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介损损耗


介质损耗 1、介损定义 2、测量 tanδ 用西林电桥工作原理 3、测量 tanδ 能发现的缺陷及其局限性 4、测量 tanδ 的干扰因素 5、强电场干扰下测量介损的几种方法的简要介绍 6、电桥测试介损时需要注意的几个问题 7、几种一次设备的介损测量及影响因素 8、泛华AI-6000E自动抗干扰介损仪常用功能的使用说明

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一、介损定

义 电介质在交流电压作用下, 除电导损耗外还有极化损耗及游离损 耗 (电晕损耗和比直流电压作用下更为强烈的局部放电引起的损耗) 。 所以引入新的物理量来表示这种损耗。 绝缘介质在交流电压作用下的电路图和相量图:
?=?R +?C ? ?C ? CX ? ? ?R R C ?C δ ? (a) (a)电路示意图 (b) (b)等值电路图 (c) (c)相量图 ?R

电流包含有功和无功两个分量,电源供给的视在功率 S=P+jQ, 由功率三角形可知 P=Qtanδ =U2ω Ctanδ ,在电介质一定, 外施电压及 频率一定时,可以用 tanδ 表征介质损耗大小。 二、测量 tanδ 用西林电桥工作原理 西林电桥的四个桥臂由四组阻抗元件所组成,其原理接线如图 1 所示。电桥平衡时 ωCxRx=1/ω C4R4 ? tg ?
x

(1) (2)

? ? C4 R4

在工频试验电压下,式(2)中
? ? 2 ? f ? 1 0 0?

通常取R4为10000/π =3184Ω 则tgδ x=C4,即C4的μ F值就是tgδ x值。
2

三、测量 tanδ 能发现的缺陷及其局限性 绝缘整体受潮,劣化变质、小体积试品贯通和未贯通的局部缺 陷。当试品体积较大,缺陷的损耗占整个试品损耗太小比例时就有其 局限性。如大容量变压器、整个发电机绕组及较长电缆,介损试验只 能检查它们普遍的绝缘状况,而不易发现它们可能存在的局部缺陷。 关于大体积试品测介损的局限性的解释: 例如,某台变压器套管电容量为 250pF,介损为 5%,本体电容 量为 10000pF,介损为 0.4%,根据并联电路介损计算公式得:
tg ? ? C 1 tg ? 1 ? C 2 tg ? 2 C1 ? C 2 ? 0 .5 %

如果试品为串联电路,则介损计算公式为:
tg ? ? C 2 tg ? 1 ? C 1 tg ? 2 C1 ? C 2

下表为两部分试品串联前各自的介损及串联后的总介损:

3

由此表可以看出, 不能从两个容量差距较大试品串联或并联后的总介 损作为判断试品好坏的依据, 否则发现不了电力系统可能存在的事故 隐患。 另外从体积的观点来看,绝缘总体积一定时,缺陷部分体积越 大,则良好绝缘体积越小,因而缺陷对整体影响就越大,反之则影响 甚微。串联时体积与电容成反比,V1>>V2,则C1<<C2,所以无论串联还 是并联,都有:
tg ? ? tg ? 1 ? V2 V tg ? 2

可见总体积很小的局部集中性缺陷是不能从介损中明显反映出 来的。 四、测量 tanδ 的干扰因素 1、电场干扰 电场干扰主要是由于干扰电源通过带点设备与试品之间的电容
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耦合造成的。 干扰电流在 0° ~360° 范围内变动时试品电流与干扰电流合成轨迹 图如图 2:

干扰电流通过耦合电容流过被试设备电容, 干扰后电流 Ix 轨迹是 以试品电流 Ix 末端为圆心,以干扰电流 Ig 为半径的一个圆。 2、磁场干扰 磁场干扰一般较小,电桥本体都有磁屏蔽,磁场干扰较弱时不会 引起大的干扰电流。 3、空间干扰 空间干扰指在试品周围的构架、 杂物或试品内部绝缘构成的干扰 网络。这些干扰由理论分析可知,既能是实测结果增大,也可能使其 减小。当 Cx 较小时, ? tg ? 值较大,在电容套管、电流互感器、串级 式电压互感器支架等小电容试品的介损测量时, 尤其要注意空间网络 的干扰。 五、强电场干扰下测量介损的几种方法的简要介绍 1、移相法 移相法是现场常用的消除干扰的有效方法, 允许电场干扰电流通
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?
?

?

?

过被测试设备和测量回路,利用干扰电流和试验电流之间的关系,通 过计算得出真实的tgδ值。其简要原理是利用移相器改变试验电源的 相位, 使被测试设备中的电流 Ix 与 Ig 同相或反相,现场通常在试验电 源和干扰方向相同和相反两种情况下分别测两次,然后取平均值
tg ? 1 ? tg ? 2 2
?
?

;其电桥两次测量的电容值分别为
? Cx ? CN R4 ? R3 ? 1 1 ? tg ?
2

? CN

R4 ? R3

C ?? ? C N X

R4 ? R3?

?

1 1 ? tg ?
2

? CN

R4 ? R3?

被试设备实际电容值计算公式为
CX ? C ? ? C ?? X X 2 ? ? C N R4 ? 1 ? ? ? ?? 2 ? R 3 ? R 3? ? ?

2、倒相法 倒相法是移相法中的特例, 比较简便。 测量时正、 反相各测一次, 于是得到两组测量结果, C ? , t g ? 1与 C ?? , tg ? 2 。 即 X 然后根据这两组数 X 据计算出电容 C X , tg ? 其相量图见图3。

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图3 用倒相法消除干扰的相量图 计算公式为:

此时若 C X ?与 C X ? 或 tg ? 1与 tg ? 2 相差不大时,则 3、分级加压法

tg ? ?

1 2

?tg ? 1 ? tg ? 2 ? 。

这种方法的思路源于倒相法, 它象倒相法一样要进行两次测量然 后进行计算,得到设备的真实介损值,其具体做法是:先在试验电压
?

?

U

时第一次将电桥调至平衡有
2

tg ? 1 、C ;再将试验电压降至 1

U 2

,第

二次调平衡有 tg ? 、C2,利用有干扰时测量介损的等值电路推出下面 的计算公式进行计算可得其结果。

这两种方法的效果是等价的。但分级加压法比用倒相法操作简便,在 现场的实际运用中,还可以用分级加压法来判断现场是不是存在干 扰、电桥在测试过程是否准确、电桥内部是否有故障等。 4、桥体加反干扰源法 未加试验电源时,在电桥臂上施加一个特别的可调电源,用于补
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偿干扰电流造成的影响,再施加电源电压,电桥就能在消除了干扰源 的影响后测出试品真实tgδ。 5、变频法 这种方法是采用与本地区电网频率不同的另一种频率的电源作 为试验电源,测量强干扰下电力设备的介损。 工频时测量结果为 tg ? 50 ? 2 ? fC 4 R 4 ,采用变频电源后测得的介损为

? tg ? x ? 2 ? f C 4 R 4 ? 2 ? fC 4 R 4

f? f

? tg 50

f? f

tg ? 50 ? tg ? x

f f?

国家电力公司武高所和山东泛华研制的抗干扰介损测量仪利用 了该原理,具有很强的抗干扰能力。 六、电桥测试介损时需要注意的几个问题 1、外界电场干扰的影响 35kV电压等级的CT、PT,断路器套管等由于电容量小,受外界 电场干扰比较大, 有时不采取措施消除电场干扰措施就不能反映试品 绝缘的好坏。 2、试品电容量变化不容忽视 3、试品表面泄漏的影响 测量设备绝缘的介损时,如测量时空气相对湿度较大,会使绝缘 表面有低电阻导电支路,对介损测量形成干扰。当湿度较大,绝缘表 面脏污时,对测量结果影响更大。这种表面低电阻泄漏,对介损的影
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响, 因试品的不同而不同。 一般情况下, 正接线时有偏小的测量误差; 而反接线时有偏大的测量误差。 由于加装屏蔽环会改变测量时的电场 分布,因此不易加装屏蔽环。为保证测量介损的准确度,一般要求测 量时相对湿度不大于80%。 4、电桥引线的影响 a、引线长度的影响 b、高压引线与试品夹角的影响 为了测量准确应尽量减小高压引线与试品间的杂散电容,气候条 件差时更为重要,有实测例子表明高压引线与试品夹角为90° 时杂散 电容最小。 c、高压引线电晕的影响 d、引线接触不良的影响 当引线与试品接触不良时,等于被试支路串联一个附加电阻,该 电阻在交流电压作用下会产生有功损耗并与试品损耗叠加。 5、反接线带来的测量误差 在反接线中试品高压电极及引线对地的杂散电容与试品并联, 因 此会产生测量误差,当试品容量较小时,这个误差更大。 6、标准电容器 CN 有损耗 通常所说的标准电容是将它看作无损电容的。 如果试品介损比标 准电容还要小, 那么表征标准电容的漏导损耗的电阻支路RN将不能忽 略。 7、测试电源的选择
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在现场测试中,有时会遇到测试电源与干扰电源不同步。比如试 验电源与干扰电源来自两个不同的系统存在频率差或发电机供电时 输入频率不稳定等情况。 8、负 tanδ 的出现 电场干扰、空间干扰及标准电容器CN的损耗均可带来负tanδ 。 现场出现负介损时,从这几个方面分析是可以找出原因的,并可求得 正确测量结果。 七、几种一次设备的介损测量及影响因素 1、电容型电流互感器 1)结构与测量方法 电容型电流互感器(以下简称电容型TA)是电容均匀分布的油 浸纸绝缘产品,其内部结构是采用10层以上同心圆形电容屏围成的 "U"形,其中,各相邻电屏间绝缘厚度彼此相等,且电容屏端部长度 从里往外成台阶状排列,最外层有末屏引出。电容屏由铝箔制成,屏 间绝缘由电缆纸连续缠绕构成由于其一次回路轴向及径向电场分布 均匀,主绝缘结构合理并得到充分的利用,因此电容型TA的整体结 构非常紧凑。电容型电流互感器结构图如图4:

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一次绕组对末屏用正接线测量,也可按一次绕组对末屏、二次绕组 及地用反接线测量。但上述方法只反映一次绕组电容层间的绝缘状况, 不易发现电流互感器底部及电容芯子表面的绝缘状况, 规程规定末屏对 地绝缘电阻低于1000MΩ ,应测量末屏对地介损,测量电压2kV。 2)常见的绝缘故障形式

a、电容极板边缘的局部放电 由于制造中电容极板不光滑,电容尺寸排列不符合设计要求,以及铝 箔在卷制或组装的过程中应力集中而产生断裂等造成电容极板边缘 电场集中而形成局部放电。 b、绝缘介质不均匀产生局部放电,损伤绝缘结构 由于制造或检修过程中真空干燥处理不彻底,绝缘体内存在气泡,在 电场作用下气泡比固体介质的击穿强度低, 在运行中气泡处首先发生 极化而产生局部放电。由于U形结构,电容纸容易卷褶,放电首先在

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沿折叠处发展。 c、绝缘受水分、杂质侵蚀而引起的介电性能下降 由于端部密封不严,容易造成底部和末屏受潮,使绝缘劣化,介电性 能下降。 d、热老化 电容绝缘既承受高电压,电容芯棒又有大电流流过,介质损耗以及电 流热效应均会使绝缘体的温度升高。如果绝缘存在缺陷,绝缘中发出 的热量向周围介质扩散,则绝缘的温度将会不断升高产生热不稳定, 造成老化。绝缘油在电场作用下由于局部放电、过热使油分解,以及 水份及杂质溶于油中都能使油的介电性能下降。 2、电磁式电压互感器 1)结构与测量方法 电磁式电压互感器分为全绝缘和分级绝缘两种, 绝缘方式不同测 量方法也不同。 220kV串级式电压互感器的绕组及结构布置图见图5

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一次绕组分成4段, 绕在两个铁芯上; 两个铁芯被支撑在绝缘支 架上, 铁芯对地分别处于3/4和1/4的 工作电压, 一次绕组最末一个静 电屏(共有4个静电屏)与末端“X”相连接, X”点运行中直接接地。 “ 末电屏外是二次绕组ax和三次绕组aDxD。 “X” 与ax 绕组运行中的电 位差100/
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V,它们之间的电容量约占整体电容量的80%。 110kV级

的绕组及结构布置与220kV级类似,一次绕组共分2段,只有一个铁
1 芯,铁芯对地电压为 2 的工作电压。

以下介绍末端加压法和规程推荐的用末端屏蔽法测量分级绝缘 电压互感器的介损的方法。 1)末端加压法 该方法测量的主要是一二次绕组间的电容量和介损,相当于顶 端有一个屏蔽罩,同时由于试品电容值较大(远大于末端屏蔽法) ,
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因此具有很强的抗干扰能力。另外可以不断开高压引线,拆解引线 工作量减小。缺点是仍有二次接线板对测量结果的影响。

使用末端加压法端部严重受潮时不能使介损有明显变化。 因此 要有监测绕组端部受潮的测试方法,如下图:

由图知,测量的主要是下铁芯对三次绕组端部的绝缘状况。能 有效的监测出受潮情况。 2)末端屏蔽法
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测量时互感器一次绕组A端加高压,末端X接电桥屏蔽(正接时接 地点) 。将每个二次绕组一端悬空,另一端连在一点接于电桥上。 (由 于X端及底座法兰接地,小瓷套及接线端子绝缘板受潮、脏污、裂纹 所产生的测量误差都被屏蔽掉, 一次静电屏对二三次绕组及绝缘支架 的介损都测不到, 所以只能测量下铁芯柱一次绕组对二三次绕组的介 损, 而该处是运行中长期承受高电压的部分, 又是最容易受潮的部位, 因此测量该处介损十分必要。 ) 绝缘支架介损的测量: 绝缘支架材质不好,分层开裂、内部有气泡、杂质、受潮等使其 介损增大,在运行中绝缘不断裂化造成事故。可按末端屏蔽间接法或 直接法来测量绝缘支架介损。 由于支架的电容量很小(一般为10~ 25pF),因此按直接法测量的灵敏度很低,在强电场干扰下往往不易 测准,建议使用间接法,按图8、图9接线两次测量后, 用式(6)计算 出绝缘支架的电容C3和介质损耗因数tgδ ,即
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C 3 ? C 2 ? C1

tg ?

3

?

C 2 tg ?

2

? C 1 tg ?

1

C 2 ? C1

在上图中互感器底座对地绝缘大于1000MΩ 。 b)某供电局用末端屏蔽法测量时出现负介损原因分析 该互感器是沈阳互感器厂95年1月生产的,型号JCC6-220W, 顶部带有金属波纹管膨胀器,于96年6月投入运行。测试仪器:济南 泛华AI6000-C介损仪,测试数据如下: 介损值% A B C -0.292 0.351 0.340 电容量р F 10.11 9.82 10.11

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由于站内220、 110kV全停, 且测量时采用变频, 可以排除干扰的影响, 引起介损测量结果负值的原因可能有以下几点 : a、空气湿度大,高压瓷套表面脏污 b、二次侧小瓷套表面脏污、受潮 c、PT进水,底部初期受潮 为了排除PT底部受潮,检查金属波纹管膨胀器的油位,油位正 并取油样做色谱、微水分析,均正常。PT未受潮。 清洁瓷套,将高压引线远离瓷套,测量结果无变化,这说明介损负值 不是高压引线杂散电容引起的。 用电吹风干燥二次侧小瓷套,绝缘电阻上升,测出的介损值- 0.071%,有明显增大,引起介损负值的原因是二次小瓷套受潮。在 太阳曝晒一中午之后,再次复测介损值恢复正常。所以测量时应气候 干燥,小瓷套表面洁净为宜。 3、电容式电压互感器(CVT) 1)结构与测量方法 CVT结构有两种,一种是整体式结构,无法使电磁单元同电容分 压器断开,以TYD型CVT自激法为例介绍其测试方法;另一种是单元式 结构, 其分压器和电磁单元各自独立, 可在现场组装, 中压连线外露。 2)TYD型CVT自激法测试

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220kV及以上CVT的高压电容C1一般会分节,对于其中独立的分节,宜 采用正接线测量,测量电压10kV。对于C1下节连同中压电容C2建议采 用自激法(有的仪器一次接线可同时完成测量) ,测量电压一般不超 过2kV(华北网)。 接线如下:

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将中间变的主二次绕组一点接地,将阻尼电阻接上,通过辅助二 次绕组加压,在中间变一次绕组上感应的高电压作为电桥的试验电 压。 关于自激法中试验电压和电流的说明: 由于 CVT 分压电容器 C2 的下端 ? (J、d)点绝缘水平较低,出厂 的交流耐压值仅为 4000V, 因此测量 C1 的介损时电桥试验电压不能超 过该值。即 U a f x f ? 4000V。 在测量 C2 介损时,虽然电压升高到 10kVJ 点绝缘也不会被击穿,
4000 13000 / 100 ? 30 V , 保 证 ? 点 电 压 不 超 过

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但由于 C2 较大, 由于中间变一次绕组热容量有限对试验电压也要有限 制。 (TYD 型最大热容量为 2000VA,最大热稳定电流为 0.15A,以 TYD110/
3

-0.015 型为例,当试验电压为 10kV 时,流过一次绕组的
I ? ? CU ? 314 ? 73280 ? 10
? 12

电流将会达到

? 10

4

? 0 . 23 ( A ) ) 所以试验电压 ,

小于 4000V 即能满足一次绕组热稳定电流的要求又能满足电桥灵敏 度的要求,华北网的作业指导书要求试验电压一般不超过 2kV,即
Ua f x f ? 15

V。

在测量 C2 时由于 C2 较大且测量回路可能发生谐振,因此,为防 止产生过负荷,低压励磁电流不能太大。一般可以这样控制,由于补 偿电抗器两端并有一个间隙和电阻的串联回路, 该间隙的击穿电压的 整定值为额定二次负荷情况下补偿电抗端电压值的四倍。 当达到此数 值时,击穿电阻接入。此电阻的功率是按短时接入计算的,因此,测 量电容时控制补偿电抗上端电压不要超过额定时的三倍。 具体计算如 下:主二次额定负荷除以 100 再乘以 3 即为试验电流限值。 中间变压器介损的测量: 测量中间变压器的C和tgδ 用反接线法或末端屏蔽法 将C2末端δ 与C1首端相连,XT悬空,中间变压器二次绕组、三 次绕组短路接地按反接线测量。 由于δ 点绝缘水平限制, 外施交流电 压2kV,其试验接线和等值电路见图。

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注:中间变压器的试验标准按《规程》电磁式电压互感器规定判断。 3)中压连线外露的CVT测试 如果CVT带有中压抽头,则优先利用测试抽头进行测试。测量C1 下节时从电容器高压侧一次加压, 从测试抽头取信号, N端子悬空, X、 正接线,测量电压10kV。测量中压电容C2时从测试抽头加压,从 ? 端 取信号,高压侧及X端悬空,正接线,测量电压不高于C2在正常工作 时的电压。带中压抽头的CVT外观见图14:

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图14 带中压抽头的CVT外观图 4) ? 端子绝缘影响C1测试的实例 介损测试结果I 试验部位 上节C1 下节C2 实测电容量(pF) 介损 ?tg ? % ? 12370 48600 0.75 0.11 绝缘(MΩ ) 20000 50

上节电容C 介损严重超标,而绝缘却非常高;下节电容C,介损 合格,绝缘却很低。C2在绝缘很低的情况下,其介损应该较大,但实 际测试结果并非如此。 根据C2的异常结果,首先对其绝缘异常降低进行原因分析与查 找:将CVT二次接线板(XT、δ 端子与二次共用一接线板)上的所有引 线全部拆开,测得δ 端子对地绝缘为40MΩ ,XT对地绝缘为20MΩ ,几
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个二次绕组对地绝缘均为20MΩ 左右,由此可判断 ,二次引出接线板 外表面或CVT电磁单元受潮或脏污。用干燥棉布对接线板进行擦拭, 并用电吹风对其进行表面驱潮处理后, 测得所有端子绝缘均在10000M Ω 以上,重新测试 ? 端子对XT端子绝缘为18000MΩ ,说明C2绝缘大幅 降低的原因是 ? 端子绝缘下降所致,重新进行介损测试,结果如下 介损测试结果II 试验部位 上节C1 下节C2 实测电容量(pF) 介损 ?tg ? % ? 12360 48620 0.12 0.10 绝缘(MΩ ) 20000 18000

八、泛华AI-6000E自动抗干扰介损仪常用功能的使用说明 打开总电源开关后,先显示开机画面,再显示生产日期: 然后自动进入测量菜单。使用机内高压请打开内高压允许开关。

开内高压允许后数秒⑥处指示 ,表示内部高压就绪,此时光标可移 动位置为① ② ③ ④ ⑤。
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关闭内高压允许③处指示“外高压”,光标可移动位置为① ② ⑤。 光标在②,按↑↓选择“内标准”“外标准”,表示使用内或外 接标准电容。通常可用内标准作正、反接线测量和CVT 自激法测量, 高电压介损选用外标准方式。 光标在③, 显示“变频”, 表示45/55Hz 自动变频。仪器自动用45Hz 和55Hz 各测量一次,然后计算50Hz 下 无干扰时数据。开机自动默认为该方式,建议使用。 光标在③,按住“启停”键1s 以上切换到全频率选择,按↑↓ 键循环显示“45Hz / 50Hz / 55Hz / 60Hz / 65Hz / 50±5Hz / 60±5Hz / 50±2.5Hz”: “50Hz”:为工频测量,此设置不能抗干扰,在试验室内测量或校验 时选用。 “45/55/60/65Hz”:为单频率测量,研究不同频率下介损的变化时 选用。 “50±5Hz”: 为45/55Hz 自动变频, 适合50Hz 电网工频干扰下测量。 “60±5Hz”: 为55/65Hz 自动变频, 适合60Hz 电网工频干扰下测量。 “50±2.5”:为47.5/52.5Hz 自动变频,适合50Hz 电网工频干扰下 测量。 轻按“启停”,⑦处显示或取消,有此符号表示用发电机供电, 能输出严格所选频率。此方式不能跟踪干扰频率,不能用于抗干扰。 发电机供电时建议选用定频50Hz。按住“启停”键1s 以上取消全频 率选择。
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光标在④,按↑↓键循环显示试验高压“0.5 /0.6 /0.8 /1 /1.5 /2 /2.5 /3 /3.5 /4/4.5 /5 /5.5 /6 /6.5 /7 /7.5 /8 /8.5 /9 /9.5 /10kV”。应根据高压试验规程选择试验高压。 启动测量后,该处显示测量高压,⑧处会显示高压电流(mA) 。 2、CVT 自激法接线方式下选择高压及保护限 CVT 自激法测量必须打开内高压允许开关,由机内提供激励电 压,由“低压输出” 和“测量接地”输出。为安全起见,CVT 自激法还需要设置以下几个 保护限: 光标在④, 轻按“启停”键循环显示xxkV / xxmA / xxV/ xxA, 按↑↓选择: xxkV:可选0.5/0.6/0.8/1/1.5/2/2.5/3/3.5/4kV,为高压上限,只 能使用4kV 以下电压。 xxmA: 10/15/20/25/30/35/40/45/50/60/70/80/100/120/140/200mA, 表示待测试品的高压电流上限。 xxV:可选3/4/5/6/7/8/9/10/12/15/20/25/30/35/40/50V,表示低压 激励电压上限。 xxA:可选3/4/5/6/7/8/9/10/11/12/13/14/15/16/20/30A,表示低压 激励电流上限。 注意: (1)测量时4 个保护限同时起作用,因此试验高压可能达不到 设定值。如果高压达不到保护限,可适当调整受到限制的保护限。 (2)通常测量C1 时低压激励电压可达20V,测量C2 时低压激励
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电流可达15A。一般可设高压电压2~3kV,较少采用高压电流限制,可 设为最大200mA。 启动CVT 测量后④处会显示激励高压。⑧处会显示高压电流 (mA) ,低压电压(V)和低压电流(A) ,带有括弧的显示量如[18V], 表示该量达到保护限,如果没有括弧,表示激励高压达到保护限。光 标在⑤,按住“启停”键1s 以上启动测量。 3、试验接线 正反接线可参考仪器面板。 1) CVT 自激法测量: CVT 自激法可按下图接线。如果C1 是单节电容,母线不能接地; 如果C1 是多节电容,母线可接地,C11和C12可用常规正反接线测量, C13和C2 用自激法测量。

CVT 自激法测量中,仪器先测量C1,然后自动倒线测量C2,并自 动校准分压影响。应注意,高压线应悬空不能接触地面,否则其对地 附加介损会引起误差,高压线接至 ? 点。
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2)反接线低压屏蔽

在反接线、 内标准和内高压方式, 光标移到“启动”处, 按“↓” 右下角显示“M”。打开反接线低压屏蔽,可在220kVCVT 母线接地情 况下,对C11 进行不拆线10kV反接线介损测量。如下图所示:母线挂 地线,C11 上端不拆线,C11 下端接高压线芯线,C2 末端δ 和X 接 Cx 芯线。这样C12 和C2 被低压屏蔽,仪器采用反接线/10kV/M 测量 方式,测量出C11。

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1、介质损耗 什么是介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起 的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。 2、介质损耗角 δ 在...
套管介损测试
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介质损耗
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什么是介质损耗
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