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手机layout和射频电路分析


某机型的 layout 方案 以射频器件面为 layer1 层 射频 基带 layer1: 器件 器件 layer2: signal 大部分地址和数据 signal、部分模拟线(对应 3 层是地) layer3: GND 部分走线(包括键盘面以及 2 层走不下的线) 、GND Layer4: 带状线 需穿过射频的基带模拟控制线(txramp_rf、afc_rf)、音频线、 基带主

芯片之间的模拟接口线、主时钟线 Layer5: GND GND Layer6: 电源层 VBAT、LDO_2V8_RF(150mA) 、VMEM(150mA) 、VEXT(150mA) 、VCORE(80 mA) 、VABB(50mA)、VSIM(20mA) 、VVCXO(10mA) Layer7: signal 键盘面的走线 Layer8: 器件 器件

二.具体布线要求 1.总原则: 布线顺序:射频带状线及控制线(天线处)――基带射频模拟接口线(txramp_rf、afc_rf)―― 基带模拟线包括音频线与时钟线――模拟基带和数字基带接口线――电源线――数字线。 2. 射频带状线及控制线布线要求 RFOG、RFOD 网络为第四层的带状线,线宽为 3mil,其上下两层均用地包住,带状线宽度根据 实际板材厚度、以及走线长来确定;由于带状线均需打 2~7 的孔,注意底层在这些孔附近用地 包住,并且其他层走线不要离这些孔太近; RX_GSM、 RX_DCS、 RX_PCS 网络为顶层射频接收信号线, 线宽走 8mil; RFIGN、 RFIGP、 RFIDN、 RFIDP、RFIPN、RFIPP 网络为顶层和第二层射频接收信号线,定层线宽走 8mil,第二层线宽走 4mil; GSM_OUT、DCS_OUT、TX_GSM、TX_DCS/PCS 网络为顶层功放输出发射信号线,线宽走 12mil 为宜; 天线开关输出到测试座、天线触点的顶层信号线 ANT_1、ANT_2、ANT_3、ANT,线宽为 12mil 为宜。 3. 与射频接口模拟线 (走四层) TXRAMP_RF、AFC_RF 网络的走线尽量加粗且两边用地线围住,线宽走 6mil; QN_RF、QP_RF;IN_RF、IP_RF 为两对差分信号线,请线长尽可能相等,且尽可能间距相等, 在第四层的走线宽为 6mil。 4. 重要的时钟线(走四层) 13MHz 的晶体 U108 以及石英晶体 G300 部分为噪声敏感电路,其下面请尽量减少信号走线。 石英晶体 G300 的两个端子 OSC32K_IN、OSC32K_OUT 步线时注意要平行走线,离 D300 越近 越好。请注意 32K 时钟的输入和输出线一定不能交叉。 SIN13M_RF、CLK13M_IN、CLK13M_T1、CLK13M_T2、CLK13M_IN_X、CLK13M_OUT 网络的 走线请尽量短,两边用地线围住,走线的相邻两层要求都是地。

时钟建议走 8mil 5.下列基带模拟线(走四层) 以下是 8 对差分信号线: RECEIVER_P、 RECEIVER_N; SPEAKER_P、 SPEAKER_N; HS_EARR、 HS_EARL ; HS_EARR_T1、 HS_EARL_T1 ; HS_MICP 、 HS_MICN ; MICP 、 MICN ; USB_DP 、 USB_DN ; USB_DP_T1 、 USB_DN_T1;USB_DP_X、USB_DN_X; 为避免相位误差,线长尽可能相等,且尽可能间距相等。 BATID 是 AD 采样模拟线,请走 6mil; TSCXP、TSCXM、TSCYP、TSCYM 四根模拟线也按照差分信号线走,请走 6mil。 6. AGND 与 GND 分布(?) AGND 和 GND 网络在原理图中没有连在一起,布板完成之后用铜箔连起来,具体位置如下: D301 芯片底部布成模拟地 AGND。模拟地 AGND 和数字地 GND 在 D301 的 AGND(PIN G5)附近 连接。 D400 芯片底部布成 MIDI 模拟地 MIDIGND,MIDI 模拟地 MIDIGND 和数字地 GND 在 D400 的 16 管脚附近连接。 AGND 最好在 50mil 以上。 7. 数字基带与模拟基带之间的重要接口线: VSDI、VSDO、VSFS、BSIFS、BSDI、BSDO、BSOFS、ASDI、ASFS、ASDO 为高速数据线,线 尽可能短、宽(6mil 以上)、且线周围敷铜; BUZZER、ASM、ABB_INT、\RESET、\ABB_RESET 为重要的信号线,请走至少 6mil 的线,短且 线周围敷铜; 8.数字基带和外围器件之间重要接口线 \LCD_RESET 、 线。 POWE_ON/OFF 走至少 6mil 的线。 9.电源: (1)负载电流较大的电源信号(走六层) :下列电源信号负载电流依次减小,最好将其在电源层分 割: CHARGE_IN、 VBAT、 LDO_2V8_RF (150mA) VMEM 、 (150mA) VEXT 、 (150mA) VCORE(80 、 mA) 、VABB(50mA)、VSIM(20mA) 、VVCXO(10mA) ,需要走线时 VBAT、CHARGE_IN 最 好 40 以上。 (2)负载电流较小的电源信号:VRTC、VMIC 电流较小,可布在信号层。 (3)充电电路:与 XJ600 相连的 VBAT 、CHARGE_IN,与 VT301 相连的 ISENSE 电源输线,电 流较大,线请布宽一点,建议 16mil。 (4)键盘背光: KB_BACKLIGHT、KEYBL_T1 有 50mA 电流, R802~R809、VD801~VD808 流过 的电流是 5mA,走线时要注意。 (5)马达驱动:VIBRATOR、VIBRATOR_x 网络流过电流是 100mA。 (6)LCD 背光驱动:LCD_BL_CTRL、LCD_BL_CTRL_X 网络流过电流是 60mA. (7) 七色灯背光驱动: LPG_GREEN、 LPG_RED、 LPG_BLUE、 LPG_RED_FPC、 LPG_GREEN_FPC、 LPG_BLUE_FPC、LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、LPG_BLUE_FPC_x 网络流过电流是 SIM_RST 、 \CAMERA_RESET 、 \MIDI_RST 、 NFLIP_DET 、 \MIDI_IRQ 、 \IRQ_CAMERA_IO、IRQ_CAMERA_IO_X、\PENIRQ 为复位信号和中断信号,请走至少 6mil 的

5mA,建议走 6mil;LPG_OUT 流过电流是 20mA,建议走 8 mil 以上,并远离模拟信号走线和过 孔。 10.关于 EMI 走线 (1)Z701,Z702,Z703 的输出网络在到达 XJ700 之前请走在内层,尽量走在 2 层,然后在 XJ700 管脚附近打 via2~1 的孔,打到 TOP 层。 (2) 从 RC 滤波走出来的网络 LPG_RED_FPC_x、LPG_GREEN_FPC_x、LPG_BLUE_FPC_x、 VIBRATOR_x、 NCS_MAIN_LCD_x、 NCS_SUB_LCD_x、 ADD01_x 在到达 XJ700 之前请走在内层, 走在 3 层或者 6 层或 7 层,然后在 XJ500 管脚附近打孔,打到 TOP 层。 (3)键盘矩阵的网络不能在第八层走线,尽量走在第七层,第七层走不下可以走到第三层。 (4) 键盘面底部和顶部耳机部分的走线尽量在第八层少走线。 希望键盘面到时可以大面积铺地。 (5)SIM 卡 XJ601 下面(在表层)尽量大面积铺地,少走信号线。 11.元器件外围屏蔽条为 0.7mm,屏蔽条之间间隔 0.3mm,焊盘距离屏蔽条 0.4mm,该位置已 留出。 12.基带共有 2 个 BGA 器件,由于 BGA 导电胶只能从一个方向滴胶,所以以射频面为正面,统 一在 BGA 的左侧留出了 0.7mm 的滴胶位置。 13.20H 原则。电源平面比地平面缩进 20H。 14.过孔尺寸:1~2,7~8 层过孔是 0.3mm/0.1mm, 其余过孔是 0.55mm/0.25mm。 15.顶层 PCB 边缘要有 1.5-2mm 的宽的接地条,并打孔。 16.在敷完铜后,用过孔将各个层的地连接起来。 17. 注意相邻层尽量避免平行走线,特别是对第四层的线而言,第三层走线要特别小心。

Typical Circuit of RF used in Handset
手机射频部分典型电路分析

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射频电路概况
随着电路集成技术日新月异的发展, 射频电路也趋向于集成化、模块化,这 对于小型化移动终端的开发、应用是特 别有利的。 目前手机的射频电路是以 RFIC 为中 心结合外围辅助、控制电路构成的。 射频电路中各典型功能模块的分析是 我们讨论的主要内容。

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Outline
收发器(Transceiver) 锁相环(PLL) 功率控制环路(APC) 收发双工器(Diplexer) 衰减网络(Attenuation) 匹配网络(Matching) 滤波网络(Filter) 平衡网络(Balance) 其它
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收发器(Transceiver)
收发器即调制解调器
调制:发射时基带信号加载到射频信号 解调:接收时射频信号过滤出基带信

Transceiver根据其工作频率可分为:单 频、双频、三频等 Transceiver根据其中频特征可分为有中 频、零中频、近零中频等
以DB2009为例介绍Transceiver UAA3535的内部结构
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Transceiver UAA3535 (Philips)
UAA3535是近零中频收发器,它最多可以作三 频收发
它内部有: 三个PLL(包括一个内置VCO)、正交混频解调器、 可控增益低噪放大器、混频调制器等 它需外接: 13MHz参考基准时钟、RXVCO、TXVCO、基带控制 信号等 详见UAA3535 Data Sheet

我们需要研究其内部各重要节点的频率、 带宽,信号转换的流程等细节
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锁相环(PLL)
锁相环四个基本构成元素 锁相环路的性能 基本构成电路分析 锁相环在手机中应用举例
详见《射频锁相环》
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锁相环四个基本构成元素
鉴相器(PD)鉴频器(FD)鉴相鉴频(PFD):
PD/FD/PFD是一个相位/频率比较装置,用来检测输入信 号与反馈信号之间的相位/频率差

环路滤波器Loop Filter(LP):
LP一般为N阶低通滤波器

电压控制振荡器(VCO):
VCO是一个电压--频率变换装置 ,输出振荡频率应随输 入控制电压线性地变化

参考信号源(Reference signal source):
参考信号源提供与反馈信号鉴相鉴频用的对比输入信号
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PLL Block Diagram

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锁相环路的性能
锁相环的基本性能包括捕获过程与同步 (1)捕获过程的性能指捕获带和捕获时间。 捕获带指环路能通过捕获过程而进入同步状态所允许 的最大固有频差 捕获时间是环路由起始时刻到进入同步状态的时刻之 间的时间间隔
Frequency deviation capability >> the max. PLL capture range

(2)环路锁定之后稳态频差等于零,进入同步状态。稳态 相差通常总是存在的,它是一个固定值。

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环路的跟踪性能
输入信号变化越快,跟踪性能就越差。暂态相位误差和稳态 相位误差的大小,是衡量环路线性跟踪性能好坏的重要标志。

环路噪声性能
噪声包括输入噪声与谐波干扰和内部噪声与谐波干扰,压控 振荡器内部的噪声是主要的噪声源。

环路捕获性能
捕获带越宽越好,捕获时间越短越好,可提高环路的增益K或 者增加滤波器的带宽,但加大环路增益或滤波器带宽往往是与提 高环路的跟踪性能和滤波性能的要求相矛盾。采用辅助捕获的方 法达到目的。包括辅助鉴频和鉴频鉴相,变带宽和变增益等。

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基本构成电路分析
鉴相器(Phase Detector) 电荷泵——环路低通滤波器 (Charge Pump——Loop Filter ) 压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator) 分频器(DIV)

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鉴相器(Phase Detector)
在频率合成器中所采用的鉴相器主要有正弦波相 位检波器与脉冲取样保持相位比较器两种。

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电荷泵——环路低通滤波器
( Charge Pump——Loop Filter)
电荷泵的的作用主要是:给锁相环路提供理想 恒定的电流源,保持良好的线性关系,使得频 率范围易于控制 环路低通滤波器(LPF) 由PFD的输出信号需经过低通滤波器再去控制 VCO。一般采用电阻、电容构成积分形式的低 通滤波器,它可以为单阶或多阶滤波器。它的 通频带由电阻、电容参数决定,它的截止速度 取决于其阶数。
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环路低通滤波器(Low Pass Filter)
phase detector
VCO Rz Cz To further reduce the phase noise of the charge pump Cp R4 C4

To important the transient characteristics The loop can track better a change in input frequency
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环路低通滤波器的应用举例

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压控振荡器 (Voltage Controlled Oscillator)
压控振荡器一般是由变容二极管为主构成 的谐振回路: 谐振回路的中心频率由其回路的等效 L、C特性决定:

ω0 =1

LC

变容二极管的等效电容量由加在其两端 的电压控制,这样通过电压的变化就能转 换成回路谐振频率的变化,就构成了压控 振荡器VCO。
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VCO的选择要素
High spectral purity Linear voltage-frequency transfer characteristic Good frequency stability to temperature Frequency deviation capability >>the max. PLL capture range Time response Low power consumption and Output level Output harmonic level and tuning sensitivity Phase noise 详见TXVCO Data Sheet RXVCO Data Sheet
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分频器(DIV)
锁相环通常用于N倍参考频率的发生器:

f 0 = N × fr
其中N为分频比,它由环路中分频器DIV提供

参见《分频器》
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锁相环在手机中应用举例
RX(接收)频率合成器

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TX-VCO锁相环路

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功率控制环路(APC)
功率控制环路构成:
功率放大器(Power Amplifier) 功率耦合器(Power Coupler) 功率检波器(Power Detector) 功率比较、控制器(Power Comparator& Controller ) 这样构成的环路可以将功率较稳定的控制在我 们的设定值上,这个设定值可以随时间根据需要 不断变化。
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功率控制环路构成
Po 功率耦合器
Coupling Power

PI 功率放大器
功率 控制 环路
耦合检波信号

Source from VCO

Pc

差值功率 控制信号

检 波 器
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功率 比较 控制器

比较信号
用于用户 设定功率值

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功率放大器(Power Amplifier)
目前手机用PA一般是厚膜模拟电路制成,它要求将 低功率射频信号线性无失真的放大到一定功率值。 它的主要参数有: 工作频率、带宽 最大线性输出功率(压缩点) 线性放大对输入功率要求 输入、输出需要的匹配阻抗 工作电源及电压、电流的要求 控制信号的形式及要求 噪声特性等等 详见PA-BGY280 Data Sheet 返回 25 2006-6-30 RF DBTEL

功率耦合器(Power Coupler)
为了达到功率控制,我们需要使用到的功率 传感器就是功率耦合器,一般为Directional Coupler。 它的主要参数有:详见其LDC Data Sheet 耦合量(Coupling) 插入损耗(Insertion Loss) 隔离度(Isolation) 方向性(Directivity) [单位(dB)] <参数计算方法>
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Directional Coupler
Insertion Loss

I/P PI

O/P Po
PI :Input power PO:Output power PC:Coupling power

Coupli ng

O/P PC

PI*:Incident Power in wrong direction PC*:Coupling power when incident power in wrong direction
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dB & dBm & dBc
dB是一个相对值,它是针对一定参考而言的,它 通常用于表示衰减或增益的量。 V 对功率比:10 lg P 对电压比: 20 lg Po Vo dBm是一个绝对功率值,它是一定功率与一毫瓦 的相对值。 P

(dBm) = 10 lg

dBc是一个差值,它表 示两个功率值的差。

1mW

P1

P1 (dBc) = 10 lg P2 P2

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dB& dBm & dBc 都是对数表示方式,对它们来 讲功率的乘除运算变成了它们的加减运算。 dB& dBm & dBc是可以直接相加减的。例如:
输入X dBm 增益 Y dB 输出Z dBm

则输出Z(dBm)=X+Y

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0dBm=1mW 10dBm=10mW 30dBm=1W

12dB---16 9dB---8 6dB---4 3dB---2 0dB---1 -3dB---1/2=0.5 -6dB---1/4=0.25 -9dB---1/8=0.125 -12dB---1/16=0.0625 -15dB---1/32=0.03125 -18dB---1/64=0.015625
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dB------功率比

返 回

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参数计算方法
PC Coupling= 10 lg <0 PI PO <0 Insertion Loss= 10 lg PI

PC * <0 Isolation= 10 lg PI *
Directivity=Coupling-Isolation>0
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计算举例(全用对数计算)
PI :0dBm Coupling=-20dBm PC :20dBm Insertion Loss= -1dBm PO : -1dBm Isolation= -40dBm PI* : 0dBm Directivity= Coupling- Isolation PC* : -40dBm =20dBm

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功率检波器(Power Detector)
功率检波器对Coupler的耦合高频信号进行包络 检波进而得到一个体现耦合信号幅值大小的检 波电压。 我们采用二极管负包络检波电路,后级常为低 通积分电路。例如:
耦合电容Cc 低通 积分 电路 检波电压输出

Coupler 输出

检波 二极管 D
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负包络检波的对二极管要求: 检波二极管D以P极为输入端 检波二极管的极电容要求较小的肖特基 二极管,若极电容过大,将会使负包络过 多的耦合流失到低,导致检波效果变差

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功率比较、控制器
Power Comparator&Controller
功率比较、控制器的功能: 功率比较器将功率检波信号与设定功率 信号相比较得到一个功率控制信号给功 率控制器,由功率控制器产生控制电压 给功率放大器(PA) 它的具体参数详见PCF5078 Data Sheet

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功率控制环路(APC)的应用

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收发双工器(Diplexer)
收发合用一路天线,因此使用天线收发 双工器(Antenna Switch)
对接收为short

RX TX

λ/4
对发射为open

λ 为发射波长
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收发双工器的特性参数 (TX/RX)
Frequency Range (MHz) Insertion Loss (dB) Attenuation(dB) V.S.W.R. Isolation (dB) Harmonics 2xfo, 3xfo (dBc) Power Capacity (dBm)
详见LMC33-07A0524A Data Sheet
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衰减网络(Attenuation)
为了达到系统中对 输入输出功率要求 高的部分的功率适 配,我们通常在输 出端到输入端之间 加上功率衰减网络 通常衰减网络形式 有:T型、Π 型 衰减网络的计算
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R1 R3

R2

Τ型衰减网络
R2 R1 R3

Π 型衰减网络
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衰减网络的计算
已知网络参数求衰减系数A

Zin1 Zout1 1+ 1+ Zin 2 = 10 lg Zout 2 A(dB ) = 10 lg Zin1 Zout1 1? 1? Zin 2 Zout 2
Zin1: 短路输入电抗 Zin2: 开路输入电抗 Zout1:短路输出电抗 Zout2: 开路输出电抗
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已知衰减系数A求网络参数(R0:特性阻抗)
由 求得K值:

1 20 lg = A(dB) K
则可得对T型: K ?1 R1 = R 2 = R 0 K +1 2K R3 = R0 2 K ?1
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Vin K= Vout
对Π型:
K +1 R 2 = R3 = R 0 K ?1 K 2 ?1 R1 = R 0 2K
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衰减网络的作用
衰减网络主要是为了使输出功率符合下 级输入功率的要求 利用衰减网络可以提高系统的信噪比 利用50欧姆衰减网络可以缓和前级与后 级的阻抗变化

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衰减网络的应用

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匹配网络(Matching)
匹配的定义:后级输入阻抗与前级输出阻抗共扼 匹配网络的类型: L型 T型 Π型

阻抗匹配(参见RF Circuit Fundamentals ) 天线的匹配(参见Transmission Line/Smith Chart)
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天线匹配的举例

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滤波网络(Filter)
通用滤波网络 电源滤波去耦网络 声表面滤波器(SAW)

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通用滤波网络
滤波器是抑制除特定带宽以外信号及噪声 的装置。 按照不同标准它可分为: 低通、高通、带通、带阻滤波器; 一阶、二阶、高阶滤波器; 无源滤波器、有源滤波器 以下我们以单阶无源滤波器为例做一些简介
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单阶无源低通(LP) R L C U

单阶无源高通(HP) C R L U

3dB

fH

f

3dB

fL

f

高频截止频率fH 与L、C参数有关
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低频截止频率fL 与L、C参数有关
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滤波特性
低通滤波器的3dB衰减点的频率为高频截止频率 fH,它截止的斜率与其阶数相关 高通滤波器的3dB衰减点的频率为低频截止频率 fL ,它截止的斜率与其阶数相关 如果将低通滤波器和高通滤波器串联,而且 fH > fL 就能构成带通滤波器,其通频带为fL ~ fH。 如果将低通滤波器和高通滤波器并联,而且 fH < fL 就能构成带阻滤波器,其阻频带为fH ~ fL。 返回
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电源滤波去耦网络
对于射频电路而言,电源稳定由特别重要 的意义,不仅它自身不稳定会影响电路性 能,而且各用电单元也会以电源为途径互 相传递干扰造成很大的不稳定因数,去耦 即去除电源与用电单元之间的交流耦合。 实际电路中电源去耦电路无论在电源输出 端还是在用电输入端都需要,而且去耦电 路离用电模块越近达到的去耦效果越好。
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电源滤波去耦网络基本理论
我们一般希望电源供电除了开/关时间以外 是直流稳定的,不希望它的端电压出现纹 波、抖动、跳变等不稳定因数存在,电源 去耦网络正是为这些交流成分提供了短路 到地的通路。 去耦电阻、去耦电容及去耦电感构成的低 通网络为电源的交流成分提供一个到地的 通路,它们的参数与电源提供的电流量、 需要特别滤除的频率成分等相关。
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电源滤波去耦网络基本构成
电源去耦低通滤波网络
如右图: Power R/L 去耦电阻或电感---R/L 用 (Decoupling C1 C2 电 Resistor/Inductor) 单 Battery 去耦电容---C1、C2 元 (Decoupling Capacitor) Decoupling 以上部分部不要求全部具备, Capacitor 去耦电阻及去耦电感有时就可不用 去耦电阻R在电路中将缓和电源上升、下降沿的速度,从而 抑制高频噪声的形成;
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Decoupling Resistor/Inductor

去耦电感L在回路中必然阻碍高频交流成分达到隔离效果; 有时,我们还使用扼流磁珠来获得更强的隔离效果。 去耦电容由C1、C2并联分别承担低频、高频交流成分滤波 的任务。 电解电容C1一般容量较大在低频时能提供好的通路,而 在高频时由于其寄生电感的存在阻抗将变大无法提供滤波 通路; 陶瓷电容C2由于其容量一般较小,所以在低频时阻抗较 大无法提供滤波通路,而在高频时阻抗变小则会有很好的 滤波特性; 这样可以看出C1、C2的滤波特性是互补的,需要同时利 用才能得到较宽频的有效滤波范围。 当然,如果需要更宽的滤波频段还可用更多不同 类型的 电容并联得到。 详见《高速电路板设计技 术》 2006-6-30 RF DBTEL 53

电源滤波去耦网络的应用

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电源去耦电路参数的选择
C1的选择: 假设电源提供电流为I, tr 则
U

C1 = K ? I

Burst tr

K取10是经验比例 一般应用时取电容标称值在计算值附近就可以了 C2的选择: C2位高频陶瓷电容,一般在0.1uF以下取值 返回
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U

声表面滤波器(SAW)
在手机中,接受信号从天线开关到接收处 理电路之间采用声表面滤波器(SAW) 声表面滤波器(SAW)可以提供较宽的通 频带、较低的损耗,此外有的SAW器件还 集成有将非平衡信号转换为平衡信号的功 能。 SAW的滤波特性详见 SAW Data Sheet
lc03c
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lc66e

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平衡网络(Balance)
Balance电路构成: UI 分别经过低通、高通得到反相的UO1 、UO2
1 1 UI jω C Uo1 = = UI ? ωC 1 1 + j ωL ? ωL j ωC ωC
L R s UI C C L Rs UO2
Rs:特性阻抗 Rdiff :输入阻抗
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UO1 Rdiff

UI ? jωL ωL Uo 2 = = UI ? 1 1 + jωL ωL ? j ωC ωC
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由计算可知UO1 、UO2始终有180度相差(Differential) 适合在Balance系统上传输。 L、C的取值要求: Rs ? Rdiff L= f:系统中心频率 2πf Rs:特性阻抗 1 Rdiff :输入阻抗 C=

2πf Rs ? Rdiff

该电路可能集成于SAW中

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差模、共模在Balance系统上的传输
差模(Differential Mode) A
I/P O/P I/P C

B
O/P

B的传输量为A的一半 共模(Common Mode)
I/P O/P

返回
2006-6-30 RF DBTEL 59

其它
稳压管、限幅管、静电放电器的比较 上拉、下拉电阻 数字控制信号的高频抑制措施 隔直(Block)电容

2006-6-30

RF DBTEL

60

稳压管、限幅管、静电放电器的比较
稳 压 管
U

限 幅 管
U -UO<U<+UO
限幅管将输出电压限定 在一定的范围内,超出 要求范围的部分由它消 耗到地,保证了后级电 路、器件的安全工作
RF DBTEL

静电放电器

U=UC
稳压管将输出电压稳定 在其标称值上,常用于 低压直流稳压电源电路

d
静电放电(ESD:Electric Static Discharge)是专 门用于高压电弧放电的 它用于那些容易被静电 接触的区域,它有效抗 静电电压取决于它的空 隙宽度d 返回 61

2006-6-30

上拉、下拉电阻
上、下拉电阻是为了防止扰动引入输入端, 保持开关状态的稳定性而设置的:
常 开

VCC

上拉电阻RH(Pull High)

下拉电阻RL(Pull Low)

RH O/P

I/P RL I/P O/P
RF DBTEL

VCC

I/P VCC
常 闭
2006-6-30

O/P VCC

RH I/P

RL

O/P
62

返 回

数字控制信号的高频抑制措施
射频电路需要由CPU的控制才能有效工作,可是一 般数字开关信号都带有很复杂的频率成分,这对于 射频电路的稳定性能是一个很大的威胁。 因此我们在控制信号到射频电路的回路中加上抑制 高频干扰的电阻R,它可以有效的减缓数字信号的 上升、下降沿坡度即减少高频成分。
CPU Control Signal

R
RF

返回
2006-6-30 RF DBTEL 63

隔直(Block)电容
对于交流信号处理电路特别是信号放大电路一般不希望连 同直流成分同时引入,因为直流偏置的存在很容易使得放 大电路处于饱和状态,这样交流信号会被淹没不可能通过 有效的放大处理单元,为此我们通常在处理电路输入端串 联适当容量的隔直(Block)电容可以有效解决这个问题。 因为电容的特性是它对一定频率以下特别是直流信号是阻 滞开路(Block)的,而对交流信号则形成通路的。至于电 容量的大小取决于带处理交流信号的频率。
0 DC Offset
2006-6-30

放大处理电路 Signal Block
RF DBTEL

返 回
64

Reference
《射频锁相环》 《分频器》 《高速电路板设计技术》 RF Circuit Fundamentals Transmission Line/Smith Chart Data Sheet: UAA3535、TXVCO、RXVCO、PABGY280、PCF5078、 LMC3307A0524A、lc03c 、lc66e、 返回 LDC10B140J1747RF DBTEL 2006-6-30

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