的腐蚀方法清晰显示出来,统计出来的晶 粒尺寸与实际尺寸有一定的偏差,而且效率较低。 近期,镁合金作为最有潜力的金属结构材料受到了 广泛的关注,并利用EBSD技术分析其在变形退火 过程中微观组织及织构演变是研究的热点之 一【I-3]。EBSD自动分析技术可以获得样品中不同 晶粒之间的取向差,通过取向成像技术,重构出与取 向有关的微观组织结构,进而对晶粒尺寸进行快速 定量表征H。1。 1

金相组织。常用的统计金相组织晶粒尺寸的方法是 割线法,沿着横向和纵向随机划线,测量线的长度, 然后再计算线穿过的晶粒个数,可以得到大概的晶 粒尺寸。图lb中,横向和纵向各划7条线,横向平 均晶粒尺寸为11.8“m,纵向的平均晶粒尺寸为
13.2

pan,平均晶粒尺寸为12.5

pan。

EBSD技术可以获得样品中不同晶粒的取向,根 据取向信息重构出对应的微观形貌。取向差分布与 位置的关系可以得到不同位置处界面特征信息。通 过每个取向计算相邻晶粒间的取向差,可确定该取 向位置是在晶内还是晶界,是小角度晶界还是大角 度晶界哺1。 目前HKL
Channel

5软件包所提供的晶粒度表

征有割线法和晶粒重构两套方法。EBSD所提供的 割线法与传统的金相割线法相似,也是通过计算一 条割线在相邻晶界间的长度,不同的是EBSD割线 法要人为给定一个设定值来定义晶界角(即临界取 向差),进而定义晶界。由于取向噪音的限制,该设 定值一般取20,低于该设定值的晶界则被忽略。晶 粒重构法也要先给定一个临界取向差的设定值,一般 为z,该方法受取向噪音的影响相对小,更适用于表征 退火态的晶粒尺寸。图2是A731镁合金轧制退火态 样品的EⅨ渺图。采用割线法,软件算出的横向平均晶 粒尺寸8.5 t.an,纵向平均晶粒尺寸8.9 pan,平均晶粒尺

实验
本文采用AZ31镁合金轧制退火态的小尺寸晶

粒样品,对其微观组织分别进行金相和EBSD研究。 采用乙酸苦味酸溶液(2 ml乙酸+1 g苦味酸+5 水+20 Illl酒精)腐蚀,在PME
ml OLYMPUS TOKYO型

金相显微镜上进行金相组织观察,采用商用的AC2 抛光液进行电解抛光,利用Nova 包对样品进行表征分析。
400

Nano—SEM型场
Channel

发射扫描电镜的EBSD系统和HKL

5软件

寸8.7肿。采用晶粒重构法,软件算出的平均晶粒尺
寸9.8肿。可知对于轧制退火态A731样品三种方法
测得的晶粒尺寸为:金相组织割线法>E瑛渺晶粒重构 法>EBSD割线法。

2结果与讨论
图1显示的是AZ31镁合金轧制退火态样品的
收稿日期:2008.11.16

基金项目:国家重点基础研究发展计划(973)(No.2007CB613703),国家科技支撑计划项目(No.2006BAE04809-1). 作者简介:汪炳叔(1982一),男(汉族),博士研究生.E-mail:hswang@cqu.edu.Oil.

-通讯作者:刘庆,E-mail:qiagliu@cqu.幽.曲.

万方数据

第1期

汪炳叔等:EBsD分析技术在镁合金晶粒尺寸表征中的应用

21

图1

AZ31镁合金轧制退火态样品的金相组织。a:金相微观组织;b:割线法测晶粒度。Bar=50
Fig.1 Optical microstmcture of the rolled and annealed AZ31 magnesium

pan

alloy:(B)micrograph;

(b)measurement

d gI:a1.size by line intercept

method.Bar=50肿

图2

AZ31镁合金轧制退火态样品的EBSD图。a:取向成像图(Bar--100胛).b:剖线法;c:晶粒重构法
Fig.2

EBSD眦pB of rolled

and annealed A731 magnesium alloys.a:Orientation

map(Bar----100 tan);

b:Line intercept method;c:Grain reconstruction

从上面的统计结果可见,用金相法统计的晶粒 度明显大于用EBSD法统计的晶粒度。在金相制样 过程中,有些晶界很难用常规的腐蚀方法清晰显示 出来,如图1a中的A、B、C三处,加上相机分辨率的 限制,有些晶界很模糊,在统计晶粒个数时,可能会 把实际上是多个晶粒的地方当做一个晶粒来统计, 造成统计的晶粒尺寸偏大。 EBSD技术使用相邻晶粒取向信息重构出的晶 界较清晰,而且统计过程快速方便,如割线法,可以 根据研究需要随意设定划线的条数。统计过程中每 个晶粒都有编号,可以方便地查看对应的晶粒尺寸。 对于完全再结晶得到的大角度晶界材料,EBSD方法 所测得的结果比较准确。割线法的划线带有一定的 随机性,而晶粒重构法统计的是全部晶粒,统计晶粒 尺寸时后者更合理更科学。对于变形而得到的亚晶 材料,EBSD方法由于忽略了众多的小角度晶界,所 得结果必须经过修正。 影响EBSD数据准确性的因素很多,包括角度 分辨率、扫描步长、扫描速度、误标点、伪对称性、取 向噪声等等。下面介绍两种优化数据的方法。

如果样品表面制备不够好,或者表征参数设置 不合理,会出现如图3a中的漫散取向点,这种点会 严重影响晶粒统计的准确性。这些点可能是取向噪 声或伪对称性造成的,噪声一般不明显影响织构表 征,但对分析小角度晶界的取向差有较大影响,所以 用EBSD测量材料晶粒度等参数时,为了扣除取向 噪声的影响,一般取20为测量晶粒度的临界取向 差,低于该临界值的晶界则无法加以表征。使用
HKL Channel

5软件包中的Tango子程序中的Noise

Reduction功能,可以减少取向噪声的影响(图3b), 从图可看出,晶粒中的很多小点已被消除。镁是密 排六方结构,容易出现300(0001)的伪对称性,也会 造成大量的误标点,在Tango子程序中,可先用Grain Detection中的Disregard定义伪对称性,然后用
Remove symmetric

misindexing功能,消除伪对称性的

影响(图3c)。经过数据处理后,可以消除一些误差 带来的影响,得到较为准确的晶粒,使得EBSD技术 对晶粒尺寸的表征的数据更可靠。
HKL Channel

5软件包功能强大,还有待使用者

进一步开发。

万方数据

22

电子显微学报J.Chin.Electr.Microsc.Soc.

第28卷

图3

EBSD数据处理示意图o a:初始状态;b:Noise
symmetdc

Reduction;c:Noise aeduction+Remove

mmindexiIlg.Bar=20岫
initial state;b:After noise reduction;

№.3

Sketch maps of EBSD data

pII袱娜i嵋.a:At

c:After noise reduction and removing symmetric

misindexing.Bar:20/an



结论
通过对比金相法和EBSD法对AZ31镁合金轧
[3]

Az3l[J].Materials
—484:576—579. Yang P,Yu

Science and

EIlgi舱ed玛A,2008,483

Y,Chen

L,Mao

W.Experhnental

制退火态样品晶粒度的表征,可看出用金相法统计 晶粒尺寸时,受制样手段和相机分辨率的影响,有些 晶界很模糊,造成统计的晶粒度偏大。而用EBSD 技术,可重构出清晰的晶界,进行快速便捷的自动表 征。使用m儿Channel 5软件包提供的工具,可以优 化EBSD数据,消除取向噪声及材料伪对称性带来 的不利影响。EBSD分析技术不仅是研究织构的有 利工具,也是测量材料晶粒度的有力手段。 参考文献:
[1] [6】 【5] [4]

determination and theoretical prediction of twin orientations in

ma印esium

Mloy

AZ31[J】.Scripta

Materialia,2004。

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张寿禄.电子背散射衍射技术及其应用[J].电子显 微学报,2002,(5):703—704.
Huang X, nanflei!N. in tensile Grain strained orientation effect

on

mic瓤培眦tlIIe

copper[J】.

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蒋佳,刘伟,Godfrey A,刘庆.AZ31镁合金孪生行为 的EBSD研究[J].中国体视学与图像分析,2005,10:
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Jia玛J,c,ed蛔A,Liu
analysis of tWiIllliDg zn

W,Liu Q.Identification and
of


[7】

杨平,孙祖庆。毛卫民.取向成像:一种有效研究晶 体材料组织、结构及取向的技术[J].中国体视学与 图像分析,2001,6:50—54.

v曲出during compression

Mg-M-

alloy[J].Scripta

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[2]

Jiang J,Go曲呵A,Liu W,Liu Q.Microtexture evolution
via

[8]

杨平.电子背散射衍射技术及其应用[M].北京:冶 金工业出版社,2007.7.

deformation憎iIlIli】唱and slip during

compression 0f

Applications of EBSD in
●■

measuring the grain size
● ’●

Or-magnesium

allOy

WANG Bing-shu,XIN Ben—long,HUANG Guang-jie,CHEN Xing—pin,LIU Qing。
(College of Material Science and Enginl埘ing,Chongqing University,Chongqing,400030,China)

Abstract:The line

iIIterce—On

method

in州cal

micr06cope and EBSD
tO

automation analytical method in SEM

were

used

to characterize the

groin sizes of annealed A731 magnesimn alloys.Due 帅me口aiⅡs
can are

the problems in sample preparation and the be

limited瑚olufion

of optical microscope,

often obscure in

micrographs and

can

not

identified.In

contrast

to

o蛐cal

microscope,the grain boundaries in EBSD maps microscope and EBSD automation method

be

line intercept method clearly,quickly and automatically identified.Hence,the

in删cal

were

compm怕d in measuring

the咖size

of nmgnesium

alloy.It脚shown

that PdgUbOn must be taken in processing EBSD

data

tO

obtain briefly

m朗msful

results.Moreover,the negative

effects of noise and artificial町mmetIy in characterizations of grmn size b,r EBSD

were

discussed in this anId,r. Keywords:EBSD; size;noise;pseudo-symmetry

万方数据

EBSD分析技术在镁合金晶粒尺寸表征中的应用
作者: 作者单位: 刊名: 英文刊名: 年,卷(期): 被引用次数: 汪炳叔, 辛仁龙, 黄光杰, 陈兴品, 刘庆, WANG Bing-shu, XIN Ren-long, HUANG Guang-jie, CHEN Xing-pin, LIU Qing 重庆大学材料科学与工程学院,重庆,400044 电子显微学报 JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY 2009,28(1) 0次

参考文献(8条) 1.Jiang J.Godfrey A.Liu W.Liu Q Identification and analysis of twinning variants during compression of a Mg-Al-Zn alloy 2008 2.Jiang J.Godhey A.Lin W.Liu Q Microtexture evolution via deformation twinning and sllp during compression of AZ31 2008 3.Yong P.Yu Y.Chen L.Mao W Experimental determination and theoretical prediction of twin orientations in magnesium alloy AZ31 2004 4.张寿禄 电子背散射衍射技术及其应用[期刊论文]-电子显微学报 2002(05) 5.Hnang X.Hansen N Grain orientation effect on microstructure in tensile strained copper 1998 6.蒋佳.刘伟.Godfrey A.刘庆 AZ31镁合金孪生行为的EBSD研究[期刊论文]-中国体视学与图像分析 2005(10) 7.杨平.孙祖庆.毛卫民 取向成像:一种有效研究晶体材料组织、结构及取向的技术[期刊论文]-中国体视学与图像 分析 2001 8.杨平 电子背散射衍射技术及其应用 2007

相似文献(10条) 1.期刊论文 贾涓.朱微微.代礼斌.宋新莉.袁泽喜 无取向硅钢晶粒与晶界特征的EBSD分析 -武汉科技大学学报(自 然科学版)2009,32(5)
借助电子背散射衍射(EBSD)技术测量和计算了无取向硅钢再结晶退火后再结晶百分比、晶粒尺寸、取向差分布等参数,分析了再结晶退火温度对无取 向硅钢晶粒大小、微观取向和耐蚀性的影响.结果表明,3个温度(810、840、880 ℃)下退火3 min后,再结晶均充分完成.随着退火温度的升高,再结晶晶粒 尺寸长大.拥有{100}面织构的晶粒比其他取向晶粒具有更好的耐蚀性,侵蚀后晶粒凸出于试样表面.880 ℃退火后的小尺寸晶粒周围多为小角度晶界,不易 迁移,不易被侵蚀.

2.期刊论文 曹圣泉.张津徐.吴建生.陈家光 IF钢再结晶晶粒尺寸、显微织构和晶界特征分布的EBSD研究 -理化检 验-物理分册2004,40(4)
对IF钢板的罩式退火工艺和连续退火工艺进行了模拟,并运用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了两种退火工艺处理的IF钢板的再结晶晶粒尺寸、显微 织构和晶界特征分布及其与二次加工脆性间的关系.试验结果表明,两种退火工艺的IF钢板在再结晶晶粒尺寸、显微织构和晶界特征分布上存在很大的差 异,这种差异导致了两种退火工艺的实验钢板在深冲性能和韧脆转变温度上的差异.

3.期刊论文 张丕军.刘相华.王国栋.ZHANG Pi-jun.LIU Xiang-hua.WANG Guo-dong 针状铁素体/马氏体高强度低屈 强比双相钢的EBSD研究 -东北大学学报(自然科学版)2007,28(1)
应用电子背散射衍射技术研究了具有针状铁素体/马氏体双相组织的高强度低合金钢的显微组织结构,且对其力学性能进行了检验.结果表明,这种钢 种的平均晶粒尺寸达到了2μm级,属于细晶粒钢;双相组织中的马氏体相的体积分数为27.6%,铁素体相的体积分数为70.9%,且两相晶界取向差的半数为小 角度晶界,有利于提高材料的塑性性能和形变能力,屈强比达到了0.674.讨论了晶粒尺寸、相体积分数和晶界取向差与材料力学性能的关系.

4.学位论文 王俊忠 半导体材料和器件的微结构与微区应力的EBSD研究 2007
随着微电子器件和光电子器件向着高速化和高集成度方向的迅速发展,半导体外延结构及金属互连线的微观结构特征,以及多层膜之间在制备和使 用过程中引入的应力,对电子器件的可靠性、使用寿命和出光率等起着关键的作用。 本论文采用高分辨热场发射扫描电镜(TFE-SEM)与电子背散射衍射仪(EBSD)的一体化分析系统,测试了微电子器件金属化系统和半导体外延系统中的 微结构、微织构及微区应力/应变特征,研究了微结构与半导体材料和器件制备工艺的相关性,以及对器件失效及可靠性的影响。 本项工作对EBSD菊池衍射花样的收集参数和标定参数进行了分析和优化,对TSL EBSD系统的空间分辨率进行了测评,得出空间分辨率约为 30nm~40nm。在此基础上,测试了超大规模集成电路(VLSI)中的Al互连线和甚大规模集成电路(ULSI)的Cu互连线,以及GaN/蓝宝石系统和GaAs/AlGaAs系 统中微结构及微区应力分布特征。 研究了采用传统的反应离子刻蚀工艺制备的Al互连线和采用大马士革凹槽工艺制备的Cu互连线的晶粒结构、取向、大小、形态及分布。结果表明 :沉积态2μm宽的Al互连线和Cu互连线的平均晶粒尺寸分别为120nm和60~70nm。Al互连线在300℃、2.5hr退火后,晶粒尺寸增大至180nm,且趋于均匀 ;Cu互连线随着线宽由0.5μ℃m增加到4μm,晶粒尺寸由30~40nm增大到80~90nm。350℃退火后,Al晶粒长大并呈近竹节结构,从而减小了金属离子沿 晶界的扩散,提高了互连线的电徙动失效中值寿命(MTF)和激活能(Q<,a>)。2μm宽沉积态的Al互连线具有很强的(111)丝织构,退火后(111)织构得到进 一步的发展。在Cu互连线中,沿大马士革结构的凹槽侧壁垂直生长的晶粒和孪晶使得(111)织构弱化。在Al互连线中,∑1晶界高达16.4%,并随着退火

温度的升高增加至18.7%;Cu互连线的∑3晶界(孪晶界)高达79.5%。孪晶界和小角度晶界这些低能构型的稳定晶界,均有利于提高互连线抗电徙动的能 力。此外,采用EBSD菊池花样的质量参数IQ(Image Quality),作为应力敏感参数。Al互连线退火后,平均IQ值和(111)、(100)和(110)取向晶粒的 IQ<,(111)>、IQ<,(110)>和IQ<,(100)>均有所提高,表明退火使Al互连线的残余应力得到释放。IQ<,(111)>大于IQ<,(100)>和IQ<,(110)>,反映出不同 晶体学取向的弹性模量存在的差异。在GaN/蓝宝石和GaAs/1GaAs外延系统中,采用EBSD的IQ值、Hough变换的峰值及小角度错配等参数,作为应力/应变 敏感参数,表征单晶外延生长薄膜中的晶格畸变程度和微区应力分布特征。研究结果表明:在GaN结构中应力缓冲层(Buffer层)附近的菊池线明锐程度降 低,IQ值和Hough 峰值最低,随着与Buffer层距离的增加,菊池线的锐化程度,IQ值和Hough 峰值逐渐提高,以IQ和Hough 峰的统计值显示出晶格畸变 范围,表明以Buffer层为中心存在一个200nm~700nm的应变场。由计算可知Buffer层附近的位错密度达8×10<'11>/m<'2>EBSD测量GaN外延层与蓝宝石衬 底存在着30°错配,计算的二者错配度为16%。结构通过20~30nm的Buffer层使应力应变释放,提高了外延生长的晶体质量,从而可保证发光二极管有 源区的出光效率。 在GaAs/AIGaAs多层周期生长的外延系统中,错配度0.14%,GaAs层的IQ值沿外延生长方向逐渐下降29%,表明外延结构中缺陷逐渐累加。A1GaAs层 中由于衍射强度低而未能测量出IQ值,说明IQ值能反映出由于散射因子差异而造成的衍射强度的差异。 采用快速傅立叶变换(FFT)和反变换(IFFT),对应变和非应变区域的Kikuchi花样进行处理和计算,可实现衍射强度的比较。通过对Kikuchi花样进行 相关函数分析,可得到GaN/蓝宝石结构中应变区域相对于无应变区域的晶带轴的微小位移量。

5.会议论文 张寿禄.赵泳仙.崔天燮.吴晓丹 应用EBSD研究X80管线钢的落锤撕裂性能 2007
利用背散射电子衍射(EBSD)技术分析了X80管线钢落锤性能的差异,结果表明,大角度晶界的比率越高,DWTT落锤撕裂面积越大,韧性越好;平均有效晶 粒尺寸越小,落锤性能也越好.

6.学位论文 贾雨海 电子背散射衍射在金属材料中的应用 2008
电子背散射衍射(EBSD)技术是材料显微分析领域的强有力的工具,自上个世纪九十年代以来伴随着计算机技术的迅猛发展得到了越来越广泛的应 用。目前,最快的EBSD系统已经可以每秒扫描100个点,同时对其分析和存储。EBSD的数据包含了关于晶粒取向,晶界亚晶和孪晶界,晶粒尺寸及分布 ,应变,相结构等众多的信息,广泛的应用于晶体取向,微织构分析,相鉴定,真实晶粒尺寸测量,微区应变分析等领域。 在界面研究中EBSD也有一系列的重要应用。EBSD可以对块状样品上亚微米级显微组织逐点作结晶学分析,可以给出特殊晶界的分布及含量,在晶界 重构图上可以清楚地看出随机大角度晶界和特殊晶界的分布状况。在腐蚀裂纹、高温形变热处理研究、偏析和沉淀、孪晶、镀层、研究疲劳机理方面都 有重要的应用。 本文采用电子背散射衍射分析(EBSD)技术研究了1Cr18Ni9不锈钢和TiC/Ti基及TiC/Ti6Al基复合材料的显微结构及晶体取向分布的演化行为。不锈 钢试样采用机械化学综合抛光+电解抛光的方法制备,钛基复合材料试样采用机械抛光+化学腐蚀的方法制备。EBSD测试在日本岛津公司生产的JEOL-JSM6480扫描电镜和英国牛津公司研发的INCA Crystal电子背散射衍射分析系统上进行。研究发现: 1Cr18Ni9不锈钢试样经冷变形后,晶界角分布变化不大,但晶界结构及构成发生了明显变化。未变形试样无明显织构,冷变形后试样中晶粒具有了 不同程度的择优取向。随着冷变形量的增加,试样中的内应力也越来越大。内应力的存在导致晶格畸变,不但试样制备变得困难而且菊池花样因微区应 变的存在也变得模糊,在15%和25%冷变形试样中可以清楚地发现晶体取向成像图中因不同区域晶粒微区应变不同导致的菊池花样质量模糊的情况,菊 池花样模糊的地方代表着此处存在着严重的晶格畸变。 热处理后的1Cr18Ni9不锈钢试样晶界特征分布改变明显,晶粒尺寸分布和晶界角分布也都发生了一定的变化。水淬试样中的低∑-CSL晶界主要分布 在大角度晶界处,但CSL晶界没有形成网络;在深冷试样中低∑-CSL晶界主要分布一般大角度晶界上,且形成了网络化的特殊晶界。试样在经过热处理后 其晶体取向分布发生了一定的变化:热处理前的试样中晶粒取向基本上是弥散分布,热处理后的试样晶体取向有了不同程度的择优分布。以 1100℃×30min热处理试样为例,热处理前晶体取向弥散带(Non textured)在94%以上,热处理后的取向弥散带已经下降到了59%左右。 为了进一步验证CSL晶界或特殊晶界分布与材料耐晶间腐蚀性能的关系,对热处理试样进行了电化学极化试验。实验表明:热处理前的不锈钢试样其 极化电位为-0.299V,热处理后试样的极化电位在-0.200V。由电化学腐蚀知识我们知道极化电位越高越不易被腐蚀,因此我们可以说热处理后的试样 具有更好的耐晶间腐蚀性能。联系到热处理后试样的CSL晶界分布情况,即低∑-CSL晶界的比例有了明显的提高,因此可以认为材料中的低∑-CSL晶界含 量与材料的耐腐蚀性能之间的确存在某种联系。这进一步验证了晶界设计与控制理论的正确性,即提高材料中∑3晶界的比例将有助于材料耐腐蚀性能的 提高。 对钛基复合材料也作了一定的研究。试验用TiC/Ti基复合材料及TiCp/Ti6Al基复合材料采用熔铸法制备,每个铸锭40g,然后在1100℃高温锻打变形 量在10%左右。研究发现: TiC/Ti基复合材料中,TiC主要以枝晶方式存在,且随着碳含量的增加TiC的存在形式也有所变化。随着碳含量的增加,观察到的TiC的枝晶数量也有 所增加。在2.0%含碳量的TiC/Ti基复合材料中,观察到了二次枝晶的出现,且二次枝晶具有相同的晶体学取向。 在0.4%碳含量的TiCp/Ti6Al基复合材料中,Ti基体具有一定程度的择优取向,其晶粒尺寸在10μm2以下的晶粒含量为66.7%,小角度晶界的比例在 27.6%左右;在0.8%碳含量的TiCp/Ti6Al基复合材料中,TiC以枝晶方式存在,其晶粒尺寸在10μm2以下的晶粒含量为73.3%,小角度晶界的比例在 33.6%上下。

7.期刊论文 张绍强.刘勇生.陈冷.ZHANG Shao-qiang.LIU Yong-sheng.CHEN Leng 取向硅钢片晶粒尺寸快速检测方 法 -东莞理工学院学报2007,14(3)
提出了一种基于X射线面探测器衍射系统的晶粒尺寸快速检测方法,根据晶粒取向不同其衍射花样也不同的原理,检测了取向硅钢片晶粒尺寸.实验结 果表明,这种方法操作简单,能够准确测量在一定尺寸范围内的板材的晶粒尺寸,并与背散射电子衍射结果进行了比较,探索了用X射线面探测器衍射系统在 工业上进行金属板材晶粒尺寸在线检测的可行性.该方法有希望发展成为工业生产中金属板材的晶粒尺寸在线检测技术.

8.会议论文 阳华杰.高薇.刘沿东.尹树明.黄崇湘.吴世丁.李守新 等通道转角挤压AM60镁合金的组织和织构演化的 EBSD研究 2007
利用电子背散射衍射(EBSD)技术对AM60镁合金在等通道转角挤压(ECAP)变形过程中的组织和织构演化进行了研究。研究结果表明:在ECAP变形前,常 规轧制态AM60的平均晶粒尺寸为36.6μm,具有典型的基面织构,即C轴沿垂直于轧制方向分布;ECAP变形后,晶粒逐渐细化至2.5μm(四道次),大角晶界分数 达91%,织构类型随ECAP变形道次的增加而逐步演化,最终大部分晶粒的基面平行于ECAP剪切平面。由此可知,ECAP不仅能有效地细化AM60镁合金的晶粒 ,而且还可改变其织构类型。

9.期刊论文 郭宁.黄天林.周正.栾佰峰.刘庆 EBSD技术结合背散射电子成像在材料研究中的应用 -电子显微学报 2010,29(1)
本文以桥梁用过共析珠光体钢微观组织结构和冷轧高纯镍退火再结晶行为的研究为例,系统阐明了电子背散射衍射(EBSD)技术结合背散射电子 (BSE)成像技术在材料研究中的应用.在EBSD面扫之前,先用BSE成像技术观察晶粒尺寸,发现缺陷、形变区及再结晶晶粒等区域,然后用EBSD技术设定合理 的扫描区域大小及扫描步长对感兴趣区域进行晶体取向标定.EBSD与BSE成像技术的结合可以充分发挥晶体取向成像技术在材料研究中的巨大优势.

10.期刊论文 张皓琨.刘丹敏.李洪宾.段丹青.江轩.ZHANG Hao-kun.LIU Dan-min.LI Hong-bin.DUAN Dan-qing. JIANG Xuan 采用EBSD方法研究高纯Al溅射靶材的微观结构 -电子显微学报2008,27(6)
高纯Al溅射靶材在电子信息产品制造业有着广泛应用.微观结构与组织的均匀性、晶粒尺寸和取向分布对高纯Al溅射靶材的性能有很大的影响.本文 采用EBSD技术对高纯Al溅射靶材的晶粒取向分布进行了分析,探索了晶粒取向与溅射速率关系,并采用EBSD大面积扫描对高纯Al溅射靶材的晶粒尺寸及微 观结构与组织均匀性进行了研究.

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