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硅片行业术语大全-中英文对照 A-H

硅片行业术语大全(中英文对照 A-H) 硅片行业术语大全 中英文对照

[align=center][size=5][color=red][b]硅片行业术语大全(中英文对照 A-H)[/b][/color][/size][/align] Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used

to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素,比如硼、铟和镓。受主原子必须 比半导体元素少一价电子 Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套准精度 - 在光刻工艺中转移图形的精度。 Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting 各向异性 - 在蚀刻过程中,只做少量或不做侧向凹刻。 Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as discolored or smudged, and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc. 沾污区域 - 任何在晶圆片表面的外来粒子或物质。由沾污、手印和水滴产生的 污染。 Azimuth, in Ellipsometry - The angle measured between the plane of incidence and the major axis of the ellipse. 椭圆方位角 - 测量入射面和主晶轴之间的角度。 Backside - The bottom surface of a silicon wafer. (Note: This term is not preferred; instead, use ‘back surface’.) 背面 - 晶圆片的底部表面。(注:不推荐该术语,建议使用“背部表面”) Base Silicon Layer - The silicon wafer that is located underneath the insulator layer, which supports the silicon film on top of the wafer. 底部硅层 - 在绝缘层下部的晶圆片,是顶部硅层的基础。 Bipolar - Transistors that are able to use both holes and electrons as charge carriers.

双极晶体管 - 能够采用空穴和电子传导电荷的晶体管。 Bonded Wafers - Two silicon wafers that have been bonded together by silicon dioxide, which acts as an insulating layer. 绑定晶圆片 - 两个晶圆片通过二氧化硅层结合到一起,作为绝缘层。 Bonding Interface - The area where the bonding of two wafers occurs. 绑定面 - 两个晶圆片结合的接触区。 Buried Layer - A path of low resistance for a current moving in a device. Many of these dopants are antimony and arsenic. 埋层 - 为了电路电流流动而形成的低电阻路径,搀杂剂是锑和砷。 Buried Oxide Layer (BOX) - The layer that insulates between the two wafers. 氧化埋层(BOX) - 在两个晶圆片间的绝缘层。 Carrier - Valence holes and conduction electrons that are capable of carrying a charge through a solid surface in a silicon wafer. 载流子 - 晶圆片中用来传导电流的空穴或电子。 Chemical-Mechanical Polish (CMP) - A process of flattening and polishing wafers that utilizes both chemical removal and mechanical buffing. It is used during the fabrication process. 化学-机械抛光(CMP) - 平整和抛光晶圆片的工艺,采用化学移除和机械抛光两 种方式。此工艺在前道工艺中使用。 Chuck Mark - A mark found on either surface of a wafer, caused by either a robotic end effector, a chuck, or a wand. 卡盘痕迹 - 在晶圆片任意表面发现的由机械手、卡盘或托盘造成的痕迹。 Cleavage Plane - A fracture plane that is preferred. 解理面 - 破裂面 Crack - A mark found on a wafer that is greater than 0.25 mm in length. 裂纹 - 长度大于 0.25 毫米的晶圆片表面微痕。 Crater - Visible under diffused illumination, a surface imperfection on a wafer that can be distinguished individually. 微坑 - 在扩散照明下可见的,晶圆片表面可区分的缺陷。 Conductivity (electrical) - A measurement of how easily charge carriers can flow

throughout a material. 传导性(电学方面) - 一种关于载流子通过物质难易度的测量指标 。 Conductivity Type - The type of charge carriers in a wafer, such as “N-type” and “P-type”. 导电类型 - 晶圆片中载流子的类型,N 型和 P 型。 Contaminant, Particulate (see light point defect) 污染微粒 (参见光点缺陷) Contamination Area - An area that contains particles that can negatively affect the characteristics of a silicon wafer. 沾污区域 - 部分晶圆片区域被颗粒沾污,造成不利特性影响。 Contamination Particulate - Particles found on the surface of a silicon wafer. 沾污颗粒 - 晶圆片表面上的颗粒。 Crystal Defect - Parts of the crystal that contain vacancies and dislocations that can have an impact on a circuit’s electrical performance. 晶体缺陷 - 部分晶体包含的、会影响电路性能的空隙和层错。 Crystal Indices (see Miller indices) 晶体指数 (参见米勒指数) Depletion Layer - A region on a wafer that contains an electrical field that sweeps out charge carriers. 耗尽层 - 晶圆片上的电场区域,此区域排除载流子。 Dimple - A concave depression found on the surface of a wafer that is visible to the eye under the correct lighting conditions. 表面起伏 - 在合适的光线下通过肉眼可以发现的晶圆片表面凹陷。 Donor - A contaminate that has donated extra “free” electrons, thus making a wafer “N-Type”. 施主 - 可提供“自由”电子的搀杂物,使晶圆片呈现为 N 型。 Dopant - An element that contributes an electron or a hole to the conduction process, thus altering the conductivity. Dopants for silicon wafers are found in Groups III and V of the Periodic Table of the Elements.

搀杂剂 - 可以为传导过程提供电子或空穴的元素,此元素可以改变传导特性。 晶圆片搀杂 剂可以在元素周期表的 III 和 V 族元素中发现。 Doping - The process of the donation of an electron or hole to the conduction process by a dopant. 掺杂 - 把搀杂剂掺入半导体,通常通过扩散或离子注入工艺实现。 Edge Chip and Indent - An edge imperfection that is greater than 0.25 mm. 芯片边缘和缩进 - 晶片中不完整的边缘部分超过 0.25 毫米。 Edge Exclusion Area - The area located between the fixed quality area and the periphery of a wafer. (This varies according to the dimensions of the wafer.) 边缘排除区域 - 位于质量保证区和晶圆片外围之间的区域。(根据晶圆片的尺 寸不同而有所不同。) Edge Exclusion, Nominal (EE) - The distance between the fixed quality area and the periphery of a wafer. 名义上边缘排除(EE) - 质量保证区和晶圆片外围之间的距离。 Edge Profile - The edges of two bonded wafers that have been shaped either chemically or mechanically. 边缘轮廓 - 通过化学或机械方法连接起来的两个晶圆片边缘。 Etch - A process of chemical reactions or physical removal to rid the wafer of excess materials. 蚀刻 - 通过化学反应或物理方法去除晶圆片的多余物质。 Fixed Quality Area (FQA) - The area that is most central on a wafer surface. 质量保证区(FQA) - 晶圆片表面中央的大部分。 Flat - A section of the perimeter of a wafer that has been removed for wafer orientation purposes. 平边 - 晶圆片圆周上的一个小平面,作为晶向定位的依据。 Flat Diameter - The measurement from the center of the flat through the center of the wafer to the opposite edge of the wafer. (Perpendicular to the flat) 平口直径 - 由小平面的中心通过晶圆片中心到对面边缘的直线距离。 Four-Point Probe - Test equipment used to test resistivity of wafers.

四探针 - 测量半导体晶片表面电阻的设备。 Furnace and Thermal Processes - Equipment with a temperature gauge used for processing wafers. A constant temperature is required for the process. 炉管和热处理 - 温度测量的工艺设备,具有恒定的处理温度。 Front Side - The top side of a silicon wafer. (This term is not preferred; use front surface instead.) 正面 - 晶圆片的顶部表面(此术语不推荐,建议使用“前部表面”)。 Goniometer - An instrument used in measuring angles. 角度计 - 用来测量角度的设备。 Gradient, Resistivity (not preferred; see resistivity variation) 电阻梯度 (不推荐使用,参见“电阻变化”) Groove - A scratch that was not completely polished out. 凹槽 - 没有被完全清除的擦伤。 Hand Scribe Mark - A marking that is hand scratched onto the back surface of a wafer for identification purposes. 手工印记 - 为区分不同的晶圆片而手工在背面做出的标记。 Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer. 雾度 - 晶圆片表面大量的缺陷,常常表现为晶圆片表面呈雾状。 Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a valence electron. 空穴 - 和正电荷类似,是由缺少价电子引起的。

1 主题内容与适用范围 射的术语。 用标准


本标准适用于太阳能热利用中对太阳辐射的研究与测量。 2 引 GB 3102.6 光及有关电磁辐射的量和单位 celestial sphere GB 4270 热工图形

符号与文字代号 3 天文 3.1 天球


动而辅设的一个半径为无限长的假想球体。其中心按需要可设在观测点、地心、 日心或银心等。天体的位置即指沿天球中心至该天体方向在球面上的投影。 3.2 天轴 celestial axis celestial pole 天球的自转轴。它通过天球中心并平行于地球自转轴。 天轴与天球相交的两个交点的统称。 3.4 北天极 北半天球上的天极。 3.5 南天极 zenith celestial south pole

3.3 天极

celestial north pole

南半天球上的天极。 3.6 天顶 的交点。 3.7 天底 天赤道 nadir


观测点铅垂线向下延长与天球相交的交点。 3.8 通过天球中心并垂直于天轴的平面与天球相交的

celestial equator

大圆。 3.9 天球子午圈 同义词 圆。

celestial meridian hour circle

天球上通过天顶和天极的大圆。 天球上通过两天极的任一大 horizontal plane

天球子午线 3.10 时圈 同义词 赤经圈

right ascension circle 3.11 地平面

地球表面观测点以铅垂线为法线的切平面。 3.12 地平圈

horizontal circle 同义词

通过天球中心并垂直于天顶-天底连线的平面与天球相交的大圆。 地平线 horizon 3.13 地平经圈 vertical circle


一大圆。 3.14 角距离 角。 3.15 天球坐标系

angular distance

天球大圆上任意两点所对应的圆心 为确定天体在天球上的投 原点

celestial coordinate system

影位置和运动而引入的球面坐标系。 根据所选择的基本圆和辅助圆以及 的不同,可区分为不同的天球坐标系。

注:天文测量中提到的“天体”或“太 horizontal coordinate system altitude 从

阳”均指其在天球上的投影。 3.16 地平坐标系

以高度角和方位角为坐标所组成的天球坐标系。 3.17 高度角

地平圈沿某天体所在地平经圈量至该天体的角距离。以地平圈为零,向上为正, 向下为负。单位为度(°)。 altitude 同义词 地平纬度 3.18 太阳高度角(h) solar

日面中心的高度角,即从观测点地平线沿太阳所在地平线圈量至日 azimuth 从天球子午圈沿地平圈量至某天

面中心的角距离。 3.19 方位角

体所在地平线圈的角距离。 以南点为零点, 向西为正, 向东为负。 单位为度 (°) 。 同义词 地平经度 3.20 太阳方位角(ψ) solar azimuth 日面中心的方位

角,即从观测点天球子午圈沿地平圈量至太阳所在地平经圈的角距离。 3.21 天 顶距 zenith distance 从观测点天顶沿某天体所在地平线圈量至该天体的角 该角度与高度角互补。 同

。 距离。 以观测点天顶为零点, 单位为度 (°)



zenith angle 3.22 赤道坐标系

equatorial coordinate system declination

以赤纬和赤经(或时角)为坐标所组成的天球坐标系。 3.23 赤纬

赤道坐标系中,天赤道与某天体沿所在时圈量度的角距离。以天赤道为零,向北 为正,向南为负。 单位为度(°)。 3.24 太阳赤纬(δ) solar declination

日面中心的赤纬,即从天赤道沿太阳所在时圈量至日面中心的角距离。春(秋) 分时为 0°,一年之内在±23°27′之间变化。 3.25 时角 hour angle 从天球子

午圈沿天赤道量至某天体所在时圈的角距离。以天球子午圈为零,向西为正向东 为负。 单位既可为时 (h) 也可为度 , (°) 时间与角度的换算关系为: 1h=15° 。 solar hour

时间与角度的换算关系为每小时相当于 15°。 3.26 太阳时角(ω) angle

日面中心的时角,即从观测点天球子午圈沿天赤道量至太阳所在时圈 sun-path diagram 以高度角和方位角为坐标

的角距离。 3.27 太阳行程图

表示某地点不同日期从日出至日没太阳运行轨迹的一种图示。 3.28 近日点 perihelion 地球在公转轨道上距太阳最近的一点,约为 1.47×108km。时值元 aphelion 地球在公转轨道上距太阳最远的一点,约为 mean Earth-Sun distance 地

月初。 3.29 远日点

1.52×108km。 时值七月初。 3.30 日地平均距离

球在公转轨道上距太阳距离的周年平均值,约为 1.496×108km。 文单位 astronomical unit 3.31 日面 solar disk;sun's disk

同义词 天 在地表观测到

的太阳光亮圆形外观,平均视角直径为 31′59.3″。 3.32 日出 上升时, 日面上边缘与地平圈相切的时刻。 3.33 日没 日面上边缘与地平圈相切的时刻。 3.34 中天 天球子午圈的统称。 3.35 上中天 次中天。 3.36 下中天 3.37 太阳正午 3.38 真太阳日 sunset



太阳下落时, 天体经过观测点


upper culmination


lower culmination

天体距天底较近的一次中天。 同义词 视正午

solar noon


apparent solar day

日面中心连续两次上中天所经历的时间。 apparent solar time 由日面中心的时角量 mean sun 以太阳 mean 平太阳连 由平太

同义词 视太阳日 3.39 真太阳时 度的计时系统。

同义词 视〔太阳〕时 3.40 平太阳

周年运行的平均速度沿天赤道作等速运动的假想天体。 3.41 平正午 noon 平太阳上中天的时刻。 3.42 平太阳日 mean solar day mean solar time

续两次下中天所经历的时间。 3.43 平〔太阳〕时

阳的时角量度的计时系统。 以平正午减 12h 为零时。 3.44 时差 真太阳时与平太阳时之差。 3.45 时区 time zone

equation of time


球上每隔 15°的 24 条经线作为其东西两侧各 7.5 ° 经度范围内的中央子午线所形 成的 24 个区域。东、西两半球各 12 个时区,每相邻时区时间相差 1h。 时区划分中实际上还参考了行政区域的界限。 3.46 区时 区内中央子午线的平太阳时。 zone time 注: 一时

注:我国通用的北京时系东八时区中央子午 universal time 本初子 同

线(东经 120°)的平太阳时。 3.47 世界时(UT) 午线的平太阳时。即零时区的区时。 义词 格林尼治平时(GMT)

注:世界时与北京时相差 8h。

Greenwich mean time 4 辐射 4.1 辐射



注:在“辐射”一词之前冠以各种 辐射量(辐 以辐射形

说明词时,除具有上述定义之外,在某些学科领域习惯上还具有 照度或辐照量)的含义。 4.2 辐〔射〕能(Q) radiant energy

式发射、传播或接收的能量。单位为焦〔耳〕(J)。 4.3 辐〔射能〕通量(Φ) radiant flux 以辐射形式发射、传播或接收的功率。单位为瓦(特)(W)。 radiant power 4.4 辐 〔射〕 (I) radiant intensity 强度 在

同义词 辐 〔射〕 功率

给定方向上的立体角元内,离开点辐射源(或辐射源面元)的辐射功率除以该立 体角元。 单位 。 〔射〕 (L) radiance 亮度 为瓦 〔特〕 每球面度 (W/sr) 4.5 辐

表面一点处的面元在给定方向上的辐射强度, 除以该面元在垂直于给定方向的平 面上的正投影面积。 单位为瓦 〔特〕 每球面度平方米 (sr· m2) 〕 〔W/ 。 radiant exitance 同

义词 辐射度 4.6 辐〔射〕出〔射〕度(M)


点处的面元的辐射能通量, 除以该面元面积。 单位为瓦 〔特〕 每平方米 (W/m2) 。 4.7 辐〔射〕照度(E) irradiance 照射到表面一点处的面元上的辐射能通

量除以该面元的面积。单位为瓦〔特〕每平方米(W/m2)。 4.8 平均辐照度() average irradiance (1)给定时段内的辐照量与该时段持续时间之商;(2) 次数之商。 4.9 光谱辐照度(Eλ)

给定时段内的若干次辐照度测定值与测定 spectral irradiance

在无穷小波长范围内的辐照度除以该波长范围。 单位为瓦 irradiation 辐照度对时间 radiant exposure

〔特〕每立方米(W/m3)。 4.10 辐照量(H) 的积分。 单位为焦 〔耳〕 每平方米 (J/m2) 。 4.11 等辐照量线 isorad

同义词 曝辐量


相同各点的曲线。 emitter

同义词 等拉德线 4.12 全辐射体

full radiator;full

对所有入射辐射不论其波长、 入射方向或偏振情况如何能全部吸收 种辐射体对所有波长具有最大的辐出度。 sun 太阳系的中心天体。可视其 注:5777K 系按太阳常 从太阳发射、传播或接

的热辐射体。在给定温度下,这 同义词 (黑体

blackbody) 4.13 太阳

为 5777K 的全辐射体。它是地球上光和热的源泉。 数取 1367W/m2 推定。 4.14 太阳能 收的辐射能。 4.15 太阳辐射 solar energy

solar radiation

太阳能以电磁波或粒子形式的 同义词 日射 4.16 地 同义

发射或传播。 其能量主要集中在短波辐射范围内。 外日射 extraterrestrial solar radiation

地球大气层外的太阳辐射。 extraterrestrial solar irradiance

词 地外太阳辐射 4.17 地外〔日射〕辐照度

太阳辐射在大气层外给定平面上形成的辐照度。 4.18 太阳常数(Esc) constant


地球位于日地平均距离处,在大气层外垂直于太阳辐射束平面上 注:太阳常数并非严格的物理常数,现代测量值为 solar spectrum 太阳辐射分解为单色成分 线、


1367±7W/m2。 4.19 太阳光谱

后, 按波长或频率顺序作出的分布。 波长由短至长的顺序依次为: 宇宙射

γ 射线、x 射线、紫外辐射、可见辐射、红外辐射和射电辐射等。 4.20 紫外辐 射 ultraviolet radiation visible radiation 波长长于 1nm、 短于可见辐射的电磁辐射。 4.21 可 能引起人类视觉的电磁辐射。其波长范围的短波 同义词 光 light。 4.22


限介于 0.38~0.4?m, 长波限介于 0.76~0.78?m。 红外辐射 infrared radiation

波长长于可见辐射、短于 1mm 的电磁辐射。 波长短于 3?m 的电磁辐射。 4.24 长

4.23 短波辐射 波辐射

shortwave radiation

longwave radiation

波长长于 3?m 的电磁辐射。 4.25 直接日射 从日面及其周围一小立体角内发

direct solar radiation;beam solar radiation 出的太阳辐射。 照度(Es)

同义词 直射日射;太阳直接辐射 4.26 直〔接日〕射辐 直接日射在给定

direct solar irradiance;beam solar irradiance

平面上形成的辐照度。 4.27 法向直 〔接日〕 射辐照度 (En) normal direct solar irradiance 射 直接日射在与射束相垂直的平面上形成的辐照度。 4.28 散射日 被大气分子及微粒散射

diffuse solar radiation;scattering solar radiation


同义词 漫射日射;(天空辐射 sky

radiation) 4.29 散射〔日射〕辐照度 (Ed) diffuse solar irradiance ;scattering solar irradiance 2πSr 立体角内的散射日射在水平面上形成的辐照度。

注:当水平面还接受直接日射辐照时,应用遮阴板遮去直接日射后进行测量。 4.30 环日辐射 4.31 反射日射 circumsolar radiation reflected solar radiation 与日面相邻的环形天空的散射日射。 水平面从下方接收到的半球向日

射,即被地表及近地表空气反射的太阳辐射。 4.32 反射〔日射〕辐照度(Er) reflected solar irradiance 球向日射 反射日射在水平面下表面形成的辐照度。 4.33 半 给定平面从 2πSr 立体角内所能接收 同义词 半球向太阳辐射 4.34 半 半球向日射在给 水平面从上

hemispherical solar radiation

到的 (包括直射、 散射和反射) 太阳辐射。

球向〔日射〕辐照度(Eh) hemispherical solar irradiance 定平面上形成的辐照度。 4.35 总日射 方接收到的半球向日射。 (Eg) global solar irradiance global solar radiation

同义词〔太阳〕总辐射 4.36 总〔日射〕辐照度 总日射在水平面上形成的辐照度。 terrestrial radiation 同义

词 〔太阳〕总辐照度 4.37 地球辐射


发射的电磁辐射。其能量主要集中在长波辐射范围内。 4.38 地球〔辐射〕辐照 度 terrestrial irradiance 给定平面上由 2πSr 立体角内的地球辐射形成的辐 atmospheric radiation 大气分子及微粒发射的电磁辐 atmospheric

照度。 4.39 大气辐射

射。 其能量主要集中在长波辐射范围内。 4.40 大气 〔辐射〕 辐照度 irradiance 辐射

给定平面上由 2πSr 立体角内的大气辐射形成的辐照度。 4.41 全 全部波长的辐射, 即太阳辐射与地球辐射。 4.42 全 〔辐 (1)给定平面上由 2πSr 立体角内的全辐射形

total radiation

射〕辐照度 成的辐照度;

total irradiance

(2)光谱辐照度沿全部波长的积分。 4.43 净〔辐射〕辐照 水平面上下两表面的辐照度之差。 4.44 净短波辐 水平面上下两表面的短波辐照度之差。即总 net longwave irradiance 水

度(E*) net irradiance 照度 net shortwave irradiance

辐照度与反射辐照度之差。 4.45 净长波辐照度

平面上下两表面的长波辐照度之差。即大气辐照度与地球辐照度之差。 4.46 净 全〔辐射〕辐照度 差。 net total irradiance 水平面上下两表面的全辐射辐照度之 radiation balance )

同义词 (辐射平衡 sunshine

radiation balance) ; (辐射差额

4.47 日照

可使地物投射出清晰阴影的直接日射。 以直射辐照度

大于等于 120 ± 24W/m2 为阈值。 4.48 日照时数

sunshine duration


给定地区每天实际接收日照的时间。 以日照记录仪记录的结果累计计算。单位 为小时(h)。 sunshine 同义词(实照时数) 4.49 可照时数 duration of possible

(1)地表给定地区每天可能接收日照的时间。以日出至日没的全 度和日期决定。 单位为小时 (h) 。 (2)

部时间计算。 它完全由该地区的纬

地表给定地区每天实际可能接收日照的时间。 以日出后至日没前直射辐照度达到 或超过 120±24W/m2 的最长时间计算。单位为小时(h)。 4.50 日照百分率 日照时数占可照时数的百分比。 4.51 等日照线

percentage of sunshine isohel

地图上连接给定时段(如日、月、年)内日照时数相同各点的曲线。 radiometer 测量辐射辐照度的各类仪表。 4.53 变阻测辐射热

4.52 辐射表 表 bolometer

以传感器加热后电阻值的变化判定辐照度的辐射表。 4.54 具有自校准功能的辐射表。 4.55 相对辐

绝对辐射表 射表

absolute radiometer

relative radiometer

需要定期同标准辐射表校准以确定其灵敏度的辐 pyrheliometer 测量给定平面上法向直射辐照度的 同义词 直接辐射表 4.57 直

射表。 4.56 直接日射表

辐射表。 这类仪表具有限定其视场角的准直筒。 〔直接日射表〕视场角(Z1)

field of view angle( of a pyrheliomter)

接日射表圆形孔径直径对接收器表面中心的张角。计算公式如下: Z1=2× (arctgR/d)…………………………………………(1) 半径;d 为圆形孔径中心至接收器表面中心的距离。 opening angle 4.58 腔体式绝对辐射表 式中 R 为圆形孔径 同义词 开敞角 具有空腔

absolute cavity radiometer

式接收器的绝对直接日射表。 它具有高稳定性高准确度的自校准功能,是实现 太阳辐照度 标尺的辐射表。 同义词 〔自校准〕绝对直接日射表 compensated

absolute( self- calibrating )pyrheliometer 4.59 补偿式直接日射表 pyrheliometer

以两个相同锰铜片被日射和电流(焦耳效应) 分别加热相互 同义词 埃斯屈朗直接日射表 pyranometer 测量 2πSr 立体角内短

补偿为依据进行测量的直接日射表。 ?ngstrom pyrheliometer 4.60 总日射表 波辐照度的辐射表。

注:根据总日射表安放状态不同,可分别测量总日射、 射日射等的辐照度。 spectral pyranometer 同义 借

半球向日射、反射日射或借助遮阴板测量散 词

总辐射表; (天空辐射表) 4.61 分光总日射表

助不同牌号的有色光学(硒镉)玻璃半球罩,测量给定平面上该种玻璃透射的波 长范围内辐照度 的总日射表。 4.62 反射比表 reflectometer 测量水平

面反射比的辐射表。 由两台相背放置的总日射表构成。 反照率表 albedometer 4.63 地球辐射表 pyrgeometer

同义词 反射系数表; 测量 2πSr 立体角内 注:根据地球辐射 同义词 (大气辐

的长波辐照度的辐射表。其光谱响应范围为 3~50?m。 表安放状态不同,可分别测量地球辐照度或大气辐照度。 射表) 4.64 全辐射表 pyrradiometer

测量 2πSr 立体角内的全辐射辐照度 测量水平面两侧的净短波辐 同义词 净短波辐

的辐射表。 4.65 净总日射表

net pyranometer

照度的辐射表。 由两台水平相背放置的总日 射表构成。 射表 4.66 净地球辐射表 net pyrgeometer

测量水平面两侧的净长波辐照 同义词 净长波辐

度的辐射表。 由两台水平相背放置的地球辐射表构成。 射表 4.67 净全辐射表 度的辐射表。 net pyrradiometer

测量水平面两侧的净全辐射辐照 radiation balance meter) 4.68 世界辐 国际单位制体系内太阳 注:WRR 已被世界气象组


射测量基准(WRR) World Radiometric Reference 辐照度的测量基准。其不确定度小于±0.3 %。

织采用,并于 1980 年 7 月 1 日起生效。原 1956 年国际直接日射测量标尺 (IPS—1956) 同时废止。 WRR 等于 IPS 乘以 1.022。 4.69 标准辐射表 radiometer reference

在校准过程中作为标准的辐射表。 这类仪表除包括基准或副基 选出来。 4.70 工作辐射表 field

准辐射表外,还可从一级辐射表中精 radiometer

具有防止天气条件影响的功能并适用于在室外长期工作的辐射 辐射表。 4.71 基准直接日射表 primary

表。这类仪表主要包括一级与二级 standard pyrheliometer

一年内精密度变化不超过±0.1%的标准直接日射表。 来的准确度最高的极少数辐


射表。由它们构成的世界基准组用于保持和实现世界辐射测量基准。 4.72 副基 准直接日射表 secondary standard pyrheliometer 一年内精密度变化不超过

±0.5%的标准直接日射表。这类仪表需要定期同基准直接日射表校准。它们 包括各类腔体式和补偿式直接日射表。 4.73 一级直接日射表 pyrheliometer 日射表 first class

一年内精密度变化不超过±1%的直接日射表。 4.74 二级直接 一年内精密度变化不超过±2%的直接

second class pyrheliometer

日射表。 4.75 副基准总日射表

secondary standard pyranometer


密度变化不超过±2%的标准总日射表。 这类仪表可从各种一级总日射表中精选出 来。 4.76 一级总日射表 first class pyranometer 一年内精密度变化不超过 一年内精

±5%的总日射表。 4.77 二级总日射表

second class pyranometer

密度变化不超过±10%的总日射表。 4.78 副基准全辐射表 pyrradiometer

secondary standard

一年内精密度变化不超过±3%的标准全辐射表。这类仪表可 first class pyrradiometer second class

从各种一级全辐射表中精选出来。 4.79 一级全辐射表

一年内精密度变化不超过±7%的全辐射表。 4.80 二级全辐射表 pyrradiometer 仪

一年内精密度变化不超过±15%的全辐射表。 4.81 日照记录 自动记录直射辐照度大于等于 120±24W/m2 的时数的 日照计 4.82 太阳跟踪器 solar tracker 使直接日射表

sunshine recorder 同义词


或太阳能利用装置的接收面始终保持与太阳辐射束相垂直的手动或自动旋转装 置。 4.83 赤道式装置 equatorial mounting 可调节赤纬并按周日运动方向 azimuth mounting sun shading disk;

和速度驱动极轴旋转的太阳跟踪器。 4.84 地平式装置

可同时驱动水平轴和垂直轴旋转的太阳跟踪器。 4.85 遮阴板 shade disk

利用按一定尺寸和比例制造的长杆及固定于其一端的圆片遮挡 散射辐照度的附件。 4.86 遮阴环

总日射表传感器上直接日射,以测量 shade ring

利用按一定宽度和半径比例制造的环带在总日射表传感器上连 量的装置。该环带随太阳赤纬的变化 近。 4.87 太


可沿与地轴平行的导轨移动。 测量中, 总日射表置于环带圆心附 阳模拟器 solar(irradiance)simulator

一种模拟太阳光谱的人工辐射源。 atmosphere 环绕 不含

其辐照度可调,并可达太阳常数的一倍以上。 4.88 大气 地球的气体及其他悬浮微粒的包层。 4.89 理想大气

ideal atmosphere

固态、液态和气态杂质,成分与一般空气无异的大气。 clean dry air 4.90 大气质量(m) air mass

同义词 干洁大气

太阳在任何位置与在天顶时,日 引入

射通过大气到达观测点的路径之比。为比较不同海拔地点的 m 值,需 绝对大气质量(AM)的概念。即: AM=m (P/P0) …………………………………………… (2) P0 为标准大气压。 同义词 大气光学质量

式中 P 为当地大气压;

optical air mass 4.91 大气浑浊

atmospheric turbidity

表征太阳辐射受到大气中固态、液态和气态杂质 的指标。 4.92 林克浑浊

(除云外)的吸收与散射后在大气中透射降低程度 因子 Linke turbidity factor

实际大气与理想大气的线性消光系数之比。 它 linear extinction coefficient

是大气浑浊度的定量指标之一。 4.93 线性消光系数

垂直通过无限薄介质层的准直辐射束, 其光谱辐照度的相对减弱除以介质层的厚 度。 4.94 天空(有效)温度 (effective)sky temperature reflection 与大气辐射完 辐射在无波长或频

全等效的全辐射体所具有的温度。 4.95 反射

率变化的条件下被入射表面折回入射介质的过程。 4.96 反射比 (ρ) reflectance 反射的与入射的辐射能通量之比。 4.97 半球向反射比 同义词 (反射系数 reflection coefficient)

hemispherical reflectance

在 2πSr 立体角内,反射的与 材料层厚度达到

入射的辐射能通量之比。 4.98 反射率(ρ∞) reflectivity 反射比不随厚度增加而改变时的反射比。

注:反射率是材料的特性;反射 albedo 各

比则是无厚度及表面形状限制的材料试样的特性。 4.99 反照率 类地表的反射比。 4.100 地球反照率 层)的反射比。 4.101 吸收 absorption albedo of the Earth


由于物质的相互作用使入射辐射能 吸收的与入

转换为其他能量形式的过程。 4.102 吸收比(α) absorptance 射的辐射能通量之比。 吸收比 同义词 (吸收系数

absorption coefficient) 4.103 内

internal absorptance

在材料层的入射面和出射面之间吸收的辐射能 absorptivity 在材料界面不

通量与离开入射面的通量之比。 4.104 吸收率

影响吸收的条件下,单位辐射程长厚度的材料层内吸收比。 4.105 透射 transmission 辐射在无波长或频率变化的条件下对介质的穿透。 4.106 透射 透射的与入射的辐射能通量之比。 同义词 (透 到

比(τ) transmittance 射系数

transmission coefficient) 4.107 内透射比

internal transmittance

达材料层出射面的与离开材料层入射面的辐射能通量之比。 4.108 透射率 transmissivity 层内透射比。 在材料界面不影响透射的条件下,单位辐射程长厚度的材料 同义词 透过率 4.109 发射 emissivity;emittance emission 物质辐射能的释

放。 4.110 发射率(ε)

热辐射体的辐射出射度与 angle of incidence

处于相同温度的全辐射体的辐射出射度之比。 4.111 入射角


太阳能热利用术语第二部分 GB 12936.2─911 主题内容与适用范围 定了太阳能热利用中一部分关于部件与系统的术语。



或太阳能空气的部件与系统。 引用标准 GB 4271 平板型太阳集热器热性能试验 2 方法 GB 6424 平板型太阳集热器产品技术条件 3 部件 3.1 部件 component 具

备太阳加热系统某种功能,并为构成该系统的器件组合。其主要功能可为集热、 换热、 储热及控制等。 〔太阳〕 3.2 集热器 (solar) collector; solar thermal collector 太阳加热系统中,接收太阳辐射并向其传热工质传递热量的部件。3.3 液体〔型〕 集热器 liquid type collector 以水或其他液体作为传热工质的太阳集热器。 以空气作为传热工质的太阳集热器。 进入采光口的太阳辐射

3.4 空气〔型〕集热器 air type collector 3.5 非聚光〔型〕集热器

non-concentrating collector

不向吸热体聚光的太阳集热器。 其吸热体面积与采光面积近似相等。 平板 3.6 〔型 太阳〕集热器 flat plate(solar)collector trickle collector 吸热体基本为平板形状的非聚光型 传热工质不承受压力的液体型平板

集热器。3.7 涓流集热器

太阳集热器。其传热工质不封闭在吸热体内,而从吸热板表面缓慢流下。3.8 真 空管集热器 evacuated tube collector 管壁与吸热体之间抽成一定真空度的

透明管(常为玻璃管)制成的非聚光型集热器。其吸热体具有选择性表面。3.9 聚光〔型〕集热器 concentrating collector 利用反射器、透镜或其他光学器

件使入射在采光口上的太阳辐射改向并集中射在吸热体上的太阳集热器。 其吸热 体面积小于采光面积。3.10 线聚焦〔型〕集热器 line focus collector 使太阳

辐射在接收器表面形成一条焦线(或焦带)的聚光型集热器。3.11 点聚焦〔型〕 集热器 point focus collector 使太阳辐射在接收器表面形成一个焦点(或焦 parabolic trough collector 同义词 反

斑)的聚光型集热器。3.12 槽形抛物面集热器

射器为具有抛物线截面、槽形结构的聚光型集热器。 3.13 旋转抛物面集热器 parabolic dish collector 同义词



盘形结构的聚光型集热器。 Fresnel collector

抛物盘集热器 3.14 菲涅耳集热器


3.15 非成象集热器

non-imaging collector


器)表面集中,但不形成焦点(或焦斑)或焦线(或焦带)的聚光型集热器。3.16 复合抛物面集热器 compound parabolic(concentrating)collector 利用若干

种抛物面反射镜片组合为反射器的非成象聚光型集热器。 3.17 多反射平面集热器 faceted collector 跟踪集热器 利用许多平面反射器件组合为反射器的聚光型集热器。3.18 以绕单轴或双轴旋转的方式跟踪全天太阳视 collector array controller 连接进、出口管 对太阳加热

tracking collector

运动而运动的太阳集热器。3.19 集热器阵列

道并排列成适当模式的一组太阳集热器。 3.20 控制器

系统及其部件进行调节,使之正常运行所需的部件。可为手动或自动。3.21 温差 控制器 differential temperature controller 能监测微小温差并以此温差控制泵 太阳加热系统中, 使传 同义词 热交换器 3.23

及其他电动装置的部件。 3.22 换热器

heat exchanger

热工质与其他不同温度的流体进行热量交换的部件。 表面式换热器 surface heat exchanger


固定壁面两侧彼此不相接触,通过壁的传导及壁面流体的对流进行换热的换热 器。 device 同义词 间壁式换热器 3.24 压力温度安全器 pressure-temperature relief

太阳加热系统中,能防止流体温度过高或释放其过高压力的自动传感 thermal storage device 太阳加热系统中, 装有储热介质的 同义词 贮热器;

部件。 3.25 储热器

容器及其附件所组成的部件。该储热介质蓄存了太阳能。 蓄热器 3.26 储水箱 件所组成的部件。 thermal source storage tank 同义词

太阳热水系统中,蓄存热水的容器及其附 auxiliary

贮水箱; 储水槽; 蓄水箱 3.27 辅助热源

太阳加热系统中, 为了补充太阳能系统的热输出所用的非太阳 element;part aperture 集热

能加热部件。其中常以电能或燃料化学能作为能源。3.28 器件 具备部件的某种功能并为构成部件的基本单元。3.29 采光口 器接收太阳辐射的器件入口或器件敞开口。 光平面 aperture plane 同义词

透光口;开口 3.30 采

集热器采光口上或上方允许太阳辐射进入或透射的 集热器内吸收太阳辐射能并向传热工质传递热 平板集热器内带有流体通道的基本为 平板集热器吸热板上纵向排列的流

平面。3.31 吸热体


量的器件。3.32 吸热板

absorber plate tube bank

平板形状的吸热体。 3.33 排管 体通道。3.34 集〔流〕管



的流体通道。3.35 集热器盖板

collector cover plate


盖的一层或若干层透明板状器件。其作用为透过太阳辐射、阻止长波辐射透出、 降低吸热板热损以及减少环境对集热器的影响。 选择性表面 non-selective surface 同义词 透明盖板 3.36 非


射比和发射率等光学性能与入射辐射波长无关的材料表面。3.37 选择性表面 selective surface 在一定波长范围内,反射比、吸收比、透射比和发射率等光 注:例如,吸热板的选 concentrator


择性表面对短波辐射的吸收比高而长波辐射发射率低。 3.38 聚光器

聚光型集热器中接收非聚光太阳辐射并将其改向集中射至接收器上的器件。 它是 由透镜或反射镜片组成的光学装置。3.39 接收器 receiver 聚光型集热器中

最后接收聚光太阳辐射的器件。它是由吸热体及其附装的透光材料组成的装置。 3.40 定日镜 heliostat 以机械方式驱动,使太阳辐射向一个恒定方向反射的 insulator 太阳集热器中,抑制吸热体向周围环境散热 太阳集热器中,保护及固定吸热体、透明盖 inlet 传热工质进入太阳集热器的管口。3.44

反射器。3.41 隔热体 的器件。3.42 外壳

outer casing

板和隔热体的器件。3.43 进口 出口 area 同义词 outlet

传热工质离开太阳集热器的管口。 3.45 采光面积 (A) aperture

集热器采光平面上接收太阳辐射的最大投影面积。 单位为平方米 (m2) 。 透光面积 3.46 聚光集热器〕 〔 总采光面积 (Aa) gross aperture area 聚

光型集热器采光平面上接收太阳辐射的最大投影面积。 其中包括接收器及其支架 在采光面上的投影面积与反射镜片的间隙。单位为平方米(m2)。3.47〔聚光集 热器〕净采光面积(Ae) net aperture area 聚光型集热器总采光面积减去接

收器及其支架在采光面上的投影面积与反射镜片间隙后所得的面积。 单位为平方 米(m2)。 同义词 有效采光面积 effective aperture area3.48 集热器总面

积(Ag) gross collector area

集热器采光平面上包括外壳边框在内接收太阳 absorber area 吸

辐射的最大投影面积。 单位为平方米 (m2)3.49 吸热体面积 。

热体外表面未被隔热的总面积。单位为平方米(m2)。3.50 倾〔斜〕角 斜放物面与地平面之间所夹的锐角。 单位为度 (°) 3.51 跟踪误差 。

tilt angle

tracking error

(1)对于单轴太阳跟踪器,指沿旋转轴截出的两个横截平面之间的角度偏差。 两横截面之一含有集热器采光平面的视线轴;另一含有日面中心。(2)对于双

轴太阳跟踪器, 指日面至集热器采光平面的 角度偏差。3.52 几何聚光比

中心连线与采光平面法线之间的 聚光型集热器净采 入射在

geometric concentrating ratio

光面积与接收器面积之比。3.53 通量聚光比

flux concentrating ratio

聚光型集热器接收器面积与净采光面积上的太阳辐射能通量之比。 3.54 传热工质 heat transfer fluid 体; (1)流经集热器并将吸收的热量从集热器输出的液体或气

(2)在太阳能系统的子系统或部件之间传递热量的任何流体。3.55 工 fluid inlet temperature 集热器进口处传热工质的温度。单 集热


位为绝对温度(K)。3.56 工质出口温度(t0) fluid outlet temperature

器出口处传热工质的温度。 单位为绝对温度 (K) 3.57 工质平均温度 。 (tm) mean fluid temperature 3.58 环境空气 传热工质在集热器中的平均温度。单位为绝对温度(K)。 ambient air 部件或器件周围的室内或室外空气。 3.59 环境 〔空 在部件或器件周围测得的环境空 未受障碍物

气〕温度(ta) ambient(air)temperature

气的温度。单位为绝对温度(K)。3.60 风速(v) wind speed

干扰的大气流动速率。应在露天场地距地平面 10m 的高度处测量。单位为米每 秒(m/s)。3.61 环境风速 surrounding air speed 部件或器件上方或周围一 steady-state 集

定距离处的空气流动速率。单位为米每秒(m/s)。3.62 稳态

热器中任何一点单位时间输出能量 (包括热损失) 等于太阳辐射输入能量的状态。 此时集热器各点温度不随时间变化。3.63 准稳态 quasi-steady state 晴天时,

集热器工质进口温度与质量流量保持基本不变, 工质出口温度随太阳辐照度的正 常变化而缓慢变化的试验状态。 3.64 闷晒 输出的条件下接受太阳辐射的状态。 3.65 空晒 集热器在其内部传热工质无输入和 集热器内只有非机械力驱动的

空气而不填充其他传热工质时,仍接受太阳辐射的状态。3.66 集热器效率 collector efficiency 传热工质从太阳集热器中获得的能量与入射在集热器采 instantaneous

光面积上的太阳辐射能量之比。3.67〔集热器〕瞬时效率(η) (collector)efficiency

稳态或准稳态下,规定时段(常为 5~15min)内,传

热工质从太阳集热器获得的能量与同时入射在集热器采光面积上的太阳辐射能 量之比。 其表达式为: η=G×Gp (t0-t1) A×Eh) / ( …………………………………… (1) 式中 G 为传热工质质量流量,单位为公斤每秒(kg/s);Cp 为传热工 对温度〔J/(kg?K)〕;t0 为工质出口温


度,单位为绝对温度(K);t1 为工质进口温度,单位为绝对


A 为集热器采光面积,单位为平方米(m2);Eh 为半球向日射辐照度,单位为 瓦每平方米 (W/m2)。3.68 热效率曲线 thermal efficiency curve η=F′

〔 (τa) (tm-ta) e-uL /Eh〕 …………………………………………… (2) 〔 η=F (τa) e-uL(ti-ta)/Eh〕……………………………………………(3) 一定环境条

件下,集热器瞬时效率相对于工质进口温度(或平均温度)和环境温度之差与半 球向日射辐照度之比的关系曲线。其表达式为: 式中 F′为集热器效率因子;

(τa)e 为有效透过率与吸收率乘积;UL 为总热损系数,单位为瓦每平方米绝 对温度〔W/(m2?K)〕;tm 为工质平均温度,单位为绝对温度(K);ta 为环 境空气温度,单位为绝对温度(K);Eh 为半球向日射辐照度,单位为瓦每平方 米(W/m2);FR 为集热器热转移因子;ti 为工质进口温度,单位为绝对温度。 注:F′(τa)e 为方程(2)曲线的截距;F′UL 为方程(2)曲线的斜率;FR(τa) e 为方程(3)曲线的截距;FRUL 为方程(3)曲线的斜率。 效率特性 3.69 入射角修正系数(K0) incident angle modifier 同义词 瞬时


射角为某一数值时,其有效透过率与吸收率的乘积与入射角为零时该乘积之比。 其表达式为:Kθ=(τa)e,θ/(τa)e,n…………………………………………… (4) 式中(τa)e,θ 为入射角等于某一数值 θ 时的有效透过率与吸收率的 于零时的有效透过率与吸收率的乘积。3.70 集热器中吸热体对环境空气

乘积;(τa)e,n 为入射角等 总热损系数(UL)

overall heat loss coefficient

的平均传热系数。单位为瓦〔特〕每平方米绝对温度〔W/(m2?K)〕。3.71 集 热器热转移因子(FR) collector heat removal factor 平板集热器实际输出的 同

有效热量与假定吸热板完全处于工质进口温度时所输出的有效热量之比。 义词 集热器热迁移因子 3.72 集热器效率因子(F′)

collector efficient factor

平板集热器实际输出的有效热量与假定吸热板完全处于工质平均温度时所输出 的有效热量之比。3.73 集热器流动因子 collector flow factor 集热器热转移

因子与集热器效率因子之比 (FR/F′) 3.74 额定工作压力 。 (Pm) nominal working pressure 设计制造时所推荐的吸热体允许承受的传热工质工作压力。单位为 time constant 太阳辐照度或工质进口温度

帕(Pa)。3.75 时间常数(Tc)


1─1/e(即 63.2%)所需要的时间。单位为秒(s)。3.76 储水〔容〕量(V) tank capacity 义词 储水箱满载时测得的蓄存热水的体积。 单位为立方米 (m3) 。 storage capacity 同

贮水〔容〕量;蓄水〔容〕量 3.77 储热容


度升高(或降低)1k 所能蓄存(或释放)的显热量。单位为焦〔耳〕每绝对温 度(J/K)。 heating system 同义词 贮热容;蓄热容 4 系统 4.1 太阳〔能〕加热系统 solar


加热所需的子系统与部件的组合。 其中主要包括集热器子系统与输配子系统。 4.2 太阳能系统 solar(energy)system 接收、吸收、传递、储存、转换及输配 active solar energy) (

太阳能所需的子系统与部件的组合。 主动式太阳能系统 4.3 system

需要由非太阳能或耗能部件(如泵和风机)驱动系统运行的太阳能系 passive solar(energy)system 不需要由非太阳 phase change

统。4.4 被动式太阳能系统

能或耗能部件驱动就能运行的太阳能系统。4.5 相变太阳能系统 solar system 能独立系统

利用传热工质的相变潜热提供间接加热的太阳能系统。4.6 太阳 solar only system 除传热工质输配及控制器所用非太阳能之外, solar preheat system

完全由太阳能提供加热的太阳能系统。4.7 太阳能预热系统

为其他加热系统提供预热水或空气等预热流体的太阳能系统。4.8 太阳能带辅助 热源系统 solar plus supplementary system 太阳能系统与辅助热源联合的太 circulating system

阳加热系统。其中也可由太阳能系统单独加热。4.9 循环系统

传热工质在集热器与储热器(或换热器)之间循环流动的太阳加热系统。4.10 自然循环系统 natural cycle system 仅利用传热工质内部温度梯度产生的密 同义词 热虹吸系统 利用机械设

度差所形成的自然对流进行循环的循环系统。 thermosiphon system4.11 强制循环系统

forced circulation system

备等外部动力迫使传热工质通过集热器与储热器(或换热器)进行循环的循环系 统。 同义词 机械循环系统 4.12 太阳热水系统 solar water heating system;

solar hot water system

将太阳能转换为热能并在必要时与辅助热源配合使用 solar air heating

以加热水所需的子系统与部件的组合。4.13 太阳能空气系统 system

将太阳能转换为热能并在必要时与辅助热源配合使用以加热空气所 solar water heater 将太阳能转换

需的子系统与部件的组合。 4.14 太阳热水器


连接管道、支架及其他部件。4.15 家用太阳热水器

domestic solar water heater natural

适合家庭及小集体用的小型太阳热水器。 4.16 自然循环式 〔太阳〕 热水器 cycle solar water heater

仅利用水内部温度梯度产生的密度差所形成的自然对 direct system 利

流, 使水在集热器和储水箱之间循环的太阳热水器。 4.17 直接系统 在集热器中直接加热供水的太阳热水系统。 4.18 间接系统

indirect system

用换热器间接加热供水的太阳热水系统。 集热器中的传热工质可为除水以外的其 他流体。 system 同义词 同义词 双回路系统 double loop system4.19 封闭系统 closed

传热工质被完全密封在装置内,不与大气相通的太阳热水系统。 密封系统 sealed system4.20 开口系统 vented system 传热工质与

大气的接触处仅限于给水箱和膨胀水箱的自由水面或系统排气管的太阳热水系 统。 4.21 敞开系统 open system 传热工质与大气有大面积接触的太阳热水系 drainback system 当循环

统。接触面主要在储水槽的敞开面。4.22 回流系统

泵停止运转时, 传热工质便从集热器及露天管道流回储热器的防冻式太阳热水系 统。4.23 防冻 freeze protection 防止集热器及露天管道中的流体因受冻而损 draindown system 传热工质可从集热器 series-connected

坏系统装置的措施。4.24 排放系统

排出而不再利用的太阳热水系统。 4.25 直流式 〔太阳热水〕 系统 system;once-through system


箱或用热水处的非循环太阳热水系统。 其储水箱的作用仅为蓄存集热器所排放的 热水。4.26 分离式〔太阳热水〕系统 remote storage system 集热器与储热器 close-coupled

相互分开一定距离安装的太阳热水系统。4.27 紧凑式太阳热水器 solar water heater 热水器。

集热器与储热器靠在一起, 且安装在一个共用支架上的太阳 close-coupled collector storage 集


system4.28 整体式太阳热水器

integral collector storage solar water heater 同义词


整体式〔太阳热水〕系统 heat

integral collector storage system; 闷晒式 〔太阳〕 热水器 4.29 热管太阳热水器 pipe solar water heater 子系统

利用热管做集热和传热器件的太阳热水器。 4.30 集热器 包括管道及支架等附件在内的以集热器为主的 distribution subsystem 从储热器(或换热器)至 使用寿命

collector subsystem

部件组合。4.31 输配子系统

4.32 工作状态 最终用热地点所需的部件组合。

in-service condition

期间,太阳加热系统及其部件所面临的正常状态。其中不包括滞止状态。4.33 流动状态 flow condition 为实现正常的运行状态, 传热工质在集热器或集热 stand-by condition 储水箱内 stagnation

器阵列中流动时所达到的状态。4.34 备用状态

无输入或输出能量时,太阳热水系统所达到的状态。4.35 滞止状态 condition

传热工质停止流动后,集热器仍继续接收较强太阳辐射时,太阳热 stagnation temperature 滞止状

水系统所达到的准稳态状态。4.36 滞止温度

态下,处于最强太阳辐照度和最高环境空气温度条件下,太阳集热器吸热体所达 到的最高温度。 4.37 当量长度 equivalent length 在太阳加热系统的水力计算

中,为方便起见,将局部阻力折算成与之相当的摩擦阻力后,系统或管段所应增 加的名义长度。4.38 水力计算 hydraulic calculation 为使太阳加热系统中各

管段的流量符合设计要求所进行的管径选择、 阻力计算及压力平衡等一系列运算 过程。4.39 局部阻力 local resistance 特指流体流经管道的一些附件(如阀

门、三通、弯头等)时,由于流动方向和速度的改变产生局部旋涡和撞击而形成 的阻力。4.40 摩擦阻力 frictional resistance 当流体沿管道流动时,由于流体 同义词 沿程阻力 4.41 取水流

分子间及其与管壁间的摩擦而引起的阻力。 量 water draw rate

规定时间内,从太阳热水系统出口处取出的热水流量。 同义词 供水流量 water delivery rate4.42 取水

单位为公斤每秒(kg/s)。 温度 draw-off temperature

规定时间内,从太阳热水系统出口处取出的热水 同义词 供水温度 delivery temperature4.43

温度。单位为绝对温度(k)。 日负荷(L) load


能量。即该系统日供热水质量、比热及温升的乘积。单位为焦〔耳〕每日(J/d)。 4.44 太阳能保证率(f) solar fraction 与总负荷之比。 4.45 节能率 太阳加热系统中由太阳能提供的负荷 采用太阳能系统节约的 solar water

fractional energy savings

常规能源耗能量占原耗能量的百分率。4.46 太阳热水系统效率 heating system efficiency

规定时段内,太阳热水系统输出的能量与输入的太 全天累积太阳辐照量大于规定值的条件

阳辐射能量之比。4.47 平均日效率

下, 太阳热水器储水全天所获得的能量与入射在其采光面积上的太阳辐射能量之 比。它表示试验当天气候条件下太阳热水器的热性能。

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