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PECVD


TFT製程

2016/10/18

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TFT製造流程概述
5道光罩
薄膜 素玻璃

蝕刻

黃光

TFT 基板

BOX

2016/10/18

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> TFT的循環製程圖解 3

去光 阻液

重複以上動作

光阻剝離

2016/10/18

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TFT structure (profile) & function
保護層(P-SiN) M2 -- Signal line(MoAlMo) I Stop(SiN)

N+ a-Si

Pixel(ITO)

Signal TFT Line

Pixel Area

Cs

G-SiN

Channel(α-Si)

M1 -- Gate line(Mo/AlNd)
2016/10/18 6

5PEP(17”) Film Thickness
Layer
PEP1

Material
AlNd

Thickness(A)
3000

Tool
Sputter PECVD

PEP2

PEP3 PEP4

PEP5

Mo SiON SiON g-SiN 4 layer α-Si IS-SiN N+ α- Si MoAlMo PV-SiN α-ITO

500 1750 1750 500 500 3300 500 250/2500/500 2000 400

PECVD

PECVD Sputter PECVD Sputter

Topside exposure---UV light

Mask 1
Mo 500A

TFT
AlNd 3000A

Cst

Contact

Mo/AlNd 蝕刻

SiON 1750A

TFT

Cst

Contact

SiOx沉積

IS-SiN 3100A a-Si 500A g-SiN 500A

SiON/SiON 1750A/1750A

TFT

Cst

Contact

4層連續沉積

Topside exposure---UV light

Mask 2

TFT

Cst

Contact

Backside exposure---UV light Etching stop蝕刻

Topside exposure---UV light

Mask 3
Mo/Al/Mo 500/3500/250A

TFT 沉積N+ a-Si 500A

Cst 蝕刻

Contact

Channel蝕刻

Topside exposure---UV light

PV-SiN 2000A

Mask 4

TFT

Cst

Contact

平坦層沉積
護層蝕刻 & Through hole

Topside exposure---UV light

a-Si 400A

Mask 5

TFT

Cst

Contact

ITO Sputter
ITO Etching

TFT

Cst

Contact

17”TFT Pixel Cross-Section Profile
N+Si 500A IS 3300+300A PSiN 2000A Al 2500A ITO 400A

Mo 500A

Mo 500A SIO 1750+1750A ?-Si 500A Mo 250A

AlNd 3000A SiN 500A

2016/10/18

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